0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

基于HUSB332C“一线双芯”PD3.1过温保护方案的拆解案例

慧能泰半导体 来源:慧能泰半导体 2023-04-23 10:37 次阅读

今天,我们拿到了绿联推出的新款闪电 π 快充数据线,并对其进行了拆解。它支持最新的 PD 3.1 协议,快充功率达240 W,双 USB-C 接口,每个接口均搭载一颗eMarker 芯片,自带过温保护功能,线材长度 1.5 米,支持 480Mbps USB 数据传输。

2f3db73e-e037-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

图1、数据线包装与产品说明

1

供电能力

2f4bea8e-e037-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

图2、数据线参数展示

通过诱骗器,我们可以看到,这条数据线搭载的芯片是来自慧能泰半导体的HUSB332C,供电能力为50 V 5 A,支持USB 2.0的数据传输。

2

拆解数据线

2f694d36-e037-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

图3、拆解后的数据线

数据线两端采用铝合金材质的外壳,拆开后,两端均有一颗eMarker芯片HUSB332C。HUSB332C支持PD3.1 EPR 240W功率传输(TID 8655)和USB4 V2.0 80Gbps数据传输,也支持Thunderbolt 3和Thunderbolt 4数据通信。同时集成了采用慧能泰专利技术的过温保护功能(OTP),并可以通过CC线或I²C总线进行编程

HUSB332C产品特性

符合USB Type-C 2.1和 USB PD3.1标准

- 支持SOP'通信

- 集成收发器(BMC PHY)

- 同时支持结构化VDM 1.0和2.0版本

PD3.1 EPR功能,支持240 W USB-C线缆

高集成度

集成过温保护

DFN2X2-6L封装

支持4次编程

加密功能

待机0.6mA超低功耗

芯片CC/VCONN1/VCONN2耐压35 V

工作电压2.7 V~5.75 V

2ff55fec-e037-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

图4、焊脚展示 可以看到,线缆的焊脚一共5个,分别是一根VBUS线、一根GND线、三根信号线(D+、D-、CC)。与常规的6条线相比,采用“一线双芯”方案的数据线内部可以减少1根Vconn供电线,降低线缆用线成本的同时还能让线缆变得更加柔软美观。

3

HUSB332C的“一线双芯”大功率USB-C线缆的参考设计

3029db28-e037-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

图5:“一线双芯”的参考设计图

USB-IF协会规定,线缆要满足3A及以上的充电需求时,必须要搭载eMarker。通过上图电路实现的“一线双芯”的设计,可提升大功率快充、高速数据传输的稳定性。将其与单eMarker线缆对比,“一线双芯”线缆的PD通讯信息传输更准确。尤其是在大负载、瞬态等情况下,PD通讯将受到更大影响,差异更加明显。

另外,USB Type-C线缆在进行大功率快充的时候必须要考虑温度的问题,过温保护功能显得尤其必要。由于HUSB332C自带慧能泰专利技术过温保护功能(OTP),通过HUSB332C的“一线双芯”方案,无需再额外设计过温保护电路即可保护线缆。这大大减少了外围器件数量,也降低了线缆成本。

4

总结

随着PD3.1标准的推出,电源端、线缆端、设备端都面临着一次全面的升级。线缆端更是面临着超高安全性能要求的考验。HUSB332C的“一线双芯”方案已逐渐成为PD3.1大功率USB-C线缆过温保护方案的标杆方案,获得了市场的广泛选择与认可。

在USB Type-C线缆和USB eMarker芯片上,慧能泰半导体有着全面的专利布局,已获6个相关专利证明。慧能泰半导体独特的芯片架构可以给客户带来更稳定的性能和成本优势,目前已推出多款技术领先的USB eMarker产品,例如开启4引脚eMarker时代的HUSB332D、全球第一款过PD3.1认证的eMarker芯片HUSB332B、自带过温保护功能的eMarker HUSB332C以及打通UFCS生态链的HUSB335等。

关于慧能泰半导体

ABOUTUS

深圳慧能泰半导体科技有限公司是一家专注于智慧能源控制技术的公司,主要面向智能快充和数字能源领域,提供高性能数模混合芯片产品。公司总部设立在深圳前海,同时在上海、浙江杭州、美国加州设有研发中心。慧能泰的核心研发团队来自国内外顶尖半导体公司,拥有强大的研发创新能力。公司现已获多项授权专利,拥有独立自主知识产权,并于2020年被评为“高新技术企业”。

目前,慧能泰已完成了围绕USB Type-C生态链的整体产品布局,开发并量产了多款产品:供电端的多系列PD Source协议芯片,受电端的高性能PD Sink(PD 诱骗芯片)、Type-C端口控制器(CC Logic),线缆端的USB eMarker(电子标签芯片)。成立以来,慧能泰连续推出多款业界领先的产品并广受市场欢迎。公司芯片出货量2亿颗,标杆性客户有联想、小米、三星、HP、贝尔金和努比亚等。同时,慧能泰也致力于提高能源利用效率、研究能源控制技术,借助自身的技术研发优势,面向ICT(通信服务器)、数据中心、光伏逆变器、储能等工业应用,研发数字电源控制芯片高压驱动芯片、电源转换芯片和模块等产品。

慧能泰半导体肩负着“芯智慧 芯能源,共建绿色未来”的使命,立志成为业界领先的智慧能源控制技术供应商。

审核编辑 :李倩

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    452

    文章

    50117

    浏览量

    420325
  • 收发器
    +关注

    关注

    10

    文章

    3360

    浏览量

    105764
  • 数据线
    +关注

    关注

    8

    文章

    280

    浏览量

    37627

原文标题:应用报告|基于HUSB332C“一线双芯” PD3.1过温保护方案的拆解案例

文章出处:【微信号:慧能泰半导体,微信公众号:慧能泰半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    宝砾微25V口充电管理高性能MCU支持PD协议

    范围:3.0 ~ 25V ☆ 环境温度:-40 ~ 105°C* 其他特性 ☆ 支持在线升级 ☆ 支持32位CHIP ID | 快充特性 ☆ 两组独立CC口☆ 支持PD3.1协议 ☆ 支持PPS
    发表于 09-24 10:33

    海科技PD MCU新突破,CS32G020通PD3.1认证

    海科技(股票代码:688595)继CS32G051之后,明星产品CS32G020也顺利通过了USB IF官方的PD3.1认证,成为了当前国内少有的充电和放电均通过PD3.1向认证的
    的头像 发表于 08-20 18:47 429次阅读
    <b class='flag-5'>芯</b>海科技<b class='flag-5'>PD</b> MCU新突破,CS32G020通<b class='flag-5'>过</b><b class='flag-5'>PD3.1</b>认证

    海科技PD MCU CS32G020通EPR PD3.1认证

    2024年4月,海科技(股票代码:688595)宣布,其旗下PD MCU产品CS32G020成功通过USB-IF官方的PD EPR(Extended Power Range)测试认证,进
    的头像 发表于 08-09 15:53 521次阅读
    <b class='flag-5'>芯</b>海科技<b class='flag-5'>PD</b> MCU CS32G020通<b class='flag-5'>过</b>EPR <b class='flag-5'>PD3.1</b>认证

    大联大友尚集团推出基于ST产品的140W USB PD3.1快充方案

    大联大友尚基于ST产品的140W USB PD3.1快充方案的展示板图 近年来,快充行业不断经历创新升级,每次技术的跃进都为充电的效率与安全性带来革命性变革。特别是USB PD3.1
    的头像 发表于 07-18 22:45 260次阅读
    大联大友尚集团推出基于ST产品的140W USB <b class='flag-5'>PD3.1</b>快充<b class='flag-5'>方案</b>

    慧能泰HUSB367 40WC快充方案 iPhone16的专属“能量泵”

    HUSB367是款高性能、高集成度的端口控制器(USB Type-C1,USB Type-C2)。当仅连接
    的头像 发表于 06-18 18:57 1556次阅读
    慧能泰<b class='flag-5'>HUSB</b>367 40W<b class='flag-5'>双</b><b class='flag-5'>C</b>快充<b class='flag-5'>方案</b> iPhone16的专属“能量泵”

    海科技 PD 应用笔记: 基于 CS32G02X 的 PD3.1-EPR 系统设计

    本文档介绍和说明海科技旗下 CS32G02X 芯片的 PD3.1-EPR 系统系统设计,包括 PD3.1-EPR 协议介绍、PD3.1-EPR 硬件设计要求、
    发表于 05-16 14:18

    铜价飙升?慧能泰最新代支持100W五线应用的eMarker--HUSB332F带你狂飙

    HUSB332F是款用于电缆识别(Cable ID)应用的USB Type-C eMarker,符合USB PD3.0标准。HUSB332
    的头像 发表于 05-07 09:47 893次阅读
    铜价飙升?慧能泰最新<b class='flag-5'>一</b>代支持100W五<b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>线</b>应用的eMarker--<b class='flag-5'>HUSB332</b>F带你狂飙

    海科技CS32G020通140W高功率EPR PD3.1认证

    近日,海科技(股票代码:688595)旗下PD产品CS32G020通USB-IF官方的PDEPR(ExtendedPowerRange)测试认证。作为款国内少数在充电和放电两方面
    的头像 发表于 04-12 08:15 398次阅读
    <b class='flag-5'>芯</b>海科技CS32G020通<b class='flag-5'>过</b>140W高功率EPR <b class='flag-5'>PD3.1</b>认证

    海科技CS32G020通140W高功率EPR PD3.1认证

    PD 3.1向认证的产品,CS32G020在去年4月就已通过角色端口(DRP)功能的PD3.1认证。而本次测试,是对该产品基于140W
    发表于 04-10 13:45 255次阅读
    <b class='flag-5'>芯</b>海科技CS32G020通<b class='flag-5'>过</b>140W高功率EPR <b class='flag-5'>PD3.1</b>认证

    FS312bl和FS312bh丝印支持PD3.1与QC2.0快充充电器诱骗取电芯片

    芯片的特点和应用。 首先,FS312bl和FS312bh丝印支持PD3.1与QC2.0快充充电器诱骗取电芯片是针对目前市场上的主流快充技术而设计的。其中,PD3.1种采用Type-C
    发表于 03-12 15:10

    产品推荐 | 适用于PD3.1标准的PRISEMI导科技MOSFET产品

    产品推荐 | 适用于PD3.1标准的PRISEMI导科技MOSFET产品
    的头像 发表于 12-29 10:29 431次阅读

    慧能泰推出稳定、高效、安全的E-Marker芯片HUSB332E,支持USB4和PD 3.1

    慧能泰通过分析许多USB4的干货和市场趋势,让大家了解到支持USB4 PD3.1的Type-C线缆也会从传统的消费类市场转向储能、汽车和医疗等领域
    的头像 发表于 12-21 09:56 1083次阅读

    关于USB PD3.1些探索

    USB PD3.1新标准发布及开放认证以来,从连接器端到线缆端和设备端都面临着更严谨、更高安全性能要求的考验。
    的头像 发表于 11-27 14:56 964次阅读
    关于USB <b class='flag-5'>PD3.1</b>的<b class='flag-5'>一</b>些探索

    使用耗尽型MOSFET简化PD3.1快充设计(下)

    尽管说如今的充电器,集成度越来越高,外围器件的数量越来越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的输出电压,更宽的输出电压范围,超出了高耐压的原边控制器的供电范围,同时现有的同步整流控制器,也无法应用在高输出电压下,令工程师的选型很是头疼。
    的头像 发表于 11-08 11:31 892次阅读
    使用耗尽型MOSFET简化<b class='flag-5'>PD3.1</b>快充设计(下)

    使用耗尽型MOSFET简化PD3.1快充设计(上)

    尽管说如今的充电器,集成度越来越高,外围器件的数量越来越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的输出电压,更宽的输出电压范围,超出了高耐压的原边控制器的供电范围,同时现有的同步整流控制器,也无法应用在高输出电压下,令工程师的选型很是头疼。
    的头像 发表于 11-08 11:30 669次阅读
    使用耗尽型MOSFET简化<b class='flag-5'>PD3.1</b>快充设计(上)