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MOSFET对使单刀双掷开关变得简单

要长高 来源:edn 作者:edn 2023-05-31 17:49 次阅读

借助 n 沟道和 p 沟道 MOSFET,您可以轻松地实现单刀双掷 (SPDT) 开关,以隔离电路的一部分,并在电路其余部分关闭时从次级电源为其供电,以便待机工作 (图1 )。通过使用互补对,您可以对 MOSFET 使用单个控制输入。这种拓扑结构中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A时表现出小于0.1V的压降,并且两个MOSFET都采用SO-8封装。

image.png

图1 n沟道和p沟道MOSFET对包括一个先开后合、单极、双掷开关(a)。当电路的其余部分关闭时,开关隔离电路的一部分,并在待机操作期间从次级电源为其供电(b)。

image.png

当 2N7002 或类似的控制 MOSFET 将栅极连接在一起并将它们拉到地时,p 沟道 MOSFET 导通。通过关闭 2N7002 将栅极拉到电源轨上方会导致 n 沟道 MOSFET 导通。将p沟道MOSFET的栅极拉到源极电位以上不起作用;MOSFET 保持关断状态,漏电流低。

由此产生的开关是先开后合配置,这是确保次级或始终接通电源永远不必为整个电路供电所必需的。然而,由于MOSFET的快速开关,可能不需要超出正常设计规则的额外电容来维持工作电压。

电路中n沟道器件的布置可确保内部二极管在子电路隔离时不导通。在这个方向上,n沟道MOSFET还为电路通过二极管的电源提供了一条故障安全路径。p沟道MOSFET二极管的正向电压阻止任何电流“反向馈送”次级电源,假设两个电源的电压接近。

该电路的一个应用示例是台式计算机中的高级配置和电源接口,可在待机状态下提供即时启动和低功耗。主电源为大功率开关电源,副电源为线性调节的60Hz变压器。

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