适合高级汽车市场ADAS应用的非易失性存储器MB85RS2MLY介绍

随着万物智联时代的到来，智能汽车等新兴应用场景对存储提出了更高的性能要求。加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体存储器解决方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY，其工作温度高达125°C，具有 1.7V 至 1.95V 的低电源电压范围和串行外设接口（SPI）。

这款FeRAM产品是先进汽车市场中需要低功耗操作电子元件（如ADAS）的电子控制单元的理想选择。

MB85RS2MLY 8 针 DFN

应用示例（ADAS）

8引脚DFN和8引脚SOP封装

FeRAM是一种非易失性存储器产品，与EEPROM和闪存相比，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。FeRAM 已被对传统非易失性存储器的规格不满意的客户所采用。

自2017年以来，富士通一直提供64Kbit至2Mbit汽车级FeRAM产品，这些产品在3.3V或5V电源下工作温度高达125°C。

然而，一些客户要求FeRAM可以在低于1.8V的电压下工作，如1.7V，特别是对于需要低功耗电子元件的高级汽车电子控制单元。我们很高兴的告诉大家，2Mbit FeRAM产品MB85RS2MLY就可满足这一要求。

MB85RS2MLY 在 -40°C 至 +125°C 的温度范围内保证 10 万亿次读/写循环次数。此特性对于某些需要实时数据记录的应用程序是最佳的。例如，如果连续 10 年每天每 0.1 秒记录一次数据，则写入次数超过 30 亿次。

此外，该产品的可靠性测试符合AEC-Q100 1级，这是称为“汽车级”的产品的资格要求。因此，从数据写入耐久性和可靠性的角度来看，MB85RS2MLY保证可用于需要实时数据记录的ADAS等应用。

MB85RS2MLY采用行业标准的 8 引脚 SOP 封装，可以轻松替换具有类似封装的现有 EEPROM。此外，还提供尺寸为 5.0 x 6.0 x 0.9mm 的 8 引脚 DFN（双扁平无引线）封装。

富士通半导体存储器解决方案有限公司将继续提供存储器产品和解决方案，以满足市场和客户的未来需求和要求。

MB85RS2MLY的主要规格

部件号	MB85RS2MLY
密度（配置）	2 兆字节 （256K x 8 位）
接口	SPI（串行外设接口）
工作频率	最大 50MHz
工作电压	1.7V 至 1.95V
工作温度范围	-40°C 至 +125°C
读/写耐久性	10万亿次（1013倍）
包装	8 引脚 SOP，8 引脚 DFN
资质标准	符合 AEC-Q100 1 级标准

审核编辑：刘清