液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果

中科院物理所陈小龙团队又一次公布他们在SiC方面的研发新成果：

4月18日，中科院物理所在期刊上发表了关于采用液相法生长3C-SiC衬底的技术文献。

文献提到，该团队是通过在4H-SiC衬底上生长3C-SiC单晶，技术成果超出了以往理论预期，通过这项技术，他们能够持续稳定地生长高质量和大尺寸的3C-SiC晶体——直径为2~4英寸，厚度为4.0~10毫米。

该团队认为，该技术拓宽了异质晶体生长的机制，并为3C-SiC晶体的大规模生产提供了可行的途径，未来3C-SiC功率器件性能有望比目前主流的4H-SiC更好。

液相法生长3C-SiC4英寸、10mm

该团队开发了一个生长3C-SiC的液相TSSG长晶设备，其生长过程是这样的：首先，在高温石墨坩埚区域中溶解C粉；然后在对流作用下，将C粉从高温区输送到低温区；最后在低温籽晶上进行3C-SiC结晶。

该技术的相关数据汇总如下：晶圆尺寸为2-4英寸、晶体厚度为4-10mm。

这种3C-SiC晶体的液相TSSG生长模型示意图如下：

质量方面，经过测量，所生长的3C-SiC晶体（111）面半峰全宽（FWHM）为28.8至32.4弧秒，平均为30.0弧秒，整体晶圆非常均匀。

从3C-SiC的切片上看，典型的三角形凹坑大小约为5微米，可能来自螺纹位错（TSDs）和螺纹边缘位错（TEDs）的密度分别约为4.3×104/cm2和13.9×104/cm2，并且没有观察到在3C-SiC中常见的双定位边界（DPBs）。

3C-SiC“闪光点”有哪些？

其实，业界很早就进行3C-SiC的研发，在1987年左右，日本电工实验室开发出第一款基于硅衬底的3C-SiC横向MOSFET。

但是由于种种原因（下面展开讲），3C-SiC“沉寂”了，发展速度远不如4H-SiC。但是最近几年，3C-SiC块材和硅基3C-SiC取得了巨大进展，业界的关注度又重新回来了。

我们先来看看3C-SiC的优势。

目前，SiC材料已知的晶体结构有250多种，主要类型有六方体（2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC）和立方体3C-SiC等。

实际上，如果从材料特性来看，相比4H-SiC晶型材料，3C-SiC在禁带宽度、击穿场强等各方面都处于劣势，这也是为什么主流的商用器件都是在4H-SiC上制造的原因之一。但是，3C-SiC被认为是“明日之星”，前景备受看好，这又是为什么？

首先是电子迁移率。

据报道，硅基3C-SiC MOSFET的n沟道迁移率范围为100-370cm2/V·s。而横向4H-SiC MOSFET通常为20-40cm2/V·s，沟槽器件为6-90 cm2/V·s。京都大学通过氮气钝化在A面上创建SiC MOSFET，将沟道迁移率提升到131cm2/V·s，但也低于硅基3C-SiC器件。

其次是可靠性。

目前，SiC MOSFET核心技术瓶颈集中在栅氧层界面质量差，不仅沟道迁移率低，而且会影响阈值电压稳定性，栅极氧化物在高温下还存在失效的弱点。而3C-SiC和绝缘氧化物栅之间的界面陷阱浓度低得多，有助于制造可靠和长寿命的器件。

3C-SiC势垒高度为3.7 eV，该值远大于硅和4H-SiC，因此在栅极驱动电路漏电流相同时，3C-SiC MOSFET内的电场比4H-SiC高两到三倍。因此，3C-SiC 沟槽功率 MOSFET 的降额要求远没有4H-SiC产品严格。

第三是加工。

4H-SiC和GaN的加工与传统硅完全不同，更具挑战性。相比之下，低能禁带宽度的3C-SiC更接近硅，这在加工成器件时具有许多好处。3C-SiC难点在哪？液相法生长有何意义？

前面提到，全球研究人员对3C-SiC进行了几十年的努力，但产业化仍然是一个挑战。我们来看看3C-SiC的难点。

首先，3C-SiC晶体生长较难。

目前，六方碳化硅（4H、6H）晶体的生长技术已经成熟，高质量的衬底已经完全商业化，但是体块3C-SiC单晶的生长依然滞后。

一是生长方法不太合适，传统PVT法是生长4H-SiC和6H-SiC晶体的成熟技术，但不适用于生长3C-SiC晶体，因为在它需要更高的Si/C比率，即使采用改良式密闭空间PVT方法，晶体厚度也非常有限，并不适用于大规模生产。

二是在实际生产中，3C-SiC并不稳定，在高于1900-2000℃高温下会转变为六方SiC多晶。正是如此，相较之下，4H-SiC更具商业可行性，相较于6H-SiC，4H-SiC还具有较高的临界电场强度和高电子迁移速率，成为了制作功率器件的首选。

其次，硅基3C-SiC薄膜问题多多。

体块3C-SiC晶体生长路不通，为此，大部分的研发都转向了在硅衬底上进行3C-SiC薄膜沉积，然后再加工成器件。但这种方式存在几个问题需要克服。

一是会存在巨大的晶格失配（约19%）和热膨胀失配（约8%），从而导致缺陷密度过高，大大恶化了器件的性能。试验结果表明，在硅衬底上生长的3C-SiC缺陷密度达到103-104cm-2。

尽管α-SiC在晶格参数、热膨胀系数和化学相容性方面和3C-SiC匹配性非常好，是非常理想的制备3C-SiC的衬底。然而α-SiC/3C-SiC存在双定位晶界（Double positioning boundaries，DPBs）结构缺陷的问题，它与杂质相互作用会导致肖特基接触不良行为。因此，制备3C-SiC晶体的首要问题是减少α-SiC的DPBs。

二是硅基3C-SiC难以实现选择性掺杂。高杂质掺杂对于 3C-SiC 功率器件中的低欧姆接触和薄层电阻是必要的。在1800 °C以下，SiC掺杂扩散率通常较低，所以才需要离子注入，注入后采用高温退火 (PIA) 来修复晶格损伤并将掺杂剂激活。SiC PIA需要极高的温度，n型SiC通常高于1400 °C，p型需要更高的温度 (>1600 °C)。而硅基3C-SiC的激活退火温度通常被限制在 1412 °C（硅熔点）。

三是硅基3C-SiC器件加工的主要挑战之一是实现优质整流接触。硅基3C-SiC的肖特基势垒高度(SBH) 实验值通常低于1eV，远低于肖特基-莫特理论值。

所以，相比硅基3C-SiC，体块3C-SiC晶体更具潜在优点，主要包括离子注入和金属化等加工，而且单晶衬底还能够通过调整外延层厚度来实现更多器件耐压操作。

为此，据陈小龙团队的文献介绍，他们改变思路，转而采用TSSG液相法来生长3C-SiC单晶，这主要是基于2个方面的考虑：

首先，与PVT法相比，TSSG方法可以更容易地调整SiC和熔体之间的界面能量（通过改变它们的化学成分）。

其次，该团队在2021年就已经通过TSSG成功获得大于4英寸的4H-SiC晶体（1700~1800℃）。而他们这次的研发工作，证明了TSSG策略是行之有效的——成功生长了直径4英寸、厚度4-10毫米的大尺寸3C-SiC晶体。

那么，假设未来液相法实现了3C-SiC单晶的大规模制造，会有哪些商业意义？

首先，碳化硅器件的制造成本能够得到大幅降低，采用液相法理论上，晶体缺陷更少，根据中科院物理研究所研究员陈小龙此前的观点，液相法生长碳化硅的“最重要的一个好处就是晶体良率比较高，相当于变相地降低了每一片的成本”。

与此同时，3C-SiC的加工难度与硅类似，可以减少加工成本。

其次，成本更低的3C-SiC，未来将对600V-1200V电压段的功率器件市场产生巨大影响。

审核编辑 ：李倩