静电是如何损害电子元器件的

静电是如何产生的

任何两个不同材质的物体接触后再分离，即可产生静电，而产生静电的普遍方法，就是摩擦生电。材料的绝缘性越好，越容易产生静电。因为空气也是由原子组合而成，所以可以这么说，在人们生活的任何时间、任何地点都有可能产生静电。要完全消除静电几乎不可能，但可以采取一些措施控制静电使其不产生危害。

静电是如何损伤电子元器件的

人体有感的静电放电，其电压一般约在3000伏以上，而对电子产品来说，具有很大的危害性，静电产生后会在周围形成静电场，会产生力学效应，放电效应及静电电感效应等几种效应，人身体携带静电也会对其它物体放电。在这几种效应中，静电的放电效应造成的危害，最为严重，此种放电导致元器件的击穿破坏，或对系统造成破坏，无法正常运行一般简称为ESD损害。

静电放电现象原理

静电放电：就是不同的静电电势（电压）的两个物体间发生电荷转移。即电荷在移动的过程中产生了电流。 静电放电方式：与静电体的形状、静电电压、静电体的材质有关，主要可分为三种放电方式。

人体放电:是发生在带电体尖端或曲率半径很小处附近的局部放电。电晕放电可能伴有轻微的嘶嘶声和微弱的淡紫色光。电晕放电一般没有引燃危险（人体放电）。

火花放电:是带电体之间发生的通道单一的放电。火花放电有明亮的闪光和有短促的爆裂声。其引燃危险性很大。

打雷:是悬浮在空间的大范围、高密度带电粒子形成的闪电状放电。其引燃危险性很大。

静电敏感器件与静电等级划分

静电敏感器件：生产中，人们常把对静电反应敏感的电子器件称为静电敏感器件(static，sensitive device简称ssd)，这类电子器件主要是指超大规模集成电路，特别是金属氧化膜半导体(mos)器件。

静电等级常规分级：静电敏感度介于0～1990v的元器件为1级；介于2000～3999v的元器件为2级；介于4000～15999v的为3级；静电敏感度为16000v或16000v以上的元器件、组件和设备被认为是非静电敏感产品。

静电对静电敏感器件危害的特点

隐蔽性：静电对器件的损伤是很难发现的，在应用电路的测试中，几乎无法发现，只能通过实际使用、环境试验、老化试验等才能发现。

潜伏性：如果是完全击穿，在应用端测试中就可以筛选出，如果是软击穿（例：器件间的电阻为1M，元件受损后电阻降到600K）元件的寿命缩短且无法预期失效的时间。

随机性：无论静电，可能出现在某一个时间段、某些月份、个别操作人员的不规范，因此再现性非常难，分析模拟发生的场景几乎不可能。

复杂性：静电敏感器件的损伤可能是单一损伤、也可能是多次损伤，从产品芯片制造到元件封测再到PCB制造和组装，凡是与产品接触的过程均可能产生。

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