0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

IC芯片中的功耗

微云疏影 来源:中深源科技 作者:中深源科技 2023-02-06 09:53 次阅读

IC芯片中的功耗方面

芯片中的功耗

芯片的功耗可分为三大类。这些是:动态功率、短路损耗和泄漏功耗。下面将详细讨论这些类别及其组成部分。请注意,除非另有说明,以下描述仅适用于NMO——PMO也可以得到类似的解释。“MOS”通常指MOSFET和CMOS。

1.漏电功耗:如今,功耗的这一部分最受关注。并非所有泄漏消耗的成分都存在或主导四分之一微米及以上的节点,因此,它对总功耗的贡献可以忽略不计。然而,随着技术进步导致MOS的缩小,量子力学效应开始出现,并导致许多这些泄漏电流组件。这是能量耗散的分量,它在很大程度上影响了芯片在待机操作中的操作,因为其他元件在此期间会卡住发挥。因此,要在芯片中实现低功耗目标,必须寻找可能发挥作用的各种泄漏元件来源。泄漏消耗的主要来源如下:

弱反转电流/次阈值电流:MOS的亚阈值区域是VG工作的区域≈VT和VDS》0(在nMOS环境中)。在该区域,电压不足以为MOS开始导电构建完整的表面通道。然而,一些电子可能会获得足够的能量来从源头穿越到漏极。此电流称为亚阈值电流。该电流的近似值可以从下面的等式中理解:

pYYBAGPgXbeAcKScAAAXMEZsIz0305.jpg

poYBAGPgXbiAJxF6AADrnO1sPok606.jpg

图1:各种漏电流

结反向偏置电流:在扩散区和基板边界之间形成一些寄生二极管。这些寄生虫倾向于将一些少数电流从漏极漂移到基质。此外,在耗尽区域中产生的一些电子 - 空穴对有助于电流流向基板。这种净电流被称为结反向偏置电流。这种电流与掺杂密度有直接关系,并且往往随着掺杂的增加而增加。

pYYBAGPgXbmAfvGLAACEPqHEx3M827.jpg

图2:反向偏置PN结电流

漏极诱导势垒降低(DIBL):随着漏极电压的增加,它会影响发生局部电位积聚的漏极区域周围的耗尽区域。这导致耗尽区域宽度的增加和排水区域周围表面电位的增加。在长通道MOS中,源与漏极有一定距离,对源区域没有太大影响。因此,源和通道之间的电位不会改变。然而,随着技术节点的缩小,漏极和源极之间的距离减小。因此,由于漏极处的电压,源区也开始受到影响。这导致耗尽宽度的增加和耗尽通道源侧附近表面电位的增加。因此,对于给定的栅极电位,电位势垒降低,更多的电子开始从源侧移动到漏极侧。这称为排水诱导的障碍降低。这导致由于载波可用性的提高而导致关断电流的增加。

穿孔电流:穿通电流是DIBL的一种极端形式。当漏极电压超过一定水平时,耗尽区会延伸到阱中深处。结果,栅极电压失去了对通过MOS的电流的控制,大量电流开始流过MOS。该电流与VDS(漏源极电压)呈二次关系变化。这是决定MOS尺寸和氧化层厚度减小时工作电压变化范围的因素之一。随着MOS缩小,源节点和漏节点之间的距离减小,因此,相同的VDS现在将在漏节点和源节点之间产生更大的电场。这种高电场可以诱导穿通电流。因此,随着MOS尺寸的缩小,降低电源电压变得至关重要。

栅极感应漏极泄漏(GIDL):假设漏极连接到电源,栅极连接到接地或负电源。这将导致在栅极下方的排水区域产生电场。此字段将在排水管中创建一个耗尽区域。这导致排水沟附近的场拥挤和高场效应开始发生,例如雪崩倍增和带隧道。结果,少数载流子在闸门下方的排水管中排放。由于基底处于较低电位,因此在排水耗尽区域附近积聚的少数载流子被扫到基底。该电流称为栅极诱导漏极漏电流。该电流受施加的电压和栅极氧化物厚度的高度影响。

栅极隧穿电流:随着我们将技术缩小到深亚微米级,栅极下氧化物的厚度也会减小。在当今的技术中,这是在1-2nm厚度的范围内。大量掺杂的通道和超薄氧化层在氧化区域产生非常高的电锉,约为MV/cm。因此,电流载体可以通过氧化物区域隧道传输,从而产生栅极电流。施加的电压量越大,载流子通过氧化层隧道的机会就越大。该电流不仅相当于栅极端子的泄漏电流,而且还会减少流经漏极的电流。这可能会妨碍设备的性能。为了应对这种电流,使用多硅栅极代替金属栅极 。

短路功耗:这是器件功耗的另一个组成部分。当电路输入端发生逻辑变化时,它可能会改变其输出状态。在此转换期间,某些MOS将从 OFF 状态变为饱和状态,而其他一些MOS将遵循相反的路径。由于输入在两种逻辑状态之间切换需要一些有限的时间,因此在此过渡阶段,会出现一小段时间,其中NMOS和PMOS都在导电,并且它们都没有处于OFF状态。在此期间,一些电流流过它们,这被称为短路电流。该电流不有助于任何内部电容器(结、互连和扩散电容)充电,因此会导致纯功率损耗。

考虑输入A的低到高转换。当电平达到VTN时NMOS开始导通。此时,PMO仍处于导通状态,直到输入达到(VDD-|VTp |)水平,其中VTn和VTp分别是nMOS和PMO的阈值电压。当NMO或PMO进入截止阶段时,传导停止,短路电流路径中断。类似的路径也适用于输入的下降过渡,即当nMOS仍在进行时,PMO被打开。如果输入的上升和下降时间较高或负载电容较低,则该电流会变得相当大。为了抵消这种损失,输入上升和下降的延迟会减少,输出端的电容会增加。

poYBAGPgXbmAXkN5AAAf8x8_b5E180.jpg

图3:CMOS逆变器中的短路电流

动态能耗:动态能耗是由于输入中的切换而导致单元切换的消耗。因此,这也被称为开关能量。当电池的状态从逻辑高电平更改为逻辑低电平或反之亦然时,各种内部电容器(结电容、互连电容和扩散电容)会相应地充电或放电。从电源中汲取能量来为这些电容器充电,称为动态功率。这种能耗曾经是泄漏电流微不足道的技术中四分之一节点(250μm)技术中最主要的消耗。然而,随着技术的缩减,功能电流减小,漏电元件增加数倍。但是,我们尽一切努力将开关功耗降至最低,以降低应用的整体能耗。

pYYBAGPgXbmAdSzQAACFW9e--3g123.jpg

图4:CMOS电路中的开关电流

如果CMOS单元中的所有寄生电容都集中到负载电容中,那么,如果输出电平从VDD变为接地,则总能耗为CVDD2。其中,一半的能量存储在负载电容器中,其余一半的能量被耗散。同样,当输出改变回地面时,也会发生类似的能量耗散。因此,这种开关能耗与VDD和开关频率直接相关。因此,降低电源电压是降低动态功耗的一种方法。然而,VDD的减少会导致电池变慢,因此,有效地降低了操作的最大频率。此外,频率的降低会导致相同的操作需要更多的时间。平均开关能耗为::Pav= f·C·V2其中,f是操作频率。该功耗完全独立于输入和输出信号的上升和下降时间。

开关能耗的另一个组成部分是由于动态危险和毛刺引起的损失。由于进入或进入电路内部的各种输入的路径中的不平衡延迟,电路中可能会出现毛刺。考虑电路,如下所示。

poYBAGPgXbqAIQOAAAA21o4bv7E337.jpg

图5:故障产生、电路和时序图

考虑两个输入在逻辑上的情况,如VDD所示,并且信号A和B的转换具有一定的延迟,如相邻时序图中所示。由于A和B到达之间的延迟不平衡,输出信号Z在短时间内被断言为1。这种转变被称为小故障/危险。另一方面,如果A在断言B之前下降,则输出不会出现任何小故障,因为在断言其他输入之前,输出和门的一个输入会切换到零。因此,以这样一种方式满足时间要求,即消除或最小化此类故障。然而,在某些情况下,这种行为可能是有意停止电路中的竞争条件。为此,并非所有输入都同时切换。在无法完全消除此类故障的情况下,可以在输出端放置逻辑来吸收此类故障,以阻止其向以下逻辑的传播,例如,在路径中添加一些缓冲区来吸收此类故障,并平衡路径的定时。

纵观各种功耗源及其原因,随着MOS扩展的推进,实现低功耗设计变得越来越具有挑战性。当我们跨越技术节点时,新的参与者开始在这个舞台上扮演关键角色,为这个低功耗的故事带来了新的转折。我们的下一篇文章将讨论实现低功耗设计所采用的各种步骤和方法。并非所有这些方法都可以用于特定设计;但是,人们可能必须走钢丝才能平衡功率与性能。

来源:中深源科技

审核编辑 :李倩

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电流
    +关注

    关注

    40

    文章

    6852

    浏览量

    132153
  • MOS
    MOS
    +关注

    关注

    32

    文章

    1269

    浏览量

    93726
  • IC芯片
    +关注

    关注

    8

    文章

    247

    浏览量

    26233
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    IC芯片功耗有哪些降低方法? 

    功耗作为芯片设计的关键参数,贯穿整个IC芯片设计处理过程,甚至会影响时序与芯片的运行。我们IC
    发表于 06-29 16:46

    请问DAC芯片中哪款功耗最低?

    请问各位大神,在DAC的芯片中不考虑位数通道等等,只看功耗的话,哪块芯片功耗最低呢?能低到什么程度呢?求各路大神指点
    发表于 03-01 12:19

    如何估算IC芯片功耗

    如何估算 MUC ,DDR ,WIFI芯片IC芯片功耗?根据什么推算,输入电压,还是端口驱动电流,求教
    发表于 03-11 09:49

    电磁炉常用IC芯片中文英文资料

    电磁炉常用IC芯片中文英文资料:FSD210, FSD200,LM339,LM358--UTC,VIPER12A,THX202等等。
    发表于 06-19 23:26 1237次下载

    如何控制IC功耗

    如何控制IC功耗  在许多设计中,功耗已经变成一项关键的参数。在高性能设计中,超过临界点温度而产生的过多功耗会削弱可靠性。在芯片上表
    发表于 12-31 11:06 750次阅读
    如何控制<b class='flag-5'>IC</b>的<b class='flag-5'>功耗</b>

    DS1302芯片中文资料

    DS1302芯片中文资料
    发表于 09-21 08:15 59次下载
    DS1302<b class='flag-5'>芯片中</b>文资料

    BUCK电源芯片中自举电容的说明

    BUCK电源芯片中自举电容的说明
    发表于 05-09 16:07 2次下载

    芯片中的CP测试是什么

    芯片中的CP一般指的是CP测试,也就是晶圆测试(Chip Probing)。
    的头像 发表于 07-12 17:00 1.7w次阅读
    <b class='flag-5'>芯片中</b>的CP测试是什么

    什么是ic设计 ic设计和芯片设计区别

    IC设计指的是集成电路设计(Integrated Circuit Design),它是指将电子元器件、电路和功能集成到单个芯片中的过程。IC设计涉及到将电路功能进行逻辑设计、布局布线、验证仿真等多个阶段,以及与层次化方式相结合的
    发表于 06-28 16:32 8449次阅读

    芯片静态功耗是什么?如何产生?ATECLOUD-IC芯片测试系统如何测试?

    芯片的众多测试项目中芯片功耗测试可谓重中之重,因为芯片功耗不仅关系着芯片的整体工作性能也对
    的头像 发表于 10-08 15:30 1351次阅读
    <b class='flag-5'>芯片</b>静态<b class='flag-5'>功耗</b>是什么?如何产生?ATECLOUD-<b class='flag-5'>IC</b><b class='flag-5'>芯片</b>测试系统如何测试?

    芯知识 | 语音芯片中的声音播放提示IC内置看门狗的作用介绍

    随着科技的不断发展,语音芯片在各个领域的应用越来越广泛。其中,声音播放提示IC作为语音芯片的重要组成部分,其功能和性能的提升对于产品的用户体验和稳定性至关重要。而在声音播放提示IC中,
    的头像 发表于 12-20 08:40 552次阅读
    芯知识 | 语音<b class='flag-5'>芯片中</b>的声音播放提示<b class='flag-5'>IC</b>内置看门狗的作用介绍

    高精度低功耗小封装电压检测芯片HX61C系列芯片中文资料

    电子发烧友网站提供《高精度低功耗小封装电压检测芯片HX61C系列芯片中文资料.pdf》资料免费下载
    发表于 01-30 17:51 0次下载

    SM15103TH带PWM调光低功耗的线性驱动芯片中文手册

    电子发烧友网站提供《SM15103TH带PWM调光低功耗的线性驱动芯片中文手册.pdf》资料免费下载
    发表于 07-13 10:19 0次下载

    SM15201EH带PWM调光低功耗的线性驱动芯片中文手册

    电子发烧友网站提供《SM15201EH带PWM调光低功耗的线性驱动芯片中文手册.pdf》资料免费下载
    发表于 07-13 10:16 1次下载

    芯片中的存储器有哪些

    芯片中的存储器是芯片功能实现的重要组成部分,它们负责存储和处理数据。根据功能、特性及应用场景的不同,芯片中的存储器可以分为多种类型。以下是对芯片中主要存储器的详细介绍。
    的头像 发表于 07-29 16:55 1105次阅读