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Trench 9 LFPAK33 MOSFET驱动高达300W的动力总成系统

星星科技指导员 来源:安世半导体 作者:Richard Ogden 2023-02-09 09:53 次阅读

Nexperia新推出的Lexpak33封装40 V低RDS(on) MOSFET器件系列助力紧凑型动力总成系统(30 W到300 W)的增长。

谈及驱动效率更高的解决方案,汽车动力总成应用显然是主要焦点之一。功率密度、热性能和空间一直都是需要改进的关键领域。适用于在30~300 W范围内对热设计有要求的系统(包括水、油和燃油泵),Nexperia新推出的LFPAK33封装40 V低RDS(on) MOSFET器件是理想的选择。

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这款器件采用微型8-pin LFPAK33封装,封装面积仅为10.9mm²,间距仅为0.65 mm;与DPAK解决方案相比,能够帮助设计人员减少84%的空间需求。此外,这一新推出的汽车级Trench 9器件可将RDS(on)显著降低,器件的导通内阻仅为3.3 mΩ。

借助我们的超结技术,优化了电流能力和安全工作区(SOA),使受益于LFPAK33 MOSFET的小尺寸和热性能扩大了汽车应用范围至300 W。

主要特性和优势

改进的RDS(on)和电流容量

通过更低成本的LFPKA33替换较大的封装

较小的封装更低RDS(on)

在较小的占位面积中驱动更高功率应用(高达300 W)

超结技术设计提高雪崩能力

强SOA能力和高性能故障条件耐受能力

符合汽车AEC-Q101标准

关键可靠性测试超越2倍AEC-Q101测试标准

LFPAK33的优势

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LFPAK33的特性和优势

审核编辑:郭婷

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