新思科技联合台积公司和Ansys升级Multi-Die全方位解决方案，推动系统级创新-电子发烧友网

三家全球领先公司紧密协作，以应对基于台积公司先进技术的设计在芯片、封装和系统等方面的挑战。

新思科技近日宣布，携手台积公司和Ansys持续加强多裸晶芯片系统设计与制造方面的合作，助力加速异构芯片集成以实现下一阶段的系统可扩展性和功能。得益于与台积公司在3DFabric技术和3Dblox标准中的合作，新思科技能够为台积公司先进的7纳米、5纳米和3纳米工艺技术上的多裸晶芯片系统设计，提供业界领先的全方位EDA和IP解决方案。台积公司先进工艺技术集成了新思科技实现和签核解决方案以及Ansys多物理场分析技术，助力开发者从容应对多裸晶芯片系统中从早期探索到架构设计中签核功耗、信号和热完整性分析等严苛挑战。

多裸晶芯片系统提供了一种实现更低功耗、更小面积及更高性能的方法，打开了面向系统级创新时代的大门。我们与新思科技、Ansys等开放创新平台（OIP，Open Innovation Platform）生态系统合作伙伴长期密切合作，通过专为台积公司先进技术优化的全方位EDA和IP解决方案，助力共同客户加速实现多裸晶芯片系统的成功。

Dan Kochpatcharin

设计基础架构管理事业部负责人

台积公司

芯片设计向多裸晶芯片系统的发展拐点，在于解决功耗、热完整性和可靠性签核等方面的全新挑战。通过集成的方式和强大的生态系统，我们能够提供全方位解决方案来应对日益复杂的挑战。基于我们与新思科技、台积公司的合作，开发者可以采用业界领先的多裸晶芯片解决方案，并充分利用我们数十年专业技术加速实现芯片成功。

John Lee

副总裁兼总经理

Ansys

向多裸晶芯片系统的演进对半导体产业产生了深远的变革，产业亟需一个整体的解决方案来处理die-to-die连接、多物理场效应和芯片/封装协同设计问题。新思科技与台积公司、Ansys紧密协作，提供了引领行业的全方位、可扩展且值得信赖的解决方案，助力加速异构集成并降低设计风险。

Sanjay Bali

EDA事业部营销和战略副总裁

新思科技

全方位解决方案助力多裸晶芯片系统成功

与单片片上系统（SoC）不同，多裸晶芯片系统具有高度的相互依赖性，必须从系统级角度来开发。新思科技多裸晶系统解决方案能够实现早期架构探索、快速软件开发和系统验证、高效的芯片/封装协同设计、强大且安全的die-to-die连接，并具有更卓越的制造和可靠性。新思科技与台积公司、Ansys合作的主要亮点包括：

新思科技3DIC Compiler是一个统一的多裸晶芯片封装协同设计与分析平台，与台积公司3Dblox标准和3DFabric技术无缝集成，用于3D系统集成、先进封装以及完整的“探索到签核”实施。
新思科技设计签核解决方案经台积公司技术认证，并与Ansys RedHawk-SC电热多物理场技术集成，可解决多裸晶芯片系统中关键的功耗和热签核问题。
新思科技UCIe PHY IP核已在台积公司N3E工艺中成功流片。UCIe有望成为低延迟和安全的die-to-die连接的事实标准。点击阅读原文，进一步了解新思科技多裸晶芯片系统解决方案。