哪个含硅量更高:一粒沙子还是TI最新的FemtoFET产品?坐在沙滩椅上,看着大西洋的浪潮拍打着泽西海岸,我的脑海中反复萦绕着这个问题。TI的F3 FemtoFET,声称其产品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm(见图1),但含硅量却轻松超过大西洋城人行板道下飞扬的沙砾。
图1:F3 FemtoFET组合尺寸
加入下表包括超低容量产品CSD15380F3在内的FemtoFET产品组合,。
部件编号 | N/P | Vds | Vgs | Id Cont. (A) | 典型的导通电阻 (mohm) | 输入电容 (pF) | ||
4.5V | 2.5V | 1.8V | ||||||
CSD15380F3 | N | 20 | 10 | 0.5 | 1170 | 2200 | x | 8.1 |
CSD25480F3 | P | 20 | 12 | 1.7 | 132 | 203 | 420 | 119 |
CSD23280F3 | P | 12 | 6 | 1.8 | 97 | 129 | 180 | 180 |
表1 F3 FemtoFETs
体积如此之小的设备,一个关键的考虑点是如何使用表面装配技术(SMT)将FemtoFET与面板连接。设备面板的焊盘距离是影响客户SMT设备能否处理组合产品的关键因素。大多数的高容量个人电子产品制造商拥有可以处理最小0.35mm焊盘距离的SMT设备,但部分工业用客户的SMT设备最小焊盘距离仅能到0.5mm。
FemtoFET的连接盘网格阵列(LGA)封装与硅芯片级封装(CSP)相似,唯一的不同是LGA没有附加锡球。F3 FemtoFET上的镀金leads保留着与TI前代产品F4 FemtoFET一样的0.35mm焊盘距离。这就给使用体积更小产品的F4客户更强的信心,即他们的SMT设备可处理F3 FemtoFET。
为了使FemtoFET能应用到工业用设备,TI同时推出了焊盘距离为0.50mm的F5 FemtoFET系列产品,并将电压范围扩充至60V。
TI推荐使用无铅(SnAgCu)SAC焊锡膏如SAC305用于mtoFET面板安装。你可以选用第三类焊膏,但体积更小的第四类焊锡膏则是更优选择。焊膏应免清洗,且可溶于水。不过,在面板安装之后用焊剂进行清洗仍不失为是个绝妙主意。
使用面板模子在面板上标出将施加焊锡膏的点位。模子的厚度以及开口的长宽是重要的参数。模子最厚应不超过100µm。
低漏电型FemtoFET可用于各类可穿戴设备和个人通讯设备。由于栅极漏电和漏极漏电的单位数仅为纳米安培级,FemtoFET可协助保证您的个人电子设备的充电电池可支撑使用一整天。
审核编辑:郭婷
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