解读Ⅰ类陶瓷电容器与Ⅱ类陶瓷电容器

陶瓷电容器也称为瓷介电容器或独石电容器。顾名思义，瓷介电容器是一种材料为陶瓷的电容器。根据陶瓷材料的不同，可分为两种：低频陶瓷电容器(Ⅱ类陶瓷电容器)和高频陶瓷电容器(Ⅰ类陶瓷电容器)。

陶瓷电容器

什么是Ⅰ类陶瓷电容器

Ⅰ类陶瓷电容器原名高频陶瓷电容器，由于其以TiO2为主要成分，非铁电(顺电)配方(介电常数小于150)，具有最稳定的性能;或者通过添加少量其他(铁电)氧化物，如CaTiO3或SrTiO3，形成“扩展型”的温度补偿陶瓷，它可以显示近似线性的温度系数，介电常数增加到500。

这两种介质具有低损耗、高绝缘电阻和良好的温度特性。特别适用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容和其他小损耗和稳定电容量的电路中，或用于温度补偿。

Ⅰ类陶瓷电容器具有以下特性：

1·线性温度系数：其电容随温度线性变化。

2·无电压依赖性:其电容量不依赖于所施加的电压。

3·无老化：由于制造过程中使用的材料是顺电位材料，因此不会经历严重的老化过程。

4·无电力损耗：与Ⅱ类电容器相比，Ⅰ类电容器的电损耗要低得多。

5.用于高Q滤波器：鉴于上述特性，此类电容器通常用于谐振电路、PLL、振荡器等应用中。

6.高稳定性和精确度：根据EIA RS-1988标准，他们将使用3位数符号表示所用的电介质。

根据美国电工协会(EIA)的标准，C0G或NP0和CC系列等型号的陶瓷介质(温度系数0±30PPM/℃)这种介质非常稳定，温度系数非常低，没有老化现象。损耗因数不受电压、频率、温度和时间的影响。介电系数可达400，介电强度相对较高。该介质非常适用于高频(尤其是工业高频感应加热的高频功率振荡、高频无线传输和高频功率电容器的其他应用)、超高频以及对电容和稳定性要求严格的定时和振荡电路的工作环境。这种介电容器的唯一缺点是电容不能很大(由于介电系数相对较小)。通常，1206表面贴装的C0G介质电容器的电容范围为0.5PF至0.01μF。

什么是Ⅱ类陶瓷电容器

Ⅱ类陶瓷电容器过去称为低频陶瓷电容器，是指以铁电陶瓷为介质的电容器，因此也称为铁电陶瓷电容器。其电容量随温度非线性变化，并且其损耗较大。它通常用于电子设备中的旁路、耦合或其他对损耗和电容稳定性要求较低的电路。Ⅱ类陶瓷电容器分为稳定级和可用级。X5R和X7R属于Ⅱ类陶瓷的稳定级，而Y5V和Z5U属于可用级。

Ⅱ类稳定级陶瓷介质材料，如美国电工协会(EIA)标准的X7R和X5R以及中国标准的CT系列(温度系数为±15.0%)，这种介质的介电系数随温度变化较大，不适用于定时和振荡等温度系数要求较高的场合，但由于它们的介电系数可以很大(高达1200)，因而电容量可以做得比较大，适用于对工作环境温度(X7R:-55~+125℃)要求较高的耦合、旁路和滤波。通常，1206 SMD封装的电容量可以达到10μF或更高;

Ⅱ类可用级陶瓷介电材料，如美国电工协会(EIA)标准的Z5U和Y5V以及中国标准CT系列的低等级产品型号(温度系数为Z5U的+22%，-56%和Y5V的+22%，-82%)。这种介质的介电系数随温度变化很大，不适用于定时和振荡等对温度系数要求较高的场合，但由于其介电系数较大(高达1000~12000)，因此，电容量可以做的比较大，这适用于耦合，旁通和过滤一般工作环境温度要求(-25~+85℃)。通常，1206表面安装的Z5U和Y5V介质电容器甚至可以达到100μF。在某种意义上，它是取代钽电解电容器的有力竞争者。

审核编辑：汤梓红