PCSEL的工艺流程
PCSEL的工艺流程比较简洁，但也存在难点。
根据参考文献，可以将工艺流程分为以下几步：
设计外延片参数，第一次外延，制备光子晶体，第二次外延，制备台面和电极。
设计外延片参数：自己完成外延片参数设计。
第一次外延：激光器的外延技术比较成熟，所以有很多商业公司可以提供该步工艺服务，或者自己有设备自己完成该步工艺。
制备光子晶体：PCSEL中的光子晶体周期和小孔直径，一般在几十纳米到几百纳米，这个尺度需要EBL加工。EBL加工技术也比较成熟，有很多商业公司可以提供该步工艺服务，或者自己有设备自己完成该步工艺。该步工艺可以细分为以下几步流程：
第二次外延：该步工艺是难点，也是研究工艺中的重点，外延过程中需要保留气孔，可以算是PCSEL的专用工艺。目前应该很少有商业公司能够提供该工艺服务，一般需要自己摸索该工艺，所以要么自己有设备自己摸索该工艺，要么租用别人的设备自己摸索该工艺。目前，也有很多该工艺的文献[1][2]。
制备台面和电极：该步工艺也比较成熟，有很多商业公司可以提供该步工艺服务，或者自己有设备自己完成该步工艺。该步工艺可以细分为以下几步流程：
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