日本芯片制造商瑞萨电子周五表示,该公司将于 2025 年开始生产由碳化硅制成的下一代功率半导体,以期抓住电动汽车行业不断增长的需求。
碳化硅芯片将在位于东京西北部的日本群马县高崎市的一家工厂生产。该站点目前生产传统的硅晶圆芯片。投资金额和生产规模尚未确定。
相较于传统硅半导体,碳化硅功率半导体具有更好的耐热性和耐压性,基于SiC的功率器件功耗极低,特别适用于电动汽车应用,有助于提升系统的效率,延长续航里程,降低系统成本。电动汽车以外,SiC在光伏储能等可再生能源领域也有着巨大的应用潜力。
根据TrendForce集邦咨询《2023 SiC功率半导体市场分析报告》显示,随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化, 2023年整体SiC功率元件市场规模有望增长达22.8亿美元,年成长41.4%。同时,受惠于电动汽车及可再生能源等下游主要应用市场的强劲需求, 2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。
预计碳化硅半导体市场也将在其他领域扩大,潜在应用包括用于可再生能源的蓄电池。
其他公司已经在大力投资碳化硅半导体,包括总部位于瑞士的意法半导体、德国芯片制造商英飞凌科技和日本三菱电机。
与竞争对手相比,瑞萨发现自己落后了。该公司总裁 Hidetoshi Shibata 周五告诉记者,该公司“在传统功率半导体领域是后来者,但现在我们的产品因其高效率而受到重视。” “碳化硅也可以做到这一点。”
瑞萨已与晶圆代工厂签约制造先进的逻辑芯片,以避免生产所需的大量投资和开发成本。它在内部生产功率半导体以利用专有技术。
明年初,瑞萨电子将重启位于富士山附近山梨县的甲府工厂。该工厂于 2014 年被封存,但现在正被重新用于用硅晶圆制造功率半导体。
作为汽车半导体芯片巨头,瑞萨电子近年来大举扩产汽车功率半导体产能,日前刚宣布拟投资477亿日元在日本扩产,计划到2026年将车用半导体的产能提高10%,彰显其在该领域的野心,而量产SiC功率器件的计划也进一步表明其紧随汽车行业的发展趋势,拟把握市场新机遇,持续巩固在汽车功率半导体市场的地位。
审核编辑 :李倩
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原文标题:瑞萨也要做SiC,2025年量产
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