作为自动驾驶所需的LiDAR等3D传感技术的光源,半导体激光器的市场变得活跃起来。其中之一是具有小型化、节能等优点的VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser),下面介绍面向VCSEL的干法工艺。
VCSEL制造工艺
1. 外延生长
在GaAs(砷化镓)衬底上,通过分子束外延生长由
多个周期的AlGaAs(砷化铝镓)/GaAs层堆叠在一起的
AlGaAs/GaAs系DBR(分布反射型Distributed
Bragg Reflector)。
2. Patterning&Mask形成
为了将外延层做成被称为 Mesa 的圆柱形,制作一个掩模图案。
3. Mesa加工
用干法蚀刻进行Mesa加工。
4. 氧化狭窄&保护膜形成
活性层附近设计的特定AlGaAs层通过湿法氧化而氧化狭窄
(氧化狭窄层作为电流和光的封闭结构,
成为影响VCSEL特性的非常重要的层)。另外,沉积Mesa侧壁保护膜。
5. 电极形成
n型、p型电极形成。
编辑:黄飞
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原文标题:【半导光电】VCSEL制造工艺全流程
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