铜夹如何为未来的电力制造完美的封装

Nexperia的铜夹技术改变了电源封装的游戏规则，并继续引领性能和效率的步伐。现在，我们大约 90% 的产品系列使用 LFPAK 无损耗封装，该封装早在 2002 年就引入了铜夹，该技术在装有我们最新 GaN FET 的新型 CCPAK1212 中占有突出地位。

我们开发了LFPAK，以满足计算行业在为最新处理器供电时对极高电流的需求。随着每个新的硅技术节点在片上带来指数级的晶体管，同时降低电源电压，峰值电流开始向200 A甚至更高。这扩展了业界参考SO-8晶体管封装的功能，推动电源设计转向更大的封装，如DPAK甚至D2PAK，以处理这一切。

我们开发了LFPAK56，以从流行的SO-8封装尺寸中提供更多功率，因此LFPAK56可以代替DPAK或D2PAK。我们的第一代 25 V MOSFET（以其尺寸 – 56 mm x 5 mm 命名）具有 RDS（开启）最大漏极电流可与 DPAK 中的类似器件相媲美，尽管占位面积不到尺寸的一半：30 mm2，而 DPAK 的 70 毫米2.铜夹附件取代了芯片和引线框架之间的传统键合线连接，具有巨大的横截面积，因此大大提高了电气和热性能。

起初，业界持怀疑态度：这款不到DPAK一半的LFPAK56如何实现同等的热性能？有些人怀疑夹子附件的可靠性，尽管物理学是毋庸置疑的：将夹子直接焊接到芯片上的源极连接上，消除了通常在连接键合线的地方出现的高电流密度区域。因此，铜夹可防止在这些位置形成温度“热点”，从而保护晶体管。

可靠性和热性能测试充分表明，LFPAK可以像声称的那样运行。LFPAK56还通过了严格的AEC-Q101汽车认证，事实上，它大大超过了所有要求。

铜夹还降低了封装电感，比传统的引线键合封装低三倍，从而实现更好的开关效率和更低的EMI。在当今的电源设计中，提高开关效率变得越来越重要，这些设计针对更高的频率以实现更高的功率密度和更快的动态响应。这就是为什么我们最新的铜夹封装CCPAK1212是我们新型GaN功率晶体管的绝佳选择。其宽带隙技术在快速开关设计中提供了出色的效率，使GaN和铜夹成为完美的配对。

审核编辑：郭