RISC-V MCU电源系统概述

1. 电源结构

CH32V307供电结构如下图所示：

通常CH32V307工作电压VDD的范围为2.4V~3.6V，当使用ETH或USB时，工作电压VDD的范围为 3.0V~3.6V

内置电压调节器提供内核所需的1.5V电源。

VDDA和VSSA为模拟部分供电

为了提高AD等模拟部分的精度，可以使用独立的电源为VDDA和VSSA供电。

CH32V307VCT6 LQFP100封装的VREF+和VREF-引脚引出，用户可连接一个独立的参考电压用于ADC测量，参考电压范围：2.4V ≤ VREF+ ≤ VDDA。

其他封装的CH32V307的VREF+和VREF-引脚未引出，在芯片内部与VDDA和VSSA相连。

VBAT为后备电源引脚，当VDD断电时，掉电复位功能会自动切换VBAT为后备供电区域供电，用于维持RTC以及后备寄存器的内容。

当切换到VBAT供电时：

PC14和PC15只能用作LSE引脚

PC13可以作为TAMPER侵入检测引脚、RTC闹钟或秒输出

当VDD恢复供电稳定后，系统自动切换开关，后备区由VDD供电，此时PC13~PC15可以做为GPIO。因为模拟开关只能通过少量的电流，当用在输出时，速度必须限制在2MHz以下，最大负载电容为30pF，并且禁止用在持续输出和吸收电流的场合，比如LED驱动。

如果没有使用外部电池为VBAT供电，VBAT引脚必须连接到VDD引脚上

电池到VBAT的连线要尽可能的短

在主电源VDD恢复供电过程中，内部VBAT 电源仍然通过对应的VBAT 引脚连在外部备用电源上，若 VDD在小于复位滞后时间 tRSTTEMPO 内就达到稳定，并且高于 VBAT的值 0.6V 以上，则有可能存在较短瞬间，电流通过 VDD 与 VBAT之间的二极管灌入 VBAT，进而通过 VBAT 引脚注入电池等后备电源，如果后备电源无法承受这样瞬时注入电流，建议在后备电源和VBAT 引脚之间加一只正向导通低压降二极管。

2. 电源管理

2.1 上电复位和掉电复位

系统内部集成了上电复位POR 和掉电复位PDR 电路。

当芯片供电电压VDD 和VDDA 低于对应门限电压时，系统被相关电路复位，无需外置额外的复位电路。

上电门限电压 VPOR 和掉电门限电压 VPDR 的参数请参考对应的数据手册。

2.2 可编程电压监测器（PVD）

可编程电压监测器 PVD，主要被用于监控系统主电源的变化，与电源控制寄存器 PWR_CTLR 的PLS[2:0]所设置的门槛电压相比较，配合外部中断寄存器（EXTI）设置，可产生相关中断，以便及时通知系统进行数据保存等掉电前操作。

PVD详细配置参考。

3. 低功耗模式

微控制器目前提供了3 种低功耗模式，从处理器、外设、电压调节器等的工作差异上分为：

睡眠模式 ：内核停止运行，所有外设（包含内核私有外设）仍在运行

停止模式 ：停止所有时钟，唤醒后系统继续运行。

待机模式 ：停止所有时钟，唤醒后系统复位（电源复位）。

低功耗模式一览：

低功耗模式	进入方式	唤醒源	对时钟的影响	电压调节器
睡眠	WFI WFE	WFI：任意中断唤醒 WFE：唤醒事件唤醒	内核时钟关闭， 其他时钟无影响	正常
停止	1) SLEEPDEEP置1 2) PDDS清0 3) WFI或WFE	任一外部中断/事件（在外部中断寄存器中设置） WKUP引脚上升沿	关闭HSE、HSI、PLL 和外设时钟	正常：LPDS=0 低功耗：LPDS=1
待机	1) SLEEPDEEP置1 2) PDDS置1 3) WFI或WFE	WKUP引脚上升沿 RTC闹钟事件 NRST引脚复位 IWDG复位 注：任意外部中断/事件也可以唤醒系统， 但唤醒后系统不复位	关闭HSE、HSI、PLL 和外设时钟	正常：LPDS=0 低功耗：LPDS=1