同步整流可提高效率,同时也能够极大地帮助瞬态负载调节。它为电源预加载提供了一种高效的方法。另外,相比摆动电感,它还拥有更加稳定的控制环路特性。同步整流ic U7718是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的低成本、高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。有兴趣的小伙伴可以多了解下!
同步整流ic U7718支持High Side和Low Side配置,同时支持系统断续工作模式(DCM)和准谐振工作模式(QR)。内置VDD高压供电模块,无需VDD辅助绕阻供电,简化了外围电路,降低系统成本。U7718内部集成智能开通检测功能,可以有效防止断续工作模式(DCM)中由于Vds振荡引起的SR误开通。
在原边MOSFET导通期间,同步整流ic U7718内部7.1V稳压器将从其Drain管脚抽取电流向VDD供电,以使VDD电压恒定在7.1V左右。基于高频解偶和供电考滤,推荐选取容量为1uF的陶瓷电容作为VDD电容。
变压器副边续流阶段开始时,同步整流MOSFET处于关闭状态,副边电流经MOSFET体二极管实现续流,同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。该负向Vds电压远小于同步整流ic U7718内部MOSFET开启检测阈值, 故经过开通延迟(典型值200nS)后内部MOSFET开通。
在同步整流MOSFET导通期间,U7718采样MOSFET漏-源两端电压 (Vds)。当Vds电压高于MOSFET 关断阈值(典型值-6mV),内部MOSFET将在关断延迟(Td_off,约60ns)后被关断。
同步整流ic U7718 管脚功能描述:
1、2、3 GND P IC 参考地,同时也是内部功率 MOSFET 的源极
4 VDD P IC 供电脚,
5、6、7、8 Drain I 内置功率 MOSFET 漏极
在内部同步整流MOSFET开通瞬间,芯片漏-源(Drain-Source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作,芯片内部集成有前沿消隐电路(LEB)。在LEB时间(约1.12us)内,关断比较器被屏蔽,无法关断内部同步整流MOSFET,直至消隐时间结束。
同步整流ic U7718方案能满足客户高效适配器、反激变换器、充电器的应用,使得电源设计尽可能达到最优化。方案简单有效,成本经济可控,更多实惠请致电400-778-5088!
审核编辑:刘清
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原文标题:可提高电源效率的同步整流ic U7718
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