73M1x66B/73M1x22 低压瞬态保护

数据访问排列 （DAA） 接口保护可防止线路侧电路中的其他组件因超过其额定限值的电压和电流而损坏。大多数安全监管机构要求在与公共交换电话网络 （PSTN） 的尖端和环形连接之间发生 275V >电压时激活保护。此最小电压跳闸电平可防止在最坏情况下的振铃和电池电压条件下导通。但是，在某些情况下，也需要保护DAA接口免受低于高电压保护阈值的电压的影响。本文提供了有关这些情况的指导，并重点介绍了Teridian 73M1866B/73M1966B和73M1822/73M1922低压、瞬态保护、MicroDAA®解决方案。

介绍

本应用笔记提供了电路保护指南，以应对低于正常较高电压和电流保护所保护水平的电压瞬变。

大多数安全监管机构需要某种保护，当与PSTN的尖端和环连接之间出现高于约275 V的电压时，会激活这种保护。需要此最小电压跳闸电平，以防止在最坏情况下的振铃和电池电压条件下导通。高于此电压电平的故障情况可能由许多因素引起，例如雷电、人体接触产生的 ESD 以及电线杆或地下电线上的电源交叉。这些情况可能会对设备用户造成伤害以及设备本身的损坏，但这些通常被认为是“安全”问题。设备通常具有由变压器和电容器提供的高压隔离，这些变压器和电容器跨越隔离电压屏障以保护用户。需要对DAA接口进行保护，以防止线路侧电路中的其他组件因超过其额定限值的电压和电流而损坏。

在某些情况下，还需要保护DAA接口免受低于高压保护阈值的电压的影响。本应用笔记专门讨论了这些问题。

对保护层的需求

从线路侧看，二极管桥后面的晶体管额定电压为300 V Vce，因此有一个TVS器件（E1）被超过275 V的电压激活，以便在它们关闭（挂机）时保护它们。这些晶体管反过来保护其他低压设备，防止看到线路上的电压，这些电压在挂机时可能是有害的。

线路侧IC是3 V器件，尽管摘机时的电压可能远高于此电压（4 V至15 V）。还有其他器件位于摘机电压电平和线路侧IC之间。晶体管 Q5 和 Q6 的额定电压最大为 80 V，并由 Q2、Q3 和 Q4 保护线路。一旦线路处于摘机状态，DAA 内部的电压通常完全在其电压限制范围内。摘机时，Q5 和 Q6 保护线路侧 IC 免受线路电压的影响，而 MicroDAA唰唰��正在运行。电容C7位于接收输入引脚和线路之间，因此可防止线路上的直流电压通过该路径到达IC。该电容器的额定电压为25 V，因此可以轻松承受直流线路电压。

振铃检测和来电显示路径同样受到保护。有电容器和电阻器可以保护RGP和RGN输入免受交流和直流高压的影响。这些“落后于”E1提供的高压保护，因此电容器的额定电压仅为200 V左右，因为它们实际上是相互串联的。

低电压保护

E1 提供的保护无法正确解决某些情况。E1 是撬棍器件，这意味着 TVS 进入低阻抗状态，而不仅仅是将线路箝位至 275 V。当该器件跳闸时，它会导致电压保持在（通常）20 V以下。在线路摘机的情况下，这意味着晶体管Q5和Q6的额定电压不会超过，除非TVS暂时跳闸。但是，如果电压小于E1的跳闸电压，则DAA中组件两端的电压不受E1的影响，因此C7、Q5和Q6可以看到电压，并且将是E1跳变电压的全电压。例如，这意味着 115 V AC 电源电压将不受影响。

线路被卡住后，振铃电压有时也会存在一段时间，这也会对DAA电路造成严重破坏。高电感电路也被证明会在开关转换期间在DAA中引起较大的电压瞬变。由于直流环路必须缓慢响应线路上的快速电压转换，因此其中一些条件几乎不受DAA的影响，但可能会损坏额定电压低于瞬态电压的器件。

在开关晶体管和VNS之间的电路中添加齐纳二极管或低压TVS （D1），可防止超过25 V的电压影响DAA电路的运行，并防止损坏DAA中的其他组件。通过大多数认证测试不需要这种额外的保护层，但大大增加了MicroDAA运行的可靠性。

应该注意的是，具有类似拓扑的竞争性DAA解决方案通常使用类似的保护方案。也有类似的设计没有这些保护层，但鉴于前面的讨论，它们的可靠性可能存在问题。为了获得最低的BOM，一些设计人员选择仅提供最低限度的电路保护以进行认证，而不是为可靠和稳健的设计提供保护。

审核编辑：郭婷