宽带隙半导体 (WBG) 是具有更大带隙的半导体材料,相较于传统半导体功率器件可适用于更高的电压操作,更大的功率,且适合用于高温环境。在设计下一代高性能电源方案时,氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是目前热门且可靠的 WBG 材料选择。
益登科技 300W 电源解决方案采用以 SiC/GaN 为材料的 MOSFET 和肖特基势垒二极管,以降低开关损耗和恢复损耗,搭配 PFC 和 LLC 二合一数字控制器,在重负载和轻负载条件下均有优异的效率表现,并且拥有全面的保护功能,包含过压保护、过流保护、开环保护等,为用户提供了稳定且可靠的电源供应器。凭借宽带隙半导体的高功率密度特性,我们的解决方案适用于工业设备、电竞 PC、电动自行车等电源供应需求。
益登科技代理广泛的电源产品线,为我们的客户提供整体解决方案,以降低设计成本、加快上市时间并确保良好的质量。联系我们以了解更多关于我们的电源解决方案。
解决方案框图
详细信息请点击文末“阅读原文”
相关产品
PFC + LLC 组合控制器 MPS HR1211 是一款多模式 PFC 和电流模式 LLC 数字组合控制器,可通过 UART 接口配置,其集成的节能技术有助于在整个工作电压范围内优化效率。 |
|
双路LLC同步整流器 MPS MP6925 是一款用于 LLC 谐振变换器同步整流的双路快速关断智能整流器,最大限度地减少了现有外部元器件的使用,采用SOIC-8 封装。 |
SiC MOSFET fastSiC fastSiC 的增强型 SiC MOSFET,耐高温高压,比Si 高出 10 倍的介电强度,并能降低约75%能量损耗。 |
|
Power MOSFET ROHM RS6G120BG 是一款采用铜夹结构的低导通电阻 MOSFET,适用于基站、服务器、工控设备等应用。 |
|
N-channel MOSFET STMicroelectronics STF33N60M2 具有低导通电阻和优化开关的特性,使其适合用于要求苛刻的高效转换器。 |
审核编辑 :李倩
-
半导体
+关注
关注
334文章
26792浏览量
213777 -
功率器件
+关注
关注
41文章
1704浏览量
90227 -
数字控制器
+关注
关注
0文章
83浏览量
19489 -
宽带隙半导体
+关注
关注
0文章
34浏览量
35
原文标题:导入宽带隙半导体 满足高瓦数电源供应需求
文章出处:【微信号:gh_35b6c826f6e2,微信公众号:益登科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
评论