宽带隙半导体 (WBG) 是具有更大带隙的半导体材料,相较于传统半导体功率器件可适用于更高的电压操作,更大的功率,且适合用于高温环境。在设计下一代高性能电源方案时,氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是目前热门且可靠的 WBG 材料选择。
益登科技 300W 电源解决方案采用以 SiC/GaN 为材料的 MOSFET 和肖特基势垒二极管,以降低开关损耗和恢复损耗,搭配 PFC 和 LLC 二合一数字控制器,在重负载和轻负载条件下均有优异的效率表现,并且拥有全面的保护功能,包含过压保护、过流保护、开环保护等,为用户提供了稳定且可靠的电源供应器。凭借宽带隙半导体的高功率密度特性,我们的解决方案适用于工业设备、电竞 PC、电动自行车等电源供应需求。
益登科技代理广泛的电源产品线,为我们的客户提供整体解决方案,以降低设计成本、加快上市时间并确保良好的质量。联系我们以了解更多关于我们的电源解决方案。
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审核编辑 :李倩
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原文标题:导入宽带隙半导体 满足高瓦数电源供应需求
文章出处:【微信号:gh_35b6c826f6e2,微信公众号:益登科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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