Rambus利用RCD技术实现6.4GT/s DDR5!

Rambus宣布推出最新的RCD(registeringclock driver)芯片，传输速度可达6400 MT/s，标志着DDR5内存性能的飞跃。随着CPU频率和核心数量的增加，如果内存性能跟不上CPU的性能，就会迅速成为系统瓶颈，Rambus希望通过RCD来解决这个问题。

内存带宽大小在现代计算中非常重要，在数据中心等应用场景下尤为如此。在不久的将来，DDR5内存将提供比DDR4更大的改进，同时可以长期提高内存的理论最大性能。RCD在服务器级内存性能中起着至关重要的作用，使其成为DDR5发展过程中的一个重要里程碑。

为了更深入地了解最新RCD提供的具体益处，本文采访了Rambus数据中心产品工程副总裁John Eble，以了解这项技术对DDR5 DRAM系统设计的重要性。

我们需要一个更大的DIMM

随着人们对AI/ML和HPC应用兴趣的不断增加，数据中心现在比以往任何时候都更渴望高性能内存。用于计算机内存的DDR4标准正在接近其最大理论传输速度。因此，需要DDR5来实现内存的持续可扩展性。

考虑到CPU市场的趋势是指向更高数量的内核，而不是单纯提高时钟频率，因为后者会降低电源效率。特别是对于HPC应用而言，高性能RAM是确保最大计算效率的必要条件。

“随着核心数量的增加，整个芯片不仅需要更大的带宽，还需要更大的容量。因为每个核心所需的带宽和容量要么是平稳增长，要么是缓慢增长，而且核心数量也会增加。”

在服务器级应用中，需要在所有操作条件下保持一致的内存性能，这就是RCD可以提供明显优势的地方。RCD充当CPU和内存模块之间的中介，有助于确保在不同温度和计算负载下保持内存速度。

DDR5速度的持续创新

Rambus最新的RCD实际上是他们的第三代RCD芯片，比Gen1 DDR5设备性能提高了33%。除了6.4 GT/s的惊人内存速度外，RCD电压仅需1.1 V，有助于提高数据中心应用中的电源效率和热性能。更多信息可参阅DDR5 RCD 6400 MT/s产品简介。

6400 MT/s RCD可与Rambus的其他DDR5芯片(包括串行存在检测(SPD)集线器和温度传感器)一起使用，以实现“更智能”的内存。当讨论包含Rambus硬件的DDR5 DIMM时，Eble表示：“有了集线器和热传感器，底板管理控制器(BMC)或CPU可以读取温度，并根据温度做出改变风扇速度、节流或提高刷新率等决定。”

更好，更快，更有效的内存

纵观HPC的最新进展时，很容易被处理器的计算能力所吸引，而忽略了内存的影响。然而，内存性能会迅速削弱最强大处理器的速度，并最终使系统性能低于标准。正是出于这个原因，Eble相信DDR5内存将成为全球数据中心不可或缺的一部分。

用汽车工业来为例，内存和CPU的设计必须紧密结合在一起，Eble表示“最好提前几年进行规划”。

“这就像我们制造的部件是汽车发动机的核心部件一样，内存与CPU紧密耦合。如果制作PCIe卡、CXL卡或SSD，那么可以进行更多的独立工作，因为后面可以制作插件。但要让CPU真正发挥作用，它需要与内存紧密合作。”

通常情况下，内存模块的整体性能取决于各种因素，所以仅通过Rambus RCD并不能保证6.4 GT/s的性能。然而，Rambus的持续创新使DIMM制造商看到了能够稳步提高其产品性能的希望。

审核编辑 ：李倩