复位电路确保有效的电源电压
本文重点介绍如何使用外部MOSFET开关，以确保在将系统电压施加到负载之前存在有效的系统电压。这个简单的电路使用复位电路和MOSFET在上电期间提供保护电路。
在电压达到某个最小值之前，通常需要防止将电源电压施加到负载上。图1所示电路由两个紧凑型SOT23封装组成，当电源电压低于预设门限时，通过阻断电源电压（标称值为5V）来保护负载。IC1的门限为4.63V;该 IC 的其他四个版本提供 4.38V、3.08V、2.93V 和 2.63V 门限。
IC1的高电平有效复位输出通过在上电期间保持高电平来保持p沟道MOSFET关断。在复位超时周期（最小值为140ms）结束时，它继续保持高电平，当VCC通过4.63V门限时，IC1由IC1启动。如果超时到期后VCC仍高于4.63V，则复位变为低电平，开启Q1，并将VCC施加到负载上。Q1的导通电阻（VGS = 4.5V时为0.2Ω）可提供1A电源电流，而压降仅为200mV。
如果 VCC 在超时期间摇摇晃晃并降至阈值以下，或者 VCC 在正常工作期间降至阈值以下，则 Q1 将关闭并从负载中移除 VCC。在关断期间，复位也会变为高电平，并在VCC降至门限以下时立即关闭Q1。IC1 保持该栅极驱动，用于低至 1V 的 VCC;低于该水平，负载保持安全，因为VGS太低，无法重新打开Q1。
该电路可与任何提供高电平有效、推挽复位输出的微处理器复位器件一起实现。作为提供其他阈值电平和特性组合的替代方案，可以考虑MAX812、MAX824、MAX6327和MAX6332。
审核编辑：郭婷
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