0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

NETSOL串行MRAM产品介绍

潘霞 来源:samsun2016 作者:samsun2016 2023-04-07 17:02 次阅读

NETSOL串行MRAM产品非常适合需要快速频繁地存储和检索数据和程序的应用程序,因为STT-MRAM具有非易失性、几乎无限的耐久性和快速写入特性。

STT-MRAM它具有SPl总线接口、XIP(就地执行)功能和基于硬件/软件的数据保护机制。SPl(串行外围接口)是一个带有命令、地址和数据信号的同步串行通信接口

它比并行接口需要更少的引脚数,并且易于在系统上配置。该产品的密度范围从1Mbit到16Mbit。该设备可以取代闪存、FRAM或(nv)SRAM,具有相同的功能和非易失性。

SPIMRAM提供各种SPl模式,以允许带宽扩展选项。SPI模式具有用于命令信号的单个(1)引脚。用户可以在1个引脚、2个引脚或4个引脚中选择分配给地址和数据信号的引脚数。DSPI模式为命令、地址和数据信号提供双(2)引脚。QSPI模式为指令、地址和信号提供四(4)引脚。

NETSOLMRAM具有非易失性寄存器位-状态寄存器、配置寄存器、序列号寄存器、扩充256字节和用于扩充字节的保护寄存器。这些寄存器位需要在高温回流焊工艺后通电至少一次。采用小尺寸的8-WSON和8-SOIC封装。工作温度范围(0℃至70℃)和工业(-40℃至85℃)。官方代理英尚微电子支持提供样品测试。

Single/Dual/Quad IO SPI MRAM选型表

Density Part Number Interfaces VDD(V) Frequency(MHz) SDR/DDR Temperature Package
1Mbit S3A1004V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
1Mbit S3A1004R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
2Mbit S3A2004V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
2Mbit S3A2004R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
4Mbit S3A4004V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
4Mbit S3A4004R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
8Mbit S3A8004V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
8Mbit S3A8004R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
16Mbit S3A1604V0M Single/Dual/Quad SPI 2.70~3.60 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP
16Mbit S3A1604R0M Single/Dual/Quad SPI 1.71~1.98 108Mhz/54MHz -40℃ to 85℃ 8WSON, 8SOP


审核编辑:汤梓红
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 寄存器
    +关注

    关注

    31

    文章

    5334

    浏览量

    120208
  • 存储器
    +关注

    关注

    38

    文章

    7481

    浏览量

    163751
  • SPI
    SPI
    +关注

    关注

    17

    文章

    1706

    浏览量

    91479
  • MRAM
    +关注

    关注

    1

    文章

    236

    浏览量

    31716
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    探索存内计算—基于 SRAM 的存内计算与基于 MRAM 的存算一体的探究

    本文深入探讨了基于SRAM和MRAM的存算一体技术在计算领域的应用和发展。首先,介绍了基于SRAM的存内逻辑计算技术,包括其原理、优势以及在神经网络领域的应用。其次,详细讨论了基于MRAM的存算一体
    的头像 发表于 05-16 16:10 2747次阅读
    探索存内计算—基于 SRAM 的存内计算与基于 <b class='flag-5'>MRAM</b> 的存算一体的探究

    Microchip推出容量更大、速度更快的串行SRAM产品线

    为满足客户对更大更快的SRAM的普遍需求,MicrochipTechnology(微芯科技公司)扩展了旗下串行SRAM产品线,容量最高可达4Mb,并将串行外设接口/串行四通道输入/输出
    的头像 发表于 04-12 08:23 394次阅读
    Microchip推出容量更大、速度更快的<b class='flag-5'>串行</b>SRAM<b class='flag-5'>产品</b>线

    Microchip推出容量更大、速度更快的串行 SRAM产品线

    Technology(微芯科技公司)扩展了旗下 串行 SRAM 产品线,容量最高可达4 Mb,并将串行外设接口/串行四通道输入/输出接口(SPI/SQI™)的速度提高到143 MHz
    发表于 04-03 15:24 1188次阅读

    Microchip Technology扩展了旗下串行SRAM产品线,容量最高可达4Mb

    为满足客户对更大更快的 SRAM 的普遍需求,Microchip Technology(微芯科技公司)扩展了旗下串行SRAM产品线,容量最高可达4 Mb,并将串行外设接口/串行四通道输
    的头像 发表于 03-29 17:18 727次阅读

    MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固态硬盘(SSD)可延长寿命

    MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固态硬盘(SSD)可延长寿命
    的头像 发表于 03-18 10:24 478次阅读
    <b class='flag-5'>MRAM</b> HS4MANSQ1A-DS1用于固态硬盘(SSD)可延长寿命

    MRAM HS4MANSQ1A-DS1在汽车电子中的应用

    MRAM芯片,支持SPI/QPI(串行单线/四线接口),该芯片可配置为1位I/O 独立接口或4位I/O通用接口。HS4MANSQ1A-DS1在存储器阵列中采用磁技术,在汽车电子中应用满足耐久性需求,数据
    的头像 发表于 02-28 09:56 467次阅读
    <b class='flag-5'>MRAM</b> HS4MANSQ1A-DS1在汽车电子中的应用

    瑞萨电子宣布已开发具有快速读写操作的测试芯片MRAM

    瑞萨电子公司日前宣布,该公司已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的电路技术,以下简称MRAM)具有快速读写操作的测试芯片。
    的头像 发表于 02-25 10:53 864次阅读

    8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器74LVC595A产品数据表

    电子发烧友网站提供《8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器74LVC595A产品数据表.pdf》资料免费下载
    发表于 02-25 09:22 0次下载
    8位<b class='flag-5'>串行</b>输入/<b class='flag-5'>串行</b>输出或并行输出移位寄存器74LVC595A<b class='flag-5'>产品</b>数据表

    MRAM特性优势和存储原理

    MRAM是以磁性隧道结(MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
    的头像 发表于 02-19 11:32 1410次阅读
    <b class='flag-5'>MRAM</b>特性优势和存储原理

    台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片

    据报道,全球领先的半导体制造公司台积电在次世代MRAM存储器相关技术方面取得了重大进展。该公司成功开发出自旋轨道转矩磁性存储器(SOT-MRAM)阵列芯片,并搭配创新的运算架构,使其功耗仅为其他类似技术的1%。
    的头像 发表于 01-19 14:35 7276次阅读

    杀手锏!台积电开发SOT-MRAM阵列芯片

    台积电在MRAM技术方面已经取得了显著进展,成功研发了22纳米、16/12纳米工艺的MRAM产品线,并积累了大量内存和车用市场订单。
    的头像 发表于 01-18 16:44 5472次阅读

    台积电和ITRI成功研发SOT-MRAM,功耗仅为STT-MRAM的百分之一

    鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫,如磁阻式随机存取内存(MRAM)这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。
    的头像 发表于 01-18 14:44 1472次阅读

    MRAM(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)有何区别

    MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1晶体管–1磁性隧道结(1T-1MTJ)体系结构作为数据存储元素。
    发表于 01-09 14:24 1203次阅读
    <b class='flag-5'>MRAM</b>(磁性只读存储器)和FRAM(铁电RAM)有何区别

    深入探索MRAM的原理与技术

    MRAM是以磁性隧道结(MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。
    发表于 01-09 11:15 1182次阅读
    深入探索<b class='flag-5'>MRAM</b>的原理与技术

    创纪录的SOT-MRAM有望成为替代SRAM的候选者

    最近,Imec公布的超大规模自旋轨道转移MRAM (SOT-MRAM) 器件已实现创纪录的性能,每比特开关能量低于100飞焦耳,耐用性超过10的15次方。
    的头像 发表于 01-05 11:47 1236次阅读
    创纪录的SOT-<b class='flag-5'>MRAM</b>有望成为替代SRAM的候选者