半导体激光器的优点与缺点

半导体激光器的优点：

1、体积小、重量轻：几乎所有的半导体激光器其器件本身体积大小都在lmm3以下，非常小。即使包括必要的散热片和电源装置也能够成为尺度非常小的小型系统。

2、可注入激励：仅用几伏的电压注入毫安级的电流就能够驱动。除电源装置以外不需要其它的激励设备和部件。电功率直接变换成光功率，能量效率高。

3、室温下可连续振荡：在室温附近的温度范围内大多数半导体激光器能够连续振荡。

4、波长范围宽：适当的选择材料和合金比，在红外和可见光很宽的波长范围内能够实现任意波长的激光器。

5、可直接调制：把信号重叠在驱动电流上，在直流到G赫兹范围内，可以调制振荡强度、频率和相位。

6、相干性高：用单横模的激光器可以得到空间上相干性高的输出光。在分布反馈型(DFB)和分布布拉格反射型(DBR)激光器中能够得到稳定的单纵模激射，得到时间上的高相干性。

7、能够产生超短脉冲：采用增益开关和锁模等方法，以简单的系统结构能够获得从纳秒到皮秒的超短脉冲。

8、可批量生产：由于是小型、层状结构，可以用光刻和平面工艺技术制作，适宜于大量生产。

9、可靠性高：由于是单片状，所以具有牢固的机械结构。

10、可单片集成化：能够把同种半导体激光器集成在同一衬底上。

半导体激光器的缺点：

1、温度特性差：半导体激光器工作特性与温度有显著的关系，环境温度变化可以引起激射频率、阈值电流、输出光功率等变化。

2、容易产生噪声：因为是利用高浓度的载流子，所以载流子的起伏会影响有源区的折射率;谐振器的长度短，还采用了低反射率的端面镜子。所以激光振荡容易受到外部回光的影响。

3、输出光发散：输出光由端面以放射形式发出成为发散光。要获得平行光束必须要有外部透镜。

OBIS LX/LS系列，相比于普通的半导体激光器，在波长稳定性、功率稳定性、光束质量上有明显优势。是高质量的光源，适合共聚焦显微镜、DNA测序、流式细胞仪，以及其它需求高品质光源的应用。

输出波长：

375nm; 405nm; 413nm; 422nm; 445nm; 458nm; 473nm; 488nm; 505nm; 514nm; 520nm; 532nm; 552nm;561nm; 594nm; 637nm; 640nm; 647nm; 660nm; 685nm; 730nm; 752nm; 785nm; 808nm; 980nm。

特点：

>功率稳定，光束质量好

>体积小(70*40*38mm)，易于集成

>数字、模拟调制

产品系列：

1. OBIS LX系列，半导体激光器;

2. OBIS LS系列，光泵半导体激光器;

3. OBIS FP LX/LS， 带光纤输出。

上图是OBIS LX系列的光斑;下图是OBIS LS系列的光斑

审核编辑：汤梓红