前言:讲解说明,因为本人公司对24V降压5V有两个方案,其主要原因降成本需求
先看设计的原理图
LDO降压
dc/dc降压
首先对于两者电压的输入端和输出端测量电压是否平稳,如果波动那就没什么意义了。如下图示波器测量所得:
空载下dc/dc
空载下LDO
负载下dc/dc
负载下LDO
可见输入输出都很稳定,且空载和负载条件下也很平稳。
LDO的降压原理
内部逻辑图
LDO内部主要是基准参考电压、误差放大器、分压取样电路和MOS管调整电路。
首先分压取样电路三个电阻分压对输出电压进行采集,误差放大电路将采集的电压输入到误差放大器的反向输入端,与正向输入端的基准电压(也就是期望输出的电压)进行比较,再将比较结果进行放大。MOS管调整电路把这个放大后的信号输出到MOS管的栅极,从而这个放大后的信号(电流)就可以控制MOS管的导通电压了,这就是一个负反馈调节回路。 MOS管输出电压就是输入电压减去导通电压,因此控制了导通电压就相当于控制了LDO的输出电压了。当输出电压与基准电压相差较大的时候,比较器输出信号变强,从而MOS管压降变小,输出电压变小,从而基准电压与输出电压变得更加接近。从LDO工作原理我们可以得知,LDO只能降压。
LDO的特点
1.LDO在使用的时候,非常方便,除了输入、输出端加上滤波电容,不需要其他外围器件,而一般的DCDC模块在使用时要电感、电容、二极管等外围器件组合,且布局也需要特别讲究,否则使用效果不尽人意。LDO芯片一般都比较便宜,且不需要很多外围器件,非常适合低成本方案。
2.使用LDO时,需注意输入电压与输出电压差不能太大,否则效率会非常低。LDO效率η=(Vin-Vout)/Vin,比如输入电压Vin为24V,输出电压Vout3.3V,计算得出效率η=13.75%,效率很低。所以使用LDO时,尽量控制输入输出电压差。
插入:
LDO输出端电流
LDO效率η=Vout/Vin,输入电压Vin为24V,输出电压Vout为5V,计算得 出效率η=20.83%
3.因为其原理为线性调节方式,所以不会产生开关噪声,同时电路纹波也很小,LDO重要参数之一也是巨大优点之一便是纹波小,即PSRR好,PSRR是电源抑制比,是LDO对输入电源纹波的抑制程度,PSRR的绝对值绝越大越好。看PSRR曲线有个转折点,左边为LDO自身起主导作用,右边为输出电容起主导作用自,PSRR性能好的LDO左边的曲线会更高,加大输出电容,右边的曲线会升高。。
LDO选型需考虑的重要参数
1.压降Dropout Voltage
我们在选型LDO时,除了考虑输入输出电压的范围,还要考虑LDO本身存在压降,这个是由LDO本身结构(MOS管存在导通电阻)导致,这个参数我们很多设计人员都会忽略,最后就会导致电路工作不正常。比如我们常用的AMS1117-3.3,这个LDO最高可以输入15V,输出3.3V,假设我们的输入电压为4.2V,乍一看输入电压在手册规定范围内,同时也高于输出,应该是可以使用的。但是实际使用时,却发现输出电压没有3.3V,大概在2.7V-2.9V左右,这就是设计时忽略的LDO本身存在的压降。
AMS1117的压降一般1.1V,最大1.3V,因为压降还和电流、温度有关系,所以推荐输入电压-输出电压≥1.5V,才可以保证电路稳定。
2.最大耗散功率Power Dissipation
LDO的耗散功率P=(Vin-Vout)*Iout,假设输入电压Vin24V,输出电压Vout3.3V,输出电流Iout30mA,那LDO的耗散功率P=0.651W,这个功耗全部是通过热量损耗了,所以不推荐LDO用于输入输出压差过大,大输出电流的场景。
如果实在需要使用的话,我们就要考虑LDO芯片能承受多大的功耗了,我们以78M05为例,下图为其不同封装的最大耗散功率,这个最大耗散功率就是这个芯片能承受最大的热功耗,超过就会烧坏。
根据计算我产品上LDO的最大耗散功率0.72W,在规格书内,可以采用。
插入:LDO的耗散功率P=(Vin-Vout)*Iout,假设输入电压Vin24V,输出电压Vout5V,输出电流Iout为38.16mA,那LDO的耗散功率P=0.72W
总结,对于我产品来说,主要为了降成本,LDO符合采用标准。另一方面。输入和输出差值太大,从功耗和效率上来讲不易采纳;差值也不能太小,也要考虑到压降,这样可以更好地利用LDO。DCDC的降压大家应该都很好理解,主要是利用斩波,不多介绍。
Thanks!
审核编辑黄宇
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