电镀又称电沉积,是一种功能性金属薄膜的制备方法。电镀本质上属于种电化学还原过程,即借助外电 场提供的电子,在所需的基材上将水溶液中的金属离子还原成原子态金属,并通过控制溶液中的金属离子种类、存在形态、浓度、微量添加剂,以及温度、电流密度、酸碱度、搅拌程度等,来调控沉积金属的结晶形态、晶体取向、晶粒大小、表面平整度及金属成分等,最终获得所需要的具备特殊功能的金属薄膜。
由于电镀是以金属薄膜制备为主,因此,在电子封装中主要涉及各种金属布线、焊盘、凸点,接插件中的电接触镀层等的制备。
电镀具有以下优势:配合各种光刻、掩模技术,可实现高密度、高精度金属薄膜或线路制造;与物理/化学等气相沉积技术相比,电镇设备投资少、工艺简单,可实现大规模低成本工业化制造;通过金属种类的选择和多层组合,可实现各种特殊功能,满足产品需求。
在电子封装中,电镀工艺是必不可少的。针对不同的封装,电镀的加工精度和功能要求有所不同。
在传统的引线框型(如 DIP、QFP、QFN、SOP、SON 等)封裝中,镀铜、镬银、镀镍、镬钯和镬金 主要用于铜或铁镍合金引线框架表面的处理,其目的是保证框架表面的可焊性、键合性和防护性。为了降低成本,贵金属电镀多采用局部电镀。
球珊阵列型(如 BGA、FC-BGA 等)封装所用到的有机封装基板内部铜布线及Flip Chip表面再布线(RDL),生采用化学镬铜与电镀铜相结合的办法来完成。表面的焊盘多需要镀镍打底,表面再镀银、镀金或镇锡,线宽一般在5~50μm 范围内。
在圆片级封装(WIP)中,除了表面再布线(RDL) 用到镀铜、镀镍或镀金,对于焊点密度较高的产品,焊接凸点(Bump)也是通过电镀制作的,包括掩模镀铜柱、镀锡或镀锡合金凸点。RDL 线宽一般为 1~25μm,Bump 高度可达 200μm。
随着电 子封装技术与产业的发展,电镀在高密度制造、高精度制造和低成本制造方面将会发挥越来越大的作用。
审核编辑:刘清
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原文标题:电镀工艺,電鍍製程,Plating Proces
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