0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

导入宽带隙半导体 满足高瓦数电源供应需求

益登科技 来源:益登科技 2023-06-02 16:03 次阅读

宽带隙半导体 (WBG) 是具有更大带隙的半导体材料,相较于传统半导体功率器件可适用于更高的电压操作,更大的功率,且适合用于高温环境。在设计下一代高性能电源方案时,氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是目前热门且可靠的 WBG 材料选择。

益登科技 300W 电源解决方案采用以 SiC/GaN 为材料的 MOSFET肖特基势垒二极管,以降低开关损耗和恢复损耗,搭配 PFC 和 LLC 二合一数字控制器,在重负载和轻负载条件下均有优异的效率表现,并且拥有全面的保护功能,包含过压保护、过流保护、开环保护等,为用户提供了稳定且可靠的电源供应器。凭借宽带隙半导体的高功率密度特性,我们的解决方案适用于工业设备、电竞 PC、电动自行车等电源供应需求。

益登科技代理广泛的电源产品线,为我们的客户提供整体解决方案,以降低设计成本、加快上市时间并确保良好的质量。联系我们以了解更多关于我们的电源解决方案。

解决方案框图

b507d016-fbcb-11ed-90ce-dac502259ad0.jpg

详细信息请点击文末“阅读原文”

相关产品

b522d082-fbcb-11ed-90ce-dac502259ad0.png

PFC + LLC 组合控制器
MPS
HR1211 是一款多模式 PFC 和电流模式 LLC 数字组合控制器,可通过 UART 接口配置,其集成的节能技术有助于在整个工作电压范围内优化效率。

b53c1150-fbcb-11ed-90ce-dac502259ad0.png

双路LLC同步整流
MPS
MP6925 是一款用于 LLC 谐振变换器同步整流的双路快速关断智能整流器,最大限度地减少了现有外部元器件的使用,采用SOIC-8 封装。

b5529cb8-fbcb-11ed-90ce-dac502259ad0.png

SiC MOSFET
fastSiC
fastSiC 的增强型 SiC MOSFET,耐高温高压,比Si 高出 10 倍的介电强度,并能降低约75%能量损耗。

b5660c94-fbcb-11ed-90ce-dac502259ad0.png

Power MOSFET
ROHM
RS6G120BG 是一款采用铜夹结构的低导通电阻 MOSFET,适用于基站、服务器、工控设备等应用。

b5749afc-fbcb-11ed-90ce-dac502259ad0.png

N-channel MOSFET
STMicroelectronics
STF33N60M2 具有低导通电阻和优化开关的特性,使其适合用于要求苛刻的高效转换器

审核编辑 :李倩

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    27286

    浏览量

    218067
  • 功率器件
    +关注

    关注

    41

    文章

    1758

    浏览量

    90416
  • 数字控制器
    +关注

    关注

    0

    文章

    89

    浏览量

    19507
  • 宽带隙半导体

    关注

    0

    文章

    34

    浏览量

    58

原文标题:导入宽带隙半导体 满足高瓦数电源供应需求

文章出处:【微信号:gh_35b6c826f6e2,微信公众号:益登科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    使用宽带技术最大限度地提高高压转换器的功率密度

    推动器件小型化趋势。 更高功率密度的重要性 更高的功率密度对于满足各地日益增长的能源需求以及市场对更小、更高效的电源的持续需求至关重要。半导体
    的头像 发表于 11-16 13:28 9096次阅读
    使用<b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b>技术最大限度地提高高压转换器的功率密度

    为什么说宽带半导体的表现已经超越了硅?

    满足市场需求,使用硅的新器件年复一年地实现更大的功率密度和能效,已经越来越成为一个巨大的挑战。从本质上讲,芯片的演进已经接近其基础物理极限。但是,为什么说宽带
    发表于 07-30 07:27

    半导体激光焊锡电源相关资料下载

    半导体激光焊锡电源 连续直接输出激光器 功率高精度电源直接半导体激光器输出功率涵盖10W至500W,具有更高的电光转换效率,输出功率稳定。
    发表于 12-29 08:00

    什么是宽带半导体材料

    什么是宽带半导体材料 氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带半导体材料,因为它的禁带宽度都在3
    发表于 03-04 10:32 7233次阅读

    宽带半导体GaN、ZnO和SiC的湿法化学腐蚀

    宽带半导体具有许多特性,这些特性使其对功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀,即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许
    的头像 发表于 07-06 16:00 2338次阅读
    <b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b><b class='flag-5'>半导体</b>GaN、ZnO和SiC的湿法化学腐蚀

    宽带半导体终结了硅的主导地位

    宽带 (WBG) 半导体,例如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已经终结了硅在电力电子领域的主导地位。自硅问世以来,WBG 半导体被证明是电力电子行业最有前途的材料。与传统的
    的头像 发表于 07-27 15:11 1652次阅读

    分析宽带半导体的计算模型

    了解半导体价带和导带的形成机制对于新材料生产的潜在技术影响至关重要。这项工作提出了一种宽带计算模型,突出了理解能带结构的理论困难,然后将其与实验数据进行了比较。
    发表于 07-29 11:18 1225次阅读
    分析<b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b><b class='flag-5'>半导体</b>的计算模型

    分析用于电力电子的宽带半导体

    使用宽带半导体的技术可以满足当今行业所需的所有需求。顾名思义,它们具有更大的带,因此各种电子
    的头像 发表于 07-29 08:06 1840次阅读
    分析用于电力电子的<b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b><b class='flag-5'>半导体</b>

    碳化硅宽带半导体有什么好处

    宽带 (WBG) 半导体极大地影响了使用它们的设备的可能性。材料的带是指电子从半导体价带的最高占据态移动到导带的最低未占据态所需的能量。
    发表于 07-29 15:10 1962次阅读

    宽带和超宽带半导体技术介绍

    用于光电子和电子的宽带和超宽带半导体
    发表于 12-22 09:32 1021次阅读

    宽带(WBG)半导体器件主要应用于哪?

    集成宽带(WBG)半导体器件作为硅技术在多种技术应用中的替代品,是一个不断增长的市场,可以提供效率和功率密度的改善,在能源和成本节约方面有很大的反响。WBG具有更高的开关频率、更低的功率损耗和更高的功率密度。继续阅读,了解更多
    发表于 02-02 16:36 2047次阅读

    宽带半导体技术应用和发展

      宽带半导体是一种具有宽带半导体材料,其特性是具有较宽的能带
    发表于 02-16 15:07 1498次阅读

    碳化硅宽带的重要性

    宽带半导体材料(如SiC)与更传统的半导体材料(如Si)相比具有许多优势。考虑带随着温度升高而缩小的事实:如果我们从
    的头像 发表于 05-24 11:13 2201次阅读

    功率逆变器应用采用宽带半导体器件时栅极电阻选型注意事项

    功率逆变器应用采用宽带半导体器件时栅极电阻选型注意事项
    的头像 发表于 11-23 16:56 640次阅读
    功率逆变器应用采用<b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b><b class='flag-5'>半导体</b>器件时栅极电阻选型注意事项

    新的宽带半导体技术提高了功率转换效率

    新的宽带半导体技术提高了功率转换效率
    的头像 发表于 11-30 18:00 495次阅读
    新的<b class='flag-5'>宽带</b><b class='flag-5'>隙</b><b class='flag-5'>半导体</b>技术提高了功率转换效率