根据Omdia的数据,2020年全球功率MOSFET的市场规模为81亿美元,在新能源汽车,工业控制、5G通讯等市场需求的加持下,全球增速将保持高速增长,预测在2025年将达到118.47亿美元。
MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET 器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,是功率半导体的基础器件。
从汽车电子的应用场景看,MOSFET是汽车电子中的核心元件,汽车引擎、驱动系统中的变速箱控制器以及制动、转向控制,都离不开MOSFET。相比较于燃油汽车而言,新能源汽车的智能化、电动化的发展,加快了市场对MOSFET需求的进程,比如DC/DC的高压MOSFET、OBC 中的超级结MOSFET等需求激增,以满足实际运行中,对工作电流和电压的更高要求。
MDD辰达半导体凭借多年的行业经验与技术积累,在夯实二极管、三极管、整流桥的产品基础上,积极布局MOSFET系列产品,从产品规划、质量、工艺等方面取得重大突破。目前MDD面向汽车电子、电源、工控、消费电子等应用场景,推出三种工艺MOSFET系列产品,为客户提供高可靠、高性能的解决方案。
PlanarMOSFET
采用业界最新的平面技术设计制造而成,具有低导通损耗,高雪崩能量,高可靠性,更好的EMI兼容性等特点。高压平面MOSFET产品涵盖500V-700V系列电压范围,如MDD7N65D,MDD20N50P,MDD12N65F等可满足各种电源系统的需求(主要照明驱动、适配器)。
TrenchMOSFET
采用先进的Trench 技术设计制造而成,产品具有抗冲击能力强,高雪崩能力,高可靠性等特点。该系列产品涵盖N/P 20V~120v电压范围,如MDD2301,MDD15N10D,MDD2306等针对不同应用领域对器件性能的需求特点采用不同的设计方案,是器件在各个应用场合性能最佳。可广泛应用消费类电子通用器件,小电流等。
SGTMOSFET
采用优化的沟槽屏蔽栅设计及工艺制造技术,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻Rsp和栅极电荷Qg。SGT系列MOSFET产品涵盖30V~150V,如MDDG04R1P9G,MDDG10R08P, MDDG10R08D可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。
审核编辑:汤梓红
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原文标题:MDD推出MOSFET系列产品,助力汽车电子等行业发展
文章出处:【微信号:MDD辰达行电子,微信公众号:MDD辰达半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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