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半导体激光器面向VCSEL的干法工艺流程解析

jt_rfid5 来源:半导体封装工程师之家 2023-06-03 14:22 次阅读

作为自动驾驶所需的LiDAR等3D传感技术的光源,半导体激光器的市场变得活跃起来。其中之一是具有小型化、节能等优点的VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser),下面介绍面向VCSEL的干法工艺。

VCSEL制造工艺

1. 外延生长

在GaAs(砷化镓)衬底上,通过分子束外延生长由

多个周期的AlGaAs(砷化铝镓)/GaAs层堆叠在一起的

AlGaAs/GaAs系DBR(分布反射型Distributed

Bragg Reflector)。

2. Patterning&Mask形成

为了将外延层做成被称为 Mesa 的圆柱形,制作一个掩模图案。

3. Mesa加工

用干法蚀刻进行Mesa加工。

4. 氧化狭窄&保护膜形成

活性层附近设计的特定AlGaAs层通过湿法氧化而氧化狭窄

(氧化狭窄层作为电流和光的封闭结构,

成为影响VCSEL特性的非常重要的层)。另外,沉积Mesa侧壁保护膜。

5. 电极形成

n型、p型电极形成。

编辑:黄飞

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原文标题:【半导光电】VCSEL制造工艺全流程

文章出处:【微信号:今日光电,微信公众号:今日光电】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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