本文对T型三电平逆变器的工作原理及simulink仿真建模方法进行介绍。
01T型三电平拓扑的开关状态
图1为T字型-三电平电路单相拓扑,拓扑中共有4个IGBT,4个二极管,还有电容组C1和C2; 假设正负母线电压均等,都是Vdc。 将T1,T2,T3,T4的状态用1和0分别表示,1表示开通,0表示关断。
图1 T型三电平逆变器拓扑结构
将T1、T2、T3、T4状态组成的二级制数用16进制表示开关状态,如T1、T2、T3、T4分别为1、1、0、0,则将该开关状态的二进制数1100用十六进制数表示为C。
稳定模态有3种:C,6,3; 即当T1、T2、T3、T4分别为1、1、0、0时,输出电压为Vdc; 即当T1、T2、T3、T4分别为0、1、1、0时,输出电压为0; 即当T1、T2、T3、T4分别为0、0、1、1时,输出电压为-Vdc。
考虑死区后,还存在另外两种状态,分别为4,2。 则T型三电平逆变器输出电压由Vdc → 0 → - Vdc → 0→Vdc的切换过程中,T型三电平具有如下图的切换状态,其中死区状态的切换用黄色部分表示,稳态状态用蓝色表示。
图2 T字型-三电平电路状态表
图3 T型三电平状态循环和电流流向
在该拓扑中,IGBT的所有开关状态的切换是循环的过程。
02T型三电平逆变器的换流过程
2.1. 开关状态为C时(T1、T2、T3、T4分别为1、1、0、0),开关状态,IGBT的C-E电压与输出电压的关系及电流路径如下图所示:
2.2. 开关状态由C(1100)到开关状态4(0100)的过程中,IGBT的C-E电压与输出电压的关系及电流路径如下图所示:
2.3. 开关状态由4(0100)到开关状态6(0110)的过程中,IGBT的C-E电压与输出电压的关系及电流路径如下图所示:
2.4. 开关状态由6(0110)到开关状态2(0010)的过程中,IGBT的C-E电压与输出电压的关系及电流路径如下图所示:
2.5. 开关状态由2(0010)到开关状态3(0011)的过程中,IGBT的C-E电压与输出电压的关系及电流路径如下图所示:
2.6. 开关状态由3(0011)到开关状态2(0010)的过程中,IGBT的C-E电压与输出电压的关系及电流路径如下图所示:
2.7. 开关状态由2(0010)到开关状态6(0110)的过程中,IGBT的C-E电压与输出电压的关系及电流路径如下图所示:
2.8. 开关状态由6(0110)到开关状态4(0100)的过程中,IGBT的C-E电压与输出电压的关系及电流路径如下图所示:
2.9. 开关状态由4(0100)到开关状态C(1100)的过程中,IGBT的C-E电压与输出电压的关系及电流路径如下图所示:
小结:经过以上对三电平拓扑中每个切换过程的分析,可以得出如下结论:IGBT部分:1)电流朝外流时:T1(C-->4),T2(6-->2)在关断时会有电压尖峰。 2)电流朝内流时:T3(6-->4),T4(3-->2)在关断时会有电压尖峰。 3)T1~T4在关断时产生的电压尖峰,都是基于半个母线电压Vdc。 但是由于T1管和T4管的阻断电压高,所以T1管和T4管的关断电压应力风险相对较低; 而T2管和T3管是低压管,所以T2管和T3管的关断电压应力相对较大,这点需要特别注意。
二极管部分:1)电流朝外流时:D3,D4有续流。 D3(4-->C),D4(2-->6)反向恢复。 2)电流朝内流时:D1,D2有续流。 D1(4-->6),D2(2-->3)反向恢复。 3)高阻断电压D1管和D4管在反向恢复时,是基于半个母线电压Vdc,所以产生的峰值功率也相对较小; 但是D2管和D3管由于阻断电压较低,在基于半个母线电压Vdc反向恢复时,产生的峰值功率会相对较大,这点需要特别注意。
03T型三电平拓扑的Simulink仿真
作者在Matlab2014/Simulink上搭建两T型三电平的仿真模型,如下图所示:
图4 T型三电平仿真结构图
该simulink模型采用模块封装的方式,主要包含电路部分,控制部分以及波形显示三个部分。 采用闭环控制,对输出电压的平均值进行闭环,逆变器直流侧电压为750V,输出电压平均值为380V。 其T型三电平的电路结构如下图所示:
图5 T型三电平逆变器电路拓扑
其中控制器如下图所示,采用模块封装结构,分为输出电压平均值计算模块,PI模块,输出电压指令模块和调制模块。 均采用函数编写。
图6 T型三电平逆变器控制器
下图为T型三电平逆变器的调制模块,采用三次谐波注入的SPWM方式等效三电平SVPWM的调制。
图7 T型三电平逆变器调制示意图
下图为T型三电平逆变器simulink模型的仿真结果,分别为滤波器逆变器滤波前线电压波形,滤波后线电压波形和输出电流波形。
图8 T型三电平逆变器输出电流电压仿真波形
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