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使用万用表测量MOS管的好坏

CHANBAEK 来源:飞多学堂 作者:飞多学堂 2023-04-13 16:15 次阅读

利用场管内部的寄生二极管的单向导通特性对场管的好坏进行判断。

第一步 将三个脚进行短接放电

wKgZomQ3ud6AJ3PfAAYfJICOa8A802.jpg

这样做的目的对场管内部的寄生电容进行放电,防止有压差,使它内部产生导通,使得测量有误。

第二步 测量内部二极管

万用表打到二极管档,然后用两个表笔对这个 MOS 管的漏极和源极进行正反向测量。

用万用表测量内部二极管,正向测量时应该有一个零点几伏的压降,反向应该截止,不符合的话,说明管子坏了。

对于 N 沟道场管:

wKgaomQ3ud6AT9yEAAAqf6OHNYA188.jpg

对于 P 沟道场管:

wKgaomQ3ud6AbTCcAAApUYG1sZ4078.jpg

一个好的 MOSFET 正向测量时内部二极管应该有 0.4V 至 0.9V 的压降(取决于MOSFET类型),如果压降为零,则 MOSFET 有缺陷,当读数为“开路”或无读数时,MOSFET也有缺陷。

当反向测量场管内部二极管时,压降应为“开路”或无读数。 如果压降为零,则MOSFET有缺陷。

下图显示正向 N 沟道管源漏极之间的二极管有 0.52V 的压降:

wKgZomQ3ud6AZ-X4AAr_SxGQY-c128.jpg

反向测量内部二极管开路:

wKgZomQ3ud6AYAntAAjBr0Ao53g555.jpg

下图显示一个损坏的 N 沟道场管反向测量内部二极管有 0.404V 的压降:

wKgaomQ3ud6AX4eFAAotcLFHZXs907.jpg

第三步 测量其他引脚

还是二极管档,场管一共三个引脚,两两测量一共有六种组合。 一个好的场管除了正向测量漏源极之间的二极管为有压降,其他任何引脚之间都不应该有压降。

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