氮化镓对比普通充电器有哪些优势
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性[半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
氮化镓功率器件的特点
1长脉宽，高占空比
2工作频带宽，工作频率高
3输出功率高，附加效率高
4抗辐照能力强，环境适应性强
氮化镓对比普通充电器有哪些优势
1体积优势
2功率需求
3适配性选择
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