半导体激光器是以半导体材料作为激光有源区增益介质的激光器。与其他类型的激光器相比,半导体激光器具有其独特的优势,如:体积小、重量轻、寿命长、转换效率高以及易于集成等诸多优点。
因此,半导体激光器作为在光电子技术领域中的核心器件之一,起到了其他激光器无法代替的作用,受到人们的高度关注。
今天我们一起来了解一下半导体激光器的“P-I 特性”!
P-I 特性曲线指的是半导体激光器的输出光功率与注入电流之间的关系曲线。
在理想情况下,当注入电流低于激光器发光阈值时,激光器不发光;当注入电流逐渐增大到大于阈值后激光器开始输出激光,P-I 特性曲线表现为线性关系,如下图所示。
而在实际情况下,当注入电流在阈值之下时,由于激光器内部自发辐射的作用会引起非相干辐射,所以当注入电流增加时,输出光功率也会缓慢增加;当注入电流超过阈值,半导体激光器迅速发出激光,光功率随之迅速增加,如下图所示。
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原文标题:理想与实际有区别?快速了解半导体激光器的“P-I 特性”
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