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本文介绍了快速设计由 NCP1623 驱动的 CrM/DCM PFC 级的关键步骤中的定义关键规格与功率级设计,并以实际的 100W 通用电源应用为例进行说明,IC控制电路设计将在后续的推文中分享。
NCP1623 具有多个选项,本文侧重于NCP1623A,它与其他版本的主要不同点在于输入电压跟随升压(follower boost)。NCP1623A 采用 SOIC−8 或 TSOP−6 封装,是一款极为紧凑的 PFC 控制器,可在整个负载范围内优化 PFC 级的效率。此外,它还集成了保护功能,以确保安全可靠地运行。一般而言,NCP1623A 适用于那些对成本效益、可靠性、高功率因数和效率比有着较高要求的系统:
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谷底同步频率折返:
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紧凑性:
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低 VCC 启动阈值:
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快速线路/负载瞬变补偿:
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安全保护:
系统会永久监控输入和输出电压、MOSFET 电流和芯片温度,以保护系统免受可能出现的过载,从而使 PFC 级不仅稳健,而且可靠。除 OVP 保护外,还提供了以下保护方法:
1)最大电流限制:电路会检测 MOSFET 电流。如果检测到的电流超过了设定的电流限值,则将其关断。此外,由于电感器饱和或旁路二极管短路等原因,当电流达到限值的 150% 时,电路将进入低占空比操作模式。
2)欠压保护:当反馈引脚电压 (VFB) 降至 300 mV 以下时,该电路将关断,并且在 VFB 超过 530 mV 之前一直保持关断状态。当在低压下启用输入电压跟随升压(follower boost)时,FB 引脚拉动 25 uA 电流 (IFB(LL)) 以调低输出电压,而 UVP 迟滞阈值则增大至 1.2/1.3 V。如果启动时交流线路过低或反馈网络出现故障(例如反馈引脚发生意外接地短路故障),此功能可保护 PFC 级。
3)冗余过压保护 (OVP2):CS/ZCD 多功能引脚用于检测过高的输出电压电平,并在反馈网络发生错误(电阻值错误、老化效应…)时防止破坏性输出电压失控。
4)热关断:当结温超过 150°C(典型值)时,内部热电路会禁用栅极驱动。一旦温度降至约 100°C(50°C 迟滞)以下,电路将恢复工作。-
便于制造和安全测试:
PFC 级的元件可能会因制造或处理事故、过大的操作应力或其他故障而导致意外短路、焊接不良或损坏。特别地,控制器的相邻引脚可能会短路、接地或连接不良。通常要求这种导通/关断的情况不会引起火灾、烟雾或噪音。NCP1623A 集成了增强功能,可协助在诸如引脚连接不当(包括 GND)或是升压或旁路二极管短路的情况下满足上述要求。
与 TSOP−6 版本相比,SOIC−8 选项还带有由 DIS 引脚控制的睡眠模式。该引脚上的高电平或开路会禁用控制器,并将 ICC 偏置电流降至 20 μA 以下(典型值)。此功能有助于满足苛刻的待机功耗要求。
图 1:系统板的电路图
步骤 1:定义关键规格
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线路频率 fline:
面向 50 Hz/60 Hz 应用。实际上,通常是在 47−63 Hz 的范围内指定该值。对于“保持时间”等的计算,必须考虑指定最低值。
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最低线路电压 (Vline,rms)LL:
这是 PFC 级必须运行的最小 rms 输入电压。该值通常比最小典型电压(许多国家为 100 V)低 10−12%。我们将取:(Vline,rms)LL 90 V。
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最高线路电压 (Vline,rms)HL:
这是最大 rms 输入电压。它通常比最大典型电压(许多国家为 240 V)高 10%。我们选择:(Vline,rms)HL 264 V。
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标称电压 Vout,nom:
这是高压线调节电压。Vout,nom 必须高于 (√2 · (Vline,rms)HL )。我们的目标值是 390 V。
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低压线输出电压 Vout,LL:
NCP1623A 输入电压跟随升压(follower boost)功能提供了在低压下选择较低调节电压的能力,以实现 PFC 级的尺寸和效率优化。该值通常被设置为略高于高压检测阈值。我们的目标值是 250 V。
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磁峰-峰值输出电压纹波 ( Vout)pk−pk:
此参数通常以输出电压的百分比来指定。必须选择等于或低于 6% VFB 磁峰-峰值纹波,以免在正常操作中触发动态响应增强器 (DRE)。
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保持时间 tHOLD−UP:
此参数指定在线路压降期间输出保持有效的时间。通常指定单线周期。此要求需要了解 PFC 级输出上为确保应用正常运行所需的最小电压 (Vout,min )。我们已经假设 (Vout,min = 180 V) 足够高,可以向下游转换器提供足够的输入电压。
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输出功率 Pout:
这是 PFC 负载的功耗。
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最大输出功率 Pout,max:
这是最大输出功率,在我们的应用中为 150W。
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最大输入功率 (Pin,avg)max:
这是在正常运行时可以从电源获取的最大功率。该值是在满载、低压条件下获得的。假设在这些条件下的效率为 95%,我们将使用:
(公式1)
步骤 2:功率级设计
在重载条件下,NCP1623A 将于临界导通模式 (CrM) 下运行。因此,电感器、大容量电容和功率硅器件的尺寸通常与其他 CrM PFC 的相同。本章不会详细说明这一过程,而是强调几个关键点。
PFC 电感器电路的导通时间受到内部限制。PFC 级可以提供的功率取决于电感器,因为 L 值将确定给定导通时间的电流上升。具体而言,以下公式给出了 PFC 级的功率能力:
(公式2)
电感器越小,PFC 级的功率能力就越高。因此,L 必须足够低,以便可以在最低线路电平下提供全功率:
(公式3)
与传统的 CrM 应用一样,以下公式给出了其他重要参数:
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最大峰值电流:
(公式4)
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最大 rms 电流:
(公式5)
在我们的应用中,电感器必须满足以下要求:
(公式6)
Ton,max(典型值为 12.5 μs)的最小值为 10.8 μs,将用在公式 6 中,因为这是计算 L 时的最坏情况。建议选择比公式 6 返回的电感值至少小 25% 的电感值,以获得充足的裕量。为了系统的紧凑性,选择的是 200 μH 电感器。它由用于零电流检测的 10:1 辅助绕组组成。可以看到,CrM 操作中的开关频率取决于电感器值:
(公式7)
例如,在低压、满载(正弦曲线顶部)条件下,开关频率为:
(公式8)
上述计算对应的低压调节电压为 250 V。
在实际设计中,PFC 输出功率在输入电压过零点时不理想,因此实际导通时间将延长,以调节所需的负载。与公式 4、公式 5 和公式 7 中的计算结果相比,随着导通时间的延长,电感器峰值和 rms 电流会升高,而开关频率则降低。因此,建议在公式中增加至少 20% 的裕量。
功率器件一般而言,二极管桥和功率开关被置于同一散热器上。根据经验,可以估算散热器必须满足如下散热目标:
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在多电源应用中,约为输出功率的 4%(95% 通常是目标最低效率)
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在单电源应用中,约为输出功率的 2%。在我们的多电源应用中,大约需要消散 4 W 的热能。在该热能的损失源中,可以列出:
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二极管桥的导通损耗可通过以下公式来估算:
(公式9)
其中 Vf 是桥式二极管的正向电压。
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MOSFET 导通损耗由下式给出:
(公式10)
在我们的应用中,采用的是:
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Pbridge = 2.1 W(假设 Vf 为 1 V)。
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(Pon)max = 1.03 · RDS(on) W。假设 RDS(on) 在高温下加倍,因此最大导通损耗约为 2.6 · RDS(on) W。
开关损耗不易计算,我们不作预测。相反,根据经验,我们会假设损耗预算等于 MOSFET 导通的损耗预算。实验测试将检验它们是否低于估算值。
升压二极管是以下导通损耗的来源:IOUT · Vf,其中 IOUT 是负载电流,而 Vf 是二极管正向电压。在低压条件下(调节电平设置为 250V 时),最大输出电流为 0.4A,二极管导通损耗在 0.4W 范围内(假设 Vf= 1 V)。PDIODE = 0.4 W。
PFC 输出大容量电容在定义大容量电容时,通常主要有三个标准/约束:
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磁峰-峰值输出电压纹波:
(公式11)
其中 (ω = 2π · fline ) 是线路频率。
磁峰-峰值 FB 引脚电压纹波 (δVFB)pk−pk 通常低于 FB 参考电压 (VREF= 2.5 V) 的 ±3%(6% 磁峰-峰值),以免在正常操作中在良好的裕量下触发 OVP 和 DRE 功能。反馈电阻分压比由下式给出:
(公式12)
因此,磁峰-峰值 FB 电压为:
(公式13)
由此,在 47 Hz 线路频率下,将 VFB 纹波限制在 6% 的最小 CBULK 为:
(公式14)
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保持时间的规格:
(公式15)
其中,保持时间为 10 ms。
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Rms 电容器电流:
Rms 电流取决于负载特性。假设知道电阻负载,我们可以推导出其大小的以下近似表达式:
(公式16)
在我们的应用中,采用的是:
(公式17)
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原文标题:使用NCP1623A设计紧凑高效的PFC级的关键步骤
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