0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

赛米控丹佛斯推出配备罗姆1200V IGBT的功率模块

罗姆半导体集团 来源:未知 2023-05-17 13:35 次阅读

~赛米控丹佛斯与罗姆IGBT多源供应方面进一步加强合作~

8963937c-f474-11ed-90ce-dac502259ad0.jpg

赛米控丹佛斯(总部位于德国纽伦堡)和全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)在开发SiC(碳化硅)功率模块方面,已有十多年的良好合作关系。此次,赛米控丹佛斯向低功率领域推出的功率模块中,采用了罗姆的新产品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,双方将继续保持紧密合作,全力响应全球电机驱动用户的需求。

896e2bb6-f474-11ed-90ce-dac502259ad0.jpg

ROHM Co., Ltd. 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 (左)

赛米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen (右)

随着全球电动化技术的快速发展,对功率模块的需求已经达到了前所未有的程度,相关产品的市场规模急剧扩大,几乎超出了芯片制造商的产能提升速度。在这样的背景下,罗姆开发出适用于工业设备的1200V IGBT “RGA系列”产品,成为业内先进的IGBT解决方案,从而进一步扩大了对赛米控丹佛斯的裸芯片供应范围。

赛米控丹佛斯计划推出额定电流等级10A~150A的功率模块“MiniSKiiP”,这款功率模块中配备了罗姆的1200V IGBT “RGA系列”芯片。MiniSKiiP功率模块采用无铜底板和弹簧连接这两大特色技术,并融合了非常适用于电机驱动市场的RGA系列的优势,从而成为低功率领域的理想解决方案。另外,MiniSKiiP系列始终采用最新一代的IGBT,而且还通过统一封装高度,确保产品安装的便利性,因而在全球电机驱动市场得以广泛应用。

咨询或购买产品

扫描二维码填写相关信息

将由工作人员与您联系

8978a168-f474-11ed-90ce-dac502259ad0.png

不仅如此,针对PCB连接采用Press-Fit引脚和焊接方式的应用,赛米控丹佛斯还推出了采用行业标准封装的“SEMITOP E”系列产品,由于其结构与现有的IGBT模块引脚兼容,因此也可使用罗姆的1200V IGBT“RGA系列”。此外,“SEMITOP”系列中预计还会新增将三相逆变电路集成于一个模块的六单元结构产品,以及整流器-逆变器-制动器复合电路结构产品。

罗姆集团 董事 常务执行官 CFO 伊野和英 表示:

“此次,赛米控丹佛斯采用的RGA系列产品,其最高结温(Tj,max)高达175℃,是罗姆新设计的弱穿通结构的沟槽栅IGBT。该系列产品在导通、开关和热特性方面,均针对最新的中低功率工业驱动应用进行了优化。另外,在电机驱动应用中,当产品承受过负载时,与业内现有的IGBT相比,其过电流承受能力具有显著优势。该系列产品还与业内的常规产品兼容,替换安装非常容易。”

赛米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen 表示:

“近年来,电力电子行业已经逐渐解决了供应问题,并且在不断吸取之前的相关教训。显而易见,半导体芯片和模块制造的多元化是实现功率模块真正意义上的‘多源供应’的前提。”

赛米控丹佛斯 常务董事 工业应用领域分管副总裁 Peter Sontheimer 表示:

“在1200V IGBT产品上,我们找到了值得信赖的制造商推出的IGBT产品。罗姆的1200V IGBT RGA系列产品可以替换业内现有的IGBT,只需对栅极电阻稍作调整,就能实现高度类似的目标工作。”

关于赛米控丹佛斯

赛米控丹佛斯是电力电子领域的全球技术领导者,产品包括半导体器件、功率模块、模组和系统等。

随着全球电动化技术的快速发展,赛米控丹佛斯所拥有的各项技术的重要性也越发凸显。公司通过向汽车、工业设备、可再生能源等应用领域提供创新型解决方案,助力实现更具可持续性、能效更高的社会,为大幅削减当今社会所面临的最大课题之一——CO2排放量贡献着力量。公司重视每一名员工,同时在创新、技术、能力和服务方面加大投资,通过提供业内顶级的产品性能和具有可持续性的未来,不断为客户创造价值。

赛米控丹佛斯是由赛米控和丹佛斯硅动力于2022年合并而成的私营企业,在全球各地拥有28家子公司,员工人数超过3,500人。公司足迹遍布全球,在德国、巴西、中国、法国、印度、意大利、斯洛伐克和美国均设有生产基地,可以为全球客户及合作伙伴提供优质服务。赛米控丹佛斯已在功率模块封装、技术创新、客户产品领域深耕90余载。未来,公司将充分利用这些技术积累和专业知识,致力于成为电力电子领域的终极合作伙伴。

如需了解详细情况,请访问赛米控丹佛斯官网

https://www.semikron-danfoss.com/zh.html

“MiniSKiiP”和“SEMITOP”是赛米控丹佛斯的商标或注册商标。

END

咨询或购买产品

扫描二维码填写相关信息

将由工作人员与您联系

8978a168-f474-11ed-90ce-dac502259ad0.png

点击阅读原文 了解更多信息


原文标题:赛米控丹佛斯推出配备罗姆1200V IGBT的功率模块

文章出处:【微信公众号:罗姆半导体集团】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 罗姆
    +关注

    关注

    4

    文章

    397

    浏览量

    66275

原文标题:赛米控丹佛斯推出配备罗姆1200V IGBT的功率模块

文章出处:【微信号:罗姆半导体集团,微信公众号:罗姆半导体集团】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模块

    本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块,该功率模块采用了先进的
    的头像 发表于 11-14 14:59 148次阅读
    深度了解第8代1800A/<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模块</b>

    丹佛斯FC102变频器手册

    丹佛斯FC102变频器手册
    发表于 10-21 10:48 0次下载

    丹佛斯电控扭矩限制器助力提高电动设备性能

    丹佛斯扭矩限制泵为MPG的卡车车载电动起重机提供了性能和效率。
    的头像 发表于 09-23 10:12 362次阅读

    Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET

    Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出了业界领先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
    的头像 发表于 05-23 11:34 870次阅读

    丹佛斯传动旗舰产品发布,助力“中国智造”拥抱数字化可持续未来

    上海2024年5月10日 /美通社/ -- 全球变频技术和电气化解决方案领导者丹佛斯传动今日在2024年度旗舰产品发布会暨路演宣布,正式面向中国市场推出三款变频器旗舰产品:iC2-Micro、全新
    的头像 发表于 05-11 10:17 355次阅读
    <b class='flag-5'>丹佛斯</b>传动旗舰产品发布,助力“中国智造”拥抱数字化可持续未来

    先导中心推出1200V 100A三电平全碳化硅模块新品

    在成功发布首款1200V 100A H桥全碳化硅模块后,先导中心再度展现了其技术实力,推出了全新的1200V 100A 三电平全碳化硅模块
    的头像 发表于 05-09 14:25 549次阅读

    1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120SA数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120SA数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 18:05 2次下载

    1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120HA数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N120HA数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 18:02 0次下载

    1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120UE数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120UE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:16 0次下载

    1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120SE数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120SE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:14 0次下载

    1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120HE数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N120HE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:11 0次下载

    1200V 15A沟槽和场阻IGBT JJT15N120SE数据手册

    电子发烧友网站提供《1200V 15A沟槽和场阻IGBT JJT15N120SE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 15:23 0次下载

    瞻芯电子推出一款车规级1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    近日,瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z,该模块产品及其采用的1200V 80
    的头像 发表于 04-07 11:37 1508次阅读
    瞻芯电子<b class='flag-5'>推出</b>一款车规级<b class='flag-5'>1200V</b> SiC三相全桥塑封<b class='flag-5'>模块</b>IVTM12080TA1Z

    丹佛斯传动推出旗下紧凑型变频器iC2-Micro功率扩展产品

    2024年3月28日- 上海 - 全球变频技术和电气化解决方案领导者丹佛斯传动宣布,推出旗下紧凑型变频器iC2-Micro功率扩展产品
    的头像 发表于 03-29 09:52 622次阅读

    安森美推出第7代绝缘栅双极晶体管技术的1200V SPM31智能功率模块

    智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31智能
    的头像 发表于 02-27 11:38 758次阅读