赛普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS异步快速快速SRAM,由256K字16位组成。通过断言芯片使能(CE)和写入使能(WE)输入LOW来执行数据写入,同时在I/O0到I/O15上提供数据,在A0到A17引脚上提供地址。字节高使能(BHE)和字节低使能(BLE)将控制写入操作输入到指定存储器位置的上字节和下字节。BHE控制I/O8至I/O15,BLE控制I/O0至I/O7。
通过断言芯片使能(CE)和输出使能(OE)输入LOW并在地址线上提供所需地址来执行数据读取。读取数据可在I/O线上访问(I/O0到I/O15)。字节访问可以通过断言所需的字节使能信号(BHE或BLE)来执行,以从指定的地址位置读取数据的上字节或下字节。详情及实现国产替换联系英尚微。
特征
•高速
•tAA=10纳秒/15纳秒
•低有功和备用电流
•有效电流:ICC=38mA(典型值)
•备用电流:ISB2=6-mA(典型值)
•工作电压范围:1.65V至2.2V、2.2V至3.6V和4.5V至5.5V
•1.0-V数据保留
•TTL兼容输入和输出
•无铅44引脚SOJ、44引脚TSOPII和48球VFBGA封装
审核编辑黄宇
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