0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于APEX Microtechnology的工业设备功率模块系列

APEX微技术 来源:APEX微技术 2023-04-10 09:34 次阅读

News

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商APEX Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”(非常适用于高耐压三相直流电机驱动)和半桥模块“SA110”“SA111”(非常适用于众多高电压应用)两种产品。

a808577e-d73a-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。另外,APEXMicrotechnology的功率模块系列还采用了ROHM的栅极驱动IC“BM60212FV-C”裸芯片,这使得高耐压电机和电源的工作效率更高。此外,根据APEX Microtechnology委托外部机构进行的一项调查,与分立元器件组成的结构相比,使用裸芯片构建这些关键部件可减少67%的安装面积。

APEX Microtechnology总裁GregBrennan表示:

APEX Microtechnology主要以大功率、高精度模拟、混合信号*解决方案为业务组合,我们的模块还适用于医疗设备、航空航天和人造卫星等要求苛刻的应用。由于要为各种应用产品提供电力,所以我们的目标是设计出符合严格标准的产品,并与具有高技术标准和高品质要求的供应商合作。在这过程中,ROHM作为APEX Microtechnology的SiC功率元器件供应商脱颖而出。ROHM的服务和技术支持都非常出色,使得我们能够如期将产品交付给最终用户。未来,APEX Microtechnology将会继续开发模拟和混合信号创新型解决方案,助力解决各种社会课题。另外,我们也很期待与ROHM展开更深入的合作。

ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC总裁JayBarrus表示:

APEX Microtechnology是一家为工业、测试和测量等众多应用领域提供大功率模拟模块的制造商,很高兴能与APEX Microtechnology开展合作。ROHM作为SiC功率元器件的先进企业,能够提供与栅极驱动器IC相结合的功率系统解决方案,并且已经在该领域取得了巨大的技术领先优势。我们将与APEX Microtechnology协力,通过更大程度地发挥ROHM在功率电子技术和模拟技术方面的潜力,为提高大功率应用的效率做出贡献。

据悉,电源和电机占全世界用电量的一大半,为实现无碳社会,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,SiC和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。ROHM和APEX Microtechnology在功率电子和模拟技术领域都拥有强大的优势,双方保持着技术交流并建立了合作关系。今后,通过将ROHM的SiC功率元器件和控制技术与APEXMicrotechnology的模块技术完美结合,双方将能够提供满足市场需求的出色的功率系统解决方案,从而持续为工业设备的效率提升做出贡献。

审核编辑 :李倩

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 模块
    +关注

    关注

    7

    文章

    2740

    浏览量

    47828
  • 半导体
    +关注

    关注

    335

    文章

    27826

    浏览量

    223849
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    30

    文章

    2915

    浏览量

    63064

原文标题:ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于APEX Microtechnology的工业设备功率模块系列

文章出处:【微信号:APEX微技术,微信公众号:APEX微技术】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    沟槽型SiC MOSFET的结构和应用

    MOSFET(U-MOSFET)作为新一代功率器件,近年来备受关注。本文将详细解析沟槽型SiC MOSFET的结构、特性、制造工艺、应用及
    的头像 发表于 02-02 13:49 186次阅读

    SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中压大功率转换领域

    近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半导体制造商SemiQ正式发布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,专为中压大
    的头像 发表于 01-22 11:03 315次阅读
    SemiQ推出1700 V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>系列</b>,助力中压大<b class='flag-5'>功率</b>转换领域

    SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用

    *附件:国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
    发表于 01-20 14:19

    SiC MOSFET分立器件及工业模块介绍

    BASiC国产SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模块介绍
    发表于 01-16 14:32 0次下载

    34mm SiC MOSFET模块产品介绍

    34mm SiC MOSFET半桥碳化硅模块产品介绍_20241217_Rev.1.0.1
    发表于 12-30 15:24 0次下载

    三菱电机1200V级SiC MOSFET技术解析

    1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件,广泛应用于工业、汽车等领域。目前,1200V级
    的头像 发表于 12-04 10:50 967次阅读
    三菱电机1200V级<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>技术解析

    轨道牵引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模块

    三菱电机新开发了3.3kV金属氧化物半导体场效应管碳化硅模块SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖特基势垒二极管(SBD-Embedded)技术,可以满足铁路应用的高可靠性、高功率
    的头像 发表于 10-31 16:47 770次阅读
    轨道牵引用3.3kV <b class='flag-5'>SBD</b>嵌入式<b class='flag-5'>SiC-MOSFET</b><b class='flag-5'>模块</b>

    SiC MOSFET模块封装技术及驱动设计

    碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件,具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。碳化硅
    的头像 发表于 10-16 13:52 2125次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>模块</b>封装技术及驱动设计

    SiC MOSFETSiC SBD的区别

    SiC MOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)和SiC SBD(碳化硅肖特基势垒二极管)是两种基于碳化硅(SiC)材料的
    的头像 发表于 09-10 15:19 2205次阅读

    三菱电机发布新型低电流SiC-MOSFET模块

    三菱电机集团近日宣布推出两款新型低电流版本的肖特基势垒二极管(SBD)嵌入式SiC-MOSFET模块,以满足大型工业设备市场对高性能逆变器日
    的头像 发表于 06-12 14:51 938次阅读

    三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块

    三菱电机集团近日宣布,从6月10日起开始为包括铁路和电力系统在内的大型工业设备提供低电流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基势垒二极管(SBD)嵌入式SiC-MOSFET
    的头像 发表于 06-12 14:17 829次阅读

    基于NX封装的低杂感SiC MOSFET模块设计

    功率模块从硅IGBT技术过渡到基于SiC MOSFET技术是不可避免的。然而,从硅IGBT时代留下来的外形尺寸偏好仍然阻碍着SiC技术的商业
    的头像 发表于 05-08 17:43 1113次阅读
    基于NX封装的低杂感<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>模块</b>设计

    1200V SiC SBD系列在各大领域的应用

    SBD
    瑞森半导体
    发布于 :2024年04月26日 09:44:44

    水下航行器电机的SiC MOSFET逆变器设计

    利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率
    发表于 03-13 14:31 385次阅读
    水下航行器电机的<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>逆变器设计

    SiC MOSFET模块串扰应用对策

    SiC MOSFET模块目前广泛运用于新能源汽车逆变器、车载充电、光伏、风电、智能电网等领域[2-9] ,展示了新技术的优良特性。
    发表于 02-19 16:29 1431次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>模块</b>串扰应用对策