控制阈值电压

2022年，集成电路半导体行业最热的头条是“EDA被全面封锁”。如何突破EDA封锁，成为行业发展的关键词，也是群体焦虑。在全球市场，有人比喻EDA是“芯片之母”，如果没有了芯片，工业发展和社会进步将处处受制，EDA的重要性也上升到了战略性高度。尽管国际封锁形势严峻，但睿智的中国科技人擅于把危机化为机会，从《加快自动研发应用，让工业软件不再卡脖子》，到《破解科技卡脖子要打好三张牌》，即一要打好“基础牌”，提升基础创新能力；二要打好“应用牌”，加强对高精尖国货的应用；三是要打好“人才牌”，让人才留得住、用得上、有发展……，各种政策、举措和实际行动，处处彰显了我们中国科技的发展韧性。

我们EDA探索频道，今天迎来了第9期的精彩内容——控制阈值电压，下面就跟着小编一起来开启今天的探索之旅吧~

MOSFET的最重要参数之一便是阈值电压，理想的阈值电压由以下公式给出。

然而，当我们考虑到固定氧化物电荷的影响和功函数的差异时，就会出现一个平带电压移动。

此外，衬底偏压也能影响阈值电压。当在衬底和源极之间施加反向偏压时，耗尽区被加宽，实现反转所需的阈值电压也必须增加，以适应更大的Qsc。

考虑到这些因素，得到的阈值电压表达式为：

图：NMOS与PMOS管在不同栅极条件下的计算结果。栅氧化层为5nm, VBS=0, Qf=0

引自S.M.Sze“SemiconductorDevicesPhysicsandTechnology”

上图是一个计算结果，对应的是不同栅极的NMOS和PMOS的阈值电压与衬底掺杂的关系。本征的多晶硅栅极相当于4.61eV的功函数。

精确控制集成电路中MOSFET的阈值电压对电路的可靠性至关重要。通常情况下，阈值电压是通过向沟道区的离子注入来调整的。例如，经过表面氧化层的硼注入通常被用来调整n沟道MOSFET的阈值电压（带p型衬底）。通过增大沟道的掺杂浓度来提升阈值电压。由于离子注入的能量和剂量是可以精确控制的，可以由此实现对阈值电压的精确控制。同理，向p型沟道注入少量的硼可以减少VT。

我们还可以通过改变氧化物的厚度来控制VT。随着氧化层厚度的增加，n沟道MOSFET的阈值电压变得更正，p沟道MOSFET的阈值电压变得更负。这是由于在一定的栅极电压下，氧化物越厚，相应的场强越小。这种方法被广泛用于隔离在芯片上的晶体管。下图显示了隔离氧化层(也称为场氧化层)在n+扩散区和n阱之间的横截面。

图：寄生的场区晶体管横截面示意图

引自S.M.Sze“SemiconductorDevicesPhysicsandTechnology”

n+扩散区是n型沟道区或者MOSFET的源区或漏区。MOSFET的栅极氧化物要比场氧化物薄得多。当电力线在场氧化层上形成时，就会产生一个寄生的MOSFET，也称为“场区晶体管”，其n+扩散区和n阱区分别作为源极和漏极。

场区晶体管的VT通常比正常的薄栅氧化物的VT大一个数量级。在电路正常运行时，场效应晶体管不会被打开。因此，场氧化层在n+扩散区和n孔区之间提供了良好的隔离。

衬底偏压也可以用来调整阈值电压。源极和衬底可能不在同一电位上。在器件正常工作时，源和衬底之间的p-n结必须是零或反向偏压。如果VBS为零，衬底的表面电位为2ψB。当施加反向衬底-源极偏压（VBS>0）时，沟道中的电子电势则会拉高到高于源极的电势的水平。沟道中的电子将被横向推到源极。如果要保持在强反型条件下沟道中的电子密度保持不变，栅极电压必须提高到2ψB+VBS。

审核编辑 ：李倩