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反激变换器MOS管关断时DS波形分析

CHANBAEK 来源:头条号电源小菜鸡 作者:头条号电源小菜鸡 2023-03-16 11:13 次阅读

先讲连续时或临界时MOS管DS波形,在讲断续模式下mos管Ds波形。

1,CCM模式或者CRM模式下MOS管DS波形

poYBAGQSiWOAX0hfAAUdPomrMbg372.jpg

如图是CCM或者是CRM模式下DS波形,铅笔为电感lp的电流波形

在开关管关断时,漏感Llk储存的能量没有办法对副边释放,关断的瞬间开始对开关管的DS电容进行充电,从上述t0时刻开始,当mos管DS电压达到输入电压Vin时刻,即t1时刻,等效电路如下所示

pYYBAGQSiWSAUBo-AAWEdMApoPQ580.jpg

上图是to-t1时刻的等效电路

开关管完全截止,此时副边的二极管开始开通,主电感能量开始向副边释放能量,而变压器的漏感能量会继续给开关管的DS容及寄生容冲电,当电压达到Uin+Ucmin时,吸收二极管开始导通(这个点图中忘做标记了,这个点电压是比Uin+Uclamp稍低一点),吸收二极管导通后,会对电容c继续充电,直到达到最大电平Uin+Uclamp。在t2之前会有一个1/4的震荡过程,这个过程是漏感Llk和电容c进行谐振产生的。这个过程等效电路如下图所示

poYBAGQSiWeANTVfAAZ3OLpVYDs898.jpg

图示是t1-t2等效电路图

当电压达到最大点的时候,此时漏感储存的能量基本已经释放完毕,不再向吸收电容上充电,所以mos管DS两端的电压也开始往下掉,此时漏感会和mos管DS容及寄生容发生高频震荡,由于mos管DS两端端容要远小于吸收电路的电容c,所以漏感和mos管DS容产生的振荡频率是比较高的,此时电容C上的能量也开始通过R进行释放,直到电平到达稳定Uin+Uor时结束,及t3,t3后面都是主感量Lm向副边释放能量的过程,直到下一个开关管开通信号来临。

2,DCM模式下MOS管DS波形

poYBAGQSiWqAEpL0AAXpqPik0Dc426.jpg

DCM模式下MOS管关断时DS两端波形,铅笔为Lp电流波形

断续模式下前面一直到t4过程都是一样的,只是多了一个t4-t5阶段

下面介绍一下t4-t5阶段,在t4阶段结束时,是Lp能量释放完毕的过程,在Lm能量释放完毕过后,开关管仍然是关闭的,此时Lp,Llk和Mos管DS电容发生振荡的过程,振荡波形的中心点电压为Uin。

上面就是反激变换器MOS管DS波形典型波形分析,上面是个人理解,有问题请留言指正。

后面讲RCD吸收电路的参数影响及如何选择。

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