0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

基于硅纳米线场效应晶体管的ALT生物传感器检测平台

MEMS 来源:MEMS 2023-03-08 09:56 次阅读

频繁检测血清丙氨酸氨基转移酶(ALT)的活性对于预防药物性肝损伤(DILI)至关重要。目前,ALT活性测量的金标准是一种基于吸光度的检测方法,需要在临床实验室中建立一个大型的自动化平台。由于ALT检测限于中央实验室,肝衰竭的预后指标和随后的临床干预之间的延迟可能是不可避免的。除了后勤负担和费力的过程之外,由于大型仪器的外形尺寸、购置成本和操作人员的要求等因素,这些测试在资源有限的环境下更不切实际。

据麦姆斯咨询报道,近日,FemtoDx公司的研究人员证明了商业化代工制造的硅纳米线场效应晶体管(SiNW FET)生物传感器的能力,这种生物传感器的尺寸能够实现频繁的床旁检测。研究人员提出了一种ALT检测方法,通过将ALT催化产生的丙酮酸与铁氰化物的还原相结合,实现了ALT活性的分光光度法和电学法测量。这两种方法在足够宽的动态范围内具有相当的ALT活性检测能力,以监测具有DILI风险的患者。这项研究展示了使用非耦合SiNW FET测量内源酶的动力学活性,以及用于便携式生物传感器平台的SiNW FET传感器阵列的商业化制造。

考虑到产品开发和商业化,SiNW FET生物传感器是通过可扩展的晶圆级制造工艺进行设计和制造。数百个纳米线传感器芯片可同时制造。每个纳米线传感器芯片的关键元件包括漏极和源极端子、纳米线阵列和传感区域。研究人员对传感表面进行了修饰,以便于血清ALT活性的测量。这种传感器芯片尺寸为5.0 mm × 5.0 mm,小到足以安装在2.0 cm × 2.4 cm的PCB板上。

95794caa-bcd5-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

纳米线传感器和通过电流传感的ALT检测

通过改变局部离子浓度来调节SiNW FET的电导,以检测ALT酶的活性。在ALT测定中,ALT催化反应产生的丙酮酸与丙酮酸氧化酶偶联,将铁氰化物还原为亚铁氰化物。随着负电荷离子中电子数量的增加,SiNW FET附近的表面电荷变得更负,导致使用电子作为电荷载体的传感器的电导显著下降。

9590fefe-bcd5-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

SINW FET生物传感器通过铁氰化物与亚铁氰化物的氧化还原反应进行ALT检测

在微孔板读数仪和SiNW FET生物传感器阵列上,ALT的检测线高达8倍正常上限(ULN),旨在覆盖DILI风险患者所需的范围。测量结果可在600秒内获得,提供了快速可靠的ALT检测读数。最后,研究人员设计了一种不受检测开始时间影响的铁氰化物消耗率测定方法,这对于未来将生物传感平台集成到便携式快速诊断设备中至关重要。

95a424e8-bcd5-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

在7个平行传感器上同时检测ALT的结果是一致的

总而言之,研究人员开发了一种将ALT催化产生的丙酮酸与铁氰化物还原相结合的分析化学方法,可以在微孔板读数仪上进行分光光度监测,也可以在可商业化制造的SiNW FET生物传感器阵列上进行电学监测。研究人员已经在接近商业化的SiNW FET生物传感器平台上演示了血清ALT活性的多路复用电检测。同时在多个传感器上进行测量以及随后的数据处理将实现可靠的数据报告。

这项研究证明了非耦合SiNW FET生物传感器在动态测量未稀释人血清中内源性酶活性方面的应用。将所开发的SiNW FET生物传感器集成到便携式平台将为肝功能的常规监测提供机会,并可部署在患者附近的环境中。






审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 晶体管
    +关注

    关注

    77

    文章

    9629

    浏览量

    137813
  • Alt
    Alt
    +关注

    关注

    0

    文章

    9

    浏览量

    9322
  • 场效应晶体管

    关注

    6

    文章

    359

    浏览量

    19467
  • 生物传感器
    +关注

    关注

    12

    文章

    366

    浏览量

    37327

原文标题:基于硅纳米线场效应晶体管的ALT检测生物传感器平台

文章出处:【微信号:MEMSensor,微信公众号:MEMS】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    结型场效应晶体管和N沟道场效应晶体管有什么区别

    结型场效应晶体管(Junction Field-Effect Transistor,简称JFET)和N沟道场效应晶体管(N-Channel Field-Effect Transistor,简称N沟道
    的头像 发表于 10-07 17:28 254次阅读

    如何选择场效应晶体管

    在选择场效应晶体管(FET)时,需要考虑多个因素以确保所选器件能够满足特定的应用需求,同时保证电路的性能和可靠性。以下是一个详细的选择场效应晶体管的指南,包括关键步骤、考虑因素以及具体的应用建议。
    的头像 发表于 09-23 18:18 373次阅读

    铁电场效应晶体管的工作原理

    铁电场效应晶体管是一种基于铁电材料的新型晶体管技术,其工作原理涉及到铁电材料的极化反转特性及其对半导体通道电流的调控。
    的头像 发表于 09-13 14:14 761次阅读

    什么是结型场效应晶体管

    结型场效应晶体管(Junction Field-Effect Transistor,简称JFET)是一种基于场效应原理工作的三端有源器件,其特点在于通过改变外加电场来调制半导体沟道中的电流,从而实现
    的头像 发表于 08-15 16:41 509次阅读

    场效应晶体管和双极性晶体管有什么区别

    场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)和双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor,简称BJT,也称双极性结型晶体管)是两种常见的半导体
    的头像 发表于 08-13 17:42 1180次阅读

    场效应晶体管利用什么原理控制

    场效应晶体管(Field-Effect Transistor,简称FET)是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。它具有高输入阻抗、低噪声、快速响应等优点,在电子技术领域得到了广泛的应用。 一
    的头像 发表于 08-01 09:13 526次阅读

    瑞萨电子氮化镓场效应晶体管的优势

    氮化镓场效应晶体管是当今电力电子领域的明星,它正在提高功率转换效率、电机控制和功率密度,有效满足当前的市场需求和趋势。
    的头像 发表于 07-05 09:20 582次阅读
    瑞萨电子氮化镓<b class='flag-5'>场效应晶体管</b>的优势

    互补场效应晶体管点火和只用一个场效应晶体管点火与PWM的区别?

    我想了解互补场效应晶体管点火和只用一个场效应晶体管点火与 PWM 的区别?
    发表于 05-21 07:24

    场效应晶体管的类型及特点

    场效应晶体管是一种常用的半导体器件,用于控制电流的流动。
    的头像 发表于 02-22 18:16 1633次阅读

    场效应晶体管怎么代替继电器 晶体管输出和继电器输出的区别

    继电器通过通断线圈产生磁场来控制机械开关,实现对电路的控制。而场效应晶体管(MOS)是一种基于半导体材料工作的场效应晶体管,通过栅极施加正负偏压来控制漏极与源极之间的通断状态。
    的头像 发表于 02-18 10:16 4472次阅读
    <b class='flag-5'>场效应晶体管</b>怎么代替继电器 <b class='flag-5'>晶体管</b>输出和继电器输出的区别

    Qorvo发布碳化硅场效应晶体管产品

    Qorvo最近发布了一款新的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品,这款产品专为电动汽车(EV)而设计,符合车规标准。
    的头像 发表于 02-01 10:22 603次阅读

    【科普小贴士】什么是结型场效应晶体管(JFET)

    【科普小贴士】什么是结型场效应晶体管(JFET)
    的头像 发表于 12-13 14:36 1049次阅读
    【科普小贴士】什么是结型<b class='flag-5'>场效应晶体管</b>(JFET)

    【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

    【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
    的头像 发表于 12-13 14:22 701次阅读
    【科普小贴士】金属氧化物半导体<b class='flag-5'>场效应晶体管</b>(MOSFET)

    场效应晶体管栅极电流是多大

    场效应晶体管栅极电流是多大 场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)是一种基于电场控制的电子器件,常用于放大、开关和调制等电子电路中。在FET中,栅极电流是其关键特性
    的头像 发表于 12-08 10:27 1378次阅读

    选择场效应晶体管的六大诀窍

    选择场效应晶体管的六大诀窍
    的头像 发表于 12-05 15:51 469次阅读