MicroVac卡盘–提高了薄型高功率RF器件的良率和测试精度

MicroVac卡盘专为正在测试高功率RF放大器（通常为HEMT器件，工作频率高达60 GHz）的客户而设计。这些高电子迁移率晶体管在III / V化合物半导体衬底（GaAs或GaN晶片）上制造，并且用于需要高功率信号传输的商业和军事的各种无线通信产品中。

薄化的晶圆测试

这些高功率RF器件在测试和封装之前需要晶圆减薄。减薄工艺去除器件下方的多余晶片衬底材料，其充当热绝缘体，捕获热量，导致低性能，损坏或破坏的器件。在薄化过程中，晶圆可以减薄到仅50-100微米，这可能导致翘曲，有时晶圆会破裂或破裂成部分晶圆。

稀释设备的测试问题

在将器件切割并组装到封装/散热器中之前，通常在探针台晶片夹盘上利用变薄的晶片执行电测试。当薄的晶圆位于卡盘上时，由于以下原因，在整个薄的晶圆接触区域上均匀地保持真空是至关重要的：

减少垫损坏/慢速测试。晶片上的不均匀真空压紧导致翘曲晶片具有不同的测试垫高度（PP~50-100μm）。焊盘上的探针触地有时会因过度过载而导致焊盘损坏。为了补偿Z高度变化，必须进行耗时的晶片分析，这会增加测试时间。

尽量减少设备损坏。晶片上的不均匀真空使得一些区域对于卡盘具有低导热性，因此当对该装置进行电测试时，该装置可能过热，并且被损坏或破坏。

获得最高精度/设备产量。与上面的第二个类似，晶片上的非均匀真空压紧导致不均匀的散热，这可能限制器件的最大性能。这不仅会产生不准确的数据，而且还可以通过不正确的装箱设备来降低晶圆产量，因为其性能低于封装时的实际性能。

MicroVac技术提高产量

获得专利的MicroVac卡盘技术可在整个晶圆表面提供均匀的真空。改进的真空设计可最大限度地减少泄漏并提供恒定的真空 – 从而实现市场上可获得的最佳薄晶片下拉性能。对于减薄的晶片表面，可以在任何晶片位置实现均匀的探针超程，从而产生可重复的接触和测量结果。

此外，专用的真空设计可以轻松快速地拉下厚度翘曲的晶圆，从而缩短获得高精度数据的时间。晶圆可以变薄，变形或破裂。甚至部分晶片（不覆盖所有卡盘真空孔）也均匀地保持真空，以实现对卡盘的最大设备导热性和均匀的Z高度。

专利MicroVac卡盘的主要特点包括：

整个卡盘上有495个直径为200μm的微孔

高流量内部真空通道设计

镀金表面处理

五个用户可选择的真空区域

由此产生的客户利益是什么？

准确的测量用于横向高功率RF器件

导热系数均匀（更好的DUT统计数据）

改进了薄晶圆处理（统一超行）

最佳翘曲晶圆下拉（减少手动调整）

在测试高性能薄型GaAs和GaN晶圆时，MicroVac技术可实现最高精度的横向RF功率器件性能和良率。

审核编辑 ：李倩