去年夏天因为错峰用电这项规定把很多人都折磨的头疼脑热的,甚至还衍生出许多网络段子盛行一时。造成这问题的主要原因是过去几年我国的新能源消费快速增长,全社会用电量比起以往增长了百分之十六之多,而且工业用电的贡献率明显超过了过往的水平,因为保证和促进经济社会系统效率最大化,才因此推出错峰用电的规定。
对于家庭单位来说,一旦停电是一件非常不方便的事情。现在生活太依赖电子产品,停电的话所有电子产品都要罢工,尤其是在天气炎热的夏天,没有空调和风扇在室内很难待得住。所以很多人为了应对停电的这个问题,就会在家里备一个应急电源防止紧急用电时可以有备用方案。
应急电源方案芯片采用的是32位MCU CS32F031与CS32F103,作为应急电源的主控MCU芯片,可满足于应急电源对于高温宽、高耐潮的应用环境以及对PWM、ADC等高可靠性的功能要求。
CS32F031采用Arm® Cortex®-M0内核,主频高达48MHz,内置1个功能丰富的高级定时器、1个10通道1Msps采样率的高精度ADC、6个16-bit定时器(支持霍尔捕获)。CS32F031采用5V供电,抗干扰能力强,对于应急电源方案的开发也可以减少阻力更顺畅些。
CS32F103采用ARM-Cortex M3内核,主频高达72MHz, 支持单周期乘法和多周期硬件除法运算, 内置1个功能丰富的高级定时器、2个共计16通道1Msps采样率的高精度ADC、3个16-bit定时器(支持霍尔捕获),支持7通道DMA传输,提供LQFP48/64/100等主流封装形态。
应急电源方案芯片CS32F031其功能参数大约如下:
存储器
— 32~64KBytes的Flash存储器,支持硬件校验
— 192Bytes数据Flash存储器
— 4~8KBytes的SRAM,带硬件奇偶校验
CRC32发生/校验器
5通道DMA,支持的外设: SPIx, I2Sx, I2Cx, USARTx, TIMx, ADC
最多39个I/O,支持最高48MHz工作频率,所有I/O映射外部中断向量
支持从内部Flash、内部SRAM和系统存储器启动
— 低功耗模式: 睡眠,深度睡眠1,深度睡眠2和待机模式
— 独立VBAT为RTC和备用寄存器供电
— 支持上电/掉电复位 (POR/PDR)
— 支持低电压检测 (LVD)
96位UNID
串行单线调试(SWD)
工作环境
— VDD/VDDA电压: 2.0 to 5.5V
— VBAT电压: 2.0 to 5.5V
— 温度范围: -40 to 105℃
时钟和定时器
时钟模块
— 内部8MHz RC振荡器(HRC), 精度±1%
— 内部14MHz RC振荡器(HRC14), 精度±1%
— 内部40KHz RC振荡器(LRC)
— 4~32MHz 晶体振荡器(HXT)
— 32.768KHz 低速晶体振荡器(LXT)
— 锁相环(PLL), 最高支持 48MHz
定时器(TIM)
— 1路16位高级控制定时器(TIM1),有6个带死区控制的PWM输出通道
— 1路32位通用定时器
— 多达5路16位通用定时器
— 1路16位基础定时器
— 1路独立看门狗定时器(FWDT)和1路窗看门狗定时器(WWDT)
— 1个24位系统时间定时器(SysTick)
具备日历功能的RTC
— 支持报警和周期性地从深度睡眠1/深度睡眠2/待机模式下唤醒
— VDD关闭时保存20 bytes的用户数据
通讯接口
最多2个SPI接口(18Mbps),支持4到16位可配置的帧格式,其中SPI1可复用作I2S接口
最多2个USART接口(6Mbps),支持从深度睡眠1/深度睡眠2模式唤醒
最多2个主/从I2C接口(1M bit/s),支持时钟延展和多个从地址,其中I2C1支持从深度睡眠1/深度睡眠2模式唤醒
信号链IO
1路12位ADC,1us转换时间,最多10 个外部输入通道,INL低至1.2LSB
— 工作电压范围: 2.4 to 5.5V
— 输入电压转换范围: 0~5.5V
内置1.22V参考电压,60ppm低温漂
内置温度传感器,精度±2℃
VBAT内部监测,精度1%
封装
QFN28L
审核编辑黄宇
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