当前,随着5G、WiFi等技术不断演进与应用,射频前端芯片正迎来新的发展机遇。一方面,受益5G频段增加,射频前端芯片应用领域进一步拓展,市场呈现大幅增长态势;另一方面射频前端芯片技术高频化和集成化,为工艺技术发展带来新的变革。
尽管以GaAs工艺为代表的PA仍然为射频前端芯片主流技术,但CMOS PA凭借低成本、高集成度、漏电流低、导热性好等优势,正从非主流应用地位转变,将在WiFi、物联网等应用领域大放异彩。
但在当前前端射频如此“内卷”行业领域,光本土同业就高达10-20家,已逐渐形成客户供应切换成本低的产品高度同质化现象。使得要在前端射频领域筑起“护城河”厂家唯有在制程工艺、架构与设计上出奇制胜才能“杀出一条血路”。
经过三年技术扎实的积累,杭州地芯科技有限公司(以下简称:地芯科技)联手本地晶圆代工厂以“纯国产制造”的CMOS工艺支持4G线性CMOS PA打破了GaAs垄断局面。
地芯科技副总裁张顶平表示,CMOS工艺是集成电路中最为广泛使用的工艺技术,具有高集成度、低成本、漏电流低、导热性好、设计灵活等特性,但也存在击穿电压低、线性度差两大先天性弊端,使其在射频PA应用上面临巨大的技术挑战。但是创始团队深耕线性CMOS PA技术十多年,在过往的经验基础上开拓创新,攻克了击穿电压低、线性度差两大世界级工艺难题,在全球范围内率先量产支持4G的线性CMOS PA,将使得CMOS工艺的PA进入主流射频前端市场成为可能,更为突出的优势在于,CMOS由于集成度高,成本亦比GaAs占更大优势。
事实上,这款在18日于上海发布的GC0643,是过去三年地芯科技纯粹专注于CMOS PA技术的扎实技术积累,是一款4*4mm多模多频功率放大器模块(MMMB PAM),可应用于3G/4G手持设备(包括手机及其他手持移动终端)以及Cat1.物联网设备,支持的多频段多制式应用场景。本模块还支持可编程MIPI控制。
GC0643技术亮点
。基于CMOS工艺路线的全新多模多频PA设计思路
。创新型开关设计支持多频多模单片集成
。创新的线性化电路设计
。低功耗、低成本、高集成度、高可靠性的最佳解决方案
应用领域
。低功耗广域物联网(LP-WAN)设备
。3G/4G手机或其他移动型手持设备
。无线IoT模块等
。支持以下制式的无线通信:
•FDD LTE Bands 1,3/4,5,8
•TDD LTE Bands 34,39,40,41
•WCDMA Bands 1,2,3/4,5,8
GC0643在3.4V的电源电压下,在CMOS工艺难以企及的2.5G高频段,该CMOS PA可输出32dBm的饱和功率,效率接近50%;在LTE10M 12RB的调制方式下,-38dBc UTRA ACLR的线性功率可达27.5dBbm(MPR0),FOM值接近70,比肩GaAs工艺的线性PA。在4.5V的电源电压下,Psat更是逼近34dBm,并在Psat下通过了VSWR 1:10的SOA可靠性测试。该设计成功攻克了CMOS PA可靠性和线性度的主要矛盾,预示了线性CMOS PA进入Psat为30-36dBm主流市场的可能性。
地芯科技CEO吴瑞砾表示,“Common-Source架构的CMOS PA和HBT的架构类似,其非线性实际上并非特别棘手到难以处理,主要问题在于无法承受太高的电源电压。”他也指出,“CMOS工艺提供了丰富种类的器件,以及灵活的设计性,通过巧妙的电路设计,可以通过模拟和数字的方式补偿晶体管本身的非线性。这也是CMOS PA设计最重要的课题之一。”
杭州地芯科技有限公司成立于2018年,总部位于中国(杭州)人工智能小镇,并在上海及深圳设有公司分部。其产品覆盖射频收发机、射频前端及模拟信号链三大产品线。产品应用遍及无线通讯、工业电子及物联网等诸多领域。地芯科技致力于成为全球领先的5G无线通信、物联网以及工业电子的高端模拟射频芯片的设计者。
审核编辑 :李倩
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原文标题:突破极限 地芯科技发布首款基于CMOS工艺的国产化多频多模线性PA
文章出处:【微信号:DIGITIMES,微信公众号:DIGITIMES】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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