达林顿管内部结构、分类、应用电路

1.达林顿管的内部结构

达林顿管采用复合连接方式 ，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极 ，依次级连而成，最后引出 E 、B 、C 三个电极 。

达林顿管内部示意图

两个三极管复合成一个新的达林顿管后，他的三个电极仍然叫：B→基极、 C→集电极、 E→发射极。

如图所示，前级三极管Q1的发射极接后级三极管Q2的基极，所以 对于达林顿管来说，它的放大倍数是Q1的放大倍数与Q2的放大倍数的乘积。 这个值一般可达到数千至数十万倍。 但是，功率增大时，前级晶体管的漏电流会被逐级放大，导致整体热稳定性差，当今达林顿管内部均集成均衡电阻和二极管，这样，除了大大提高热稳定性外，还能有效地提高后级功率管的耐压。

达林顿管内部实际结构

R1与R2是泄放电阻，为漏电流提供泄放支路。

D1是续流二极管，防止感性负载断开时反向电动势损坏三极管。

2.达林顿管分类

由于三极管分为NPN型和PNP型，达林顿管根据内部前后三极管的型号差异，有四种组合方式：

(a) Q1+Q2=NPN+NPN;

(b) Q1+Q2=PNP+PNP;

(三)Q1+Q2=PNP+NPN;

(四)Q1+Q2=NPN+PNP;

达林顿管四种内部结构

不同类型三极管连接而成的复合管，其类型取决于第一只三极管的类型。

3.达林顿管的特点

①输入阻抗高，可以被普通的TTL，CMOS门电路驱动。

②饱和导通CE之间的压降大，开关状态下损耗大。

③放大倍数大，驱动能力强。

注：达林顿管选择需要考虑的参数：CE反向耐压、工作电流、放大倍数、耗散功率。

4.达林顿管应用电路

达林顿管常用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路、驱动小型继电器、驱动LED智能显示屏等场合。

阵列达林顿管驱动数码管电路

审核编辑：汤梓红