编程和测试基于DS2786的电路

本应用笔记介绍如何正确测试包含DS2786开路电压电池监测器的电路板。提供了分步测试程序，可以遵循该程序以确保电路板已正确组装.此外，本笔记还指导读者在DS2786组装到电路板上后如何正确编程EEPROM。

介绍

基于开路电压（OCV）的DS2786电量计出厂时，默认的OCV曲线和默认配置加载到EEPROM中。为了提高OCV电量计的精度并使DS2786适应特定应用，可能需要对DS2786的EEPROM进行重新编程。本应用笔记介绍如何对EEPROM进行编程和测试组装好的电路板。

执行板级测试

以下是在最终组装到电池组之前如何对基于DS2786的OCV板进行生产测试的示例。图1所示为利用DS2786所有功能的电路板原理图示例。所有关键测试点（有7个）在图中用圆圈数字表示。测试流程假设电路的所有分立元件都已经过测试，因此，目标是通过验证连接来验证电路板是否已正确组装。

图1.必须验证的电路板节点。

测试 1：测试初始化。该测试的目的是确定电路板上是否有任何直接短路并验证通信。在此步骤中成功与设备通信以读取电压寄存器可验证SDA和SCL连接（节点1）以及Pack+到VDD引脚（节点 2）和 V 形封装党卫军引脚（节点 3）连接。此外，通过读取此步骤中的电压寄存器并确认它是有效的测量值，连接到 V在可以验证引脚（节点 4）。

Force 4.0V from Pack+ to Pack-
等待 880 毫秒。		等待电压转换。
读取电压寄存器：		2 字节。
如果无法通信，则失败板。
如果电压读数不准确，则使电路板失效。

测试 2：验证 SNS（节点 5）。与SNS引脚的连接可以通过有效的电流测量进行验证。

Force 4.0V from Pack+ to Pack-
Force 1.0A from Pack- to System VSS.
等待 880 毫秒。		等待当前转换。
读取当前寄存器：		2 字节。
如果当前读数不准确，则使电路板失效。

测试 3：验证辅助输入 AIN0 和 AIN1（节点 6）。与 AIN0 和 AIN1 引脚的正确连接可以通过有效的电阻测量进行验证。此测试是可选的。

将一个 10kΩ 电阻从包装 ID 端子连接到包装。
将一个 10kΩ 电阻从 Therm 端子连接到 Pack-。
强制 4.0V 从包 + 到包-。
等待 880 毫秒。		等待辅助输入转换。
阅读 AIN0 和 AIN1：		4 字节。
如果 AIN0/AIN1 读数不准确，则使电路板失效。

测试 4：验证 VPROG 并对 EEPROM（节点 8）进行编程。为了对DS2786的EEPROM进行编程，需要一个测试点将编程电压连接到VPROG引脚。通过编写和复制 EEPROM 并验证 EEPROM 是否已更新来验证此连接。电流偏移偏置寄存器（COBR）包含在EEPROM中，因此在对EEPROM进行编程之前校准COBR可能是有益的。

Force 4.0V from Pack+ to Pack-.
校准COBR。	如果需要。详情见下文。
写入参数 EEPROM 块：	32 字节。
将参数复制到 EEPROM 中。
等待 14 毫秒。	等待EEPROM复制。
将 0xFFh 写入参数块：	31 字节（不是内存地址 0x7Dh）*。
从EEPROM召回参数。
读取参数EEPROM模块：	32 字节。
如果从EEPROM读取的所有32字节与最初写入的32字节不匹配，则失败板。

*请勿将 0xFFh 写入内存地址 7Dh，否则从地址将更改，设备将停止响应当前从地址。

校准电流偏移偏置寄存器

电流失调偏置寄存器允许DS2786的电流测量值以25μV步长调整至+3.175mV至-3.2mV之间的任意值。COBR 的出厂默认值为 0x00h。下面列出了校准电路中DS2786电流失调的步骤：

为DS2786供电，确保检测电阻上没有电流流过。

将 0x00h 写入 COBR（内存地址 0x60h）。

等待 880 毫秒进行下一个转换周期。

读取当前寄存器。

尽可能多次重复步骤3和4以获得平均电流读数。

将平均电流读数的相反值写入COBR。

将值复制到 EEPROM（此步骤应与将所有值复制到 EEPROM 结合使用）。

总结

正确验证组装好的基于OCV的DS2786电量计需要测试电路中的每个焊接点。测试 1、2 和 3 可以合并为一个步骤，以减少测试时间，尤其是转换时间的延迟。

此外，在测试期间对EEPROM进行编程可以提供更有效的测试流程，并提供方便的时间施加将参数保存到EEPROM所需的编程电压，包括电流偏移偏置。

审核编辑：郭婷