虹科技术|半导体制造工艺中的UV-LED光源

半导体行业借助紫外光谱范围（i线：365 nm、h线：405 nm和g线：436 nm）中的高功率辐射在各种光刻、曝光和显影工艺中创建复杂的微观结构，例如生产集成电路（IC）、液晶显示器（LCD）、印刷电路板（PCB）以及 MEMS（微机电系统）等多种电子电路结构。

得益于LED的技术优势和成本优势，半导体制造领域正在摆脱长期以来的传统放电灯/汞灯技术，进而选择UVLED技术作为一种理想解决方案。虹科UVLED紫外光源提供稳定、精确、一致的i、h和 g线（350-450 nm）辐射输出，具有长寿命和成本优势，无需额外冷却时间，即开即用。虹科UVLED曝光光源解决方案取代了传统的灯箱结构，不再需要主光束折叠镜、散热器来吸收在快门和滤光片部件下超过 450nm的辐射。在半导体领域的应用中，虹科UVLED曝光光源解决方案也是传统均质/冷凝组件的经济替代品，只需将其光引擎集成为一个子系统即可。

许多光刻应用依赖于宽带曝光，包括 i、h和 g线 （365/405/435 nm）辐射。虹科UVLED光源可提供非常相似的光谱输出，将现有的光刻工艺升级到UVLED曝光系统不再需要过多调整和操作。除了宽带UVLED曝光单元外，还提供单峰（365 nm）或双峰波长（365/405 nm和405/435 nm）的输出配置。

晶圆边缘曝光

晶圆边缘曝光（WEE）是大批量半导体制造中的常见步骤。WEE使用光刻工具（如晶圆步进机）在曝光后处理晶圆的圆边和ID区域。晶圆厂将这种高强度暴露添加到其生产线中，以提高晶圆半导体器件的良率。WEE允许晶圆边缘的绝对最小曝光宽度，以最大限度地减少良率损失或在进一步处理过程中保护边缘免受污染。WEE设备可以作为独立单元连接到半导体晶圆轨道，也可以直接集成到步进设备中。

目前，大多数WEE应用使用350至450 nm光谱范围内的宽带辐射。最常见的解决方案是使用额定功率为150至500 W的传统光纤耦合汞放电灯。虹科高功率紫外光源ALE/1和ALE/3通过灵活的LED光导提供光输出，涵盖了传统汞放电灯的光谱范围，并且很容易超越晶圆边缘曝光工艺所需的典型强度。

输出功率(mW)	宽带	I线
ALE/1.3 （CWL 365/ 405/436 nm）	30000	10000
ALE/3.2 （CWL 365/ 405 nm）	13000	6500
200 W汞放电灯（典型值）	7500	3000

准直曝光

掩模对准器和步进器能创建一层又一层的精确定位和结构化图案，以制造复杂的集成电路、化合物半导体和其他微电子器件。许多紫外固化应用要求曝光与半导体生产一样精确，但不需要具有精心排列的微观结构层的多个光刻步骤，例如：

智能手机和平板电脑显示器制造中的边缘曝光

为印刷行业打造的安全功能

生物技术微流体应用

以上应用更建议使用准直紫外光源曝光。可以将虹科紫外光源解决方案集成到需要很少或没有准直的UVLED准直曝光设置中。

将虹科UVLED技术集成到紫外线泛光暴露应用中，模块化产品系列可让您选择所有组件以满足您的暴露要求。

ALE/1或 ALE/3紫外 LED光源，以满足您对输出功率、光谱成分和曝光稳定性的偏好，市场上性能最高的光纤耦合光源之一，占地面积小，易于集成。标准和定制的高透射率液体LED光导可用于连接光源和曝光，可以自由选择最适合的方法，几乎可以将光源和曝光光学器件放置在设置设计包络中的任何位置。