双倍数据速率(DDR)同步动态随机存取存储器(SDRAM)最近越来越受欢迎。DDR 内存需要跟踪主内存电压 VDDQ 的主动端接 VTT。本应用笔记提供开关稳压器方案,利用MAX1957脉宽调制(PWM)降压控制器为VTT端接提供1/2跟踪输出。
双倍数据速率 (DDR) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM) 越来越受欢迎,因为在相同时钟速度下,与 SDRAM 相比,它可以提供双倍的数据速率并降低功耗。这些优势带来了更复杂的端接电压要求。
DDR 端接电源 VTT 现在必须能够提供和吸收电流。VTT 必须跟踪 1/2VDDQ,即输出电源电压(目前 VDDQ 为 2.5V,精度为 ±3%)。输入接收器现在是一个差分级,需要一个基准偏置VTTR,它必须跟踪终端电压VTT到±40mV以内(参考JDEC标准JDSD79和JDSD8-9)。
图1是一个典型的输出缓冲器和输入接收器级,在DDR_SDRAM单端接系统中具有2.5V (SSTL-2)的串联短截线端接逻辑。对于双端接,用于长总线,总线两端各有两个RT端接。
图1.单端接 SSTL-2 DDR_SDRAM系统。
图2中的MAX1957电路提供VTT和VTTR用于DDR_SDRAM。MAX1957具有基准输入(REFIN),连接到内部误差放大器的同相输入,将输出VTT调节至与REFIN相同的电压。为了使VTT和VTTR跟踪1/2VDDQ,REFIN由VDDQ的电阻分压器(R1和R2)开发。电容C6为去耦滤波器。MAX1957工作在恒定频率PWM,使得VTT能够根据DDR-SDRAM的要求提供和吸收电流。图 2 中使用的组件提供超过 3 安培的拉电流和灌电流能力,这是 128Mb 内存系统的最大要求。
图2.MAX1957典型应用电路,用于VTT和VTTR。
表 1.MAX1957典型应用电路的元件列表
元件 | 数量 | 描述 |
C1 | 1 |
电容 10μF/6.3V X5R 陶瓷。 太阳汤殿:JMK212BJ106MG |
C2 | 1 |
电容 4.7μF/6.3V X5R 陶瓷。 太阳汤殿:JMK212BJ475MG |
C3 | 3 | 电容 22μF/6.3V |
C4,C5 | 2 |
电容 0.1μF/50V X7R 陶瓷。 太阳汤殿 UMK107BJ104KA |
C6 | 1 |
电容 1500pF/50V X7R 陶瓷。 村田制作所GRM89X7R152K50 |
C7, C8, C9 | 3 |
电容 270μF/2V SP 电容器。 松下EEFUE0D271R |
C10 | 1 |
瓶盖 470pF/50V X7R 陶瓷。 村田制作所: GRM89X7R471K50 |
C11 | 1 |
电容 68pF/50V X7R 陶瓷。 村田制作所: GRM39COG680J50 |
D1 | 1 |
二极管, 肖特基, 30V, 100mA, SOT-23. 中央:CMPSH-3 |
集成电路 | 1 | IC,同步降压控制器:MAX1957 |
L1 | 1 |
电感器, 2.7μH, 6.6A. 线艺: DO3316P-272HC |
R1、R2 | 2 | 电阻, 0805, 1K, 1% |
R3 | 1 | 电阻 51K, 0805, 5% |
R4 | 1 | 电阻 10K, 0805, 5% |
Q1/2 | 1 |
晶体管, 双通道 MOSFET 仙童 FDS6890A 20V, 0.018Ω |
图 3 显示了在 VTT 上承受 -3A 至 +3A 阶跃负载时的 VTT 和 VTTR。VTT的峰值电压偏差小于±40mV。
图3.顶部迹线:电压VTT(交流耦合)。底部迹线:电流ITT步进从-3A到+3A和从+3A到-3A。
图 4 显示了 VDDQ,随着 VDDQ 的上升和下降,VTT 跟踪到 VDDQ 的一半,显示 VTT 的变化是 VDDQ 变化的一半。
图4.顶部迹线:电压VTT(交流耦合)。底部迹线:2.5V VDDQ(交流耦合)。
已经表明,MAX1957可用作同步降压转换器的控制器,以提供终止电压V电传用于DDR_SDRAM系统。对于要求更高电流的应用,MAX1957的驱动电路能够驱动较大的外部功率MOSFET,输出电流高达20A。
审核编辑:郭婷
-
控制器
+关注
关注
112文章
16336浏览量
177826 -
存储器
+关注
关注
38文章
7484浏览量
163769 -
DDR
+关注
关注
11文章
712浏览量
65318
发布评论请先 登录
相关推荐
评论