重磅新品||安森德自研超结（SJ）MOSFET上市

近年来，新能源、智能汽车、智能家居等新产业发展迅速，带动了功率器件尤其是超结（SJ）MOSFET的强劲需求。然而长期以来，超结（SJ）MOSFET市场供应被国外企业所主导，但随着全球半导体产业向我国转移，加上国产半导体品牌长期的技术积累，产品不断迭代升级，部分国产功率器件产品的性能和品质，已经可以与国外一线厂商媲美，超结（SJ）MOSFET国产化需求也将迎来发展机会。

以安森德为代表的国产半导体新锐品牌，抓住国产替代和半导体第三次产业转移的契机，坚持“理论结合实践，技术驱动创新”的发展路线，研发出核心技术自主可控的中低压MOSFET、超结（SJ）MOSFET、SIC、GaN、SIP系统级芯片等产品，可满足多场景差异化应用场景下的客户需求。联系电话：[phone]（微信同号）。

安森德历经多年的技术积累，攻克了多层外延超结（SJ）MOSFET技术，成功研发出具备自主知识产权的超结（SJ）MOSFET系列产品，涵盖 600 V、650 V、700 V、800 V 和 950 V MOSFET 电压等级，具有出色的超低导通内阻，可提高效率和易用性，同时显著降低开关和传导损耗。

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安森德多层外延SJ MOS介绍

安森德自研新品超结（SJ） MOSFET有良好的兼容性和可靠性，且能够以高性价比满足高效率要求。

安森德多层外延超结（SJ）MOSFET，通过一层一层淀积硅层，并在每一层上通过离子注入形成P型掺杂，最后通过高温将每一层的P型区连接从而形成最终的P柱结构。相比Deep-Trench工艺的SJ MOS，是通过外延设备生长一层几十um的外延层，再通过深槽刻蚀设备刻出深宽比很高的沟槽，采用外延方式将沟槽填充，其过程中因深宽比要求越来越大，会导致在填充时产生一些不规则的空洞，造成芯片在长期高温工作时的可靠性下降。安森德多层外延工艺因其独特的沟槽技术，可有效避免这方面的缺陷。

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安森德多层外延SJ MOS优势

效率高

较高的轻载、满载效率，超低的导通内阻、Qg，有效的降低导通、开关损耗。

低温升

较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命。

稳定性强

强大的EAS 能力可以为电源抗冲击提供有效的保证，芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品，其高温稳定性大大提高。

内阻低

超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。

体积小

在同等电压和电流要求下，超结MOS的芯片面积能做到比传统MOS更小，可以封装更小尺寸的产品。

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安森德多层外延SJ MOS应用

超结（SJ）MOSFET被广泛应用于电子设备，且应用范围正在不断扩大，成为电子设备不可或缺的重要元器件，其主要应用于服务器电源、充电桩、新能源汽车、光伏、逆变、储能等领域。

审核编辑 黄宇