LEF和DEF是APR工程师工作中经常会碰到的两类文件,也会对APR的基础配置和APR的flow产生直接的影响。基本相当于APR物理设计的基础建设。
LEF/DEF释义和使用场景
APR工程师碰到的LEF和DEF文件,具体对应的全程和应用场景如下pic_center
物理库文件,工艺技术文件,APR层次化设计交付(配合ETM使用)
由上可见,里那个文件首字母不同也表征了他们之间的异同:LEF更偏重于库,DEF则侧重于设计。
APR工程师,经常会用到各种库或者库的各种版本进行交互,今天这里就对LEF里边的一两个和APR有关的点滴做一些讨论和解惑。
tech-LEF 通常是FAB交付,这方面通常都是很严谨的,不会有太多意外发生。但是对于IP的交付,不同vendor的策略有时候不太一样,而且IP的LEF对floorplan,placement和routing通常会有直接的影响,在出现问题的时候,需要APR工程师进行定位。所以,如果能掌握LEF中的几个关键信息,甚至在导入flow工具之前,可能就会有一些发现;或者flow出现了一些异常,那么从阅读LEF入手,可能也会得到比较快速的解决办法。基于上,大家一起来看看和APR相关的LEF信息。闲言少叙,ICer Go!
tech-LEF的浅析
通常一个标准的LEF文件具备以下的格式
这个格式是兼顾了tech-LEF和IP LEF两种应用场景的。IP LEF的定义则是从字段MACRO
开始,对于tech-LEF的主要字段,这里用一个简单列表进行快速罗列
对于C家的工具,同学们直接用tech-LEF就好了;如果是S家工具(ICC和ICC2),都需要用到FAB格外提供的technology file (TF)文件,这个文件基本可以等同于tech-LEF,只是流程不同而已。
tech-LEF更像是一个基于FAB-node的物理强需求,这些规则都会对APR工具对各种资源加以权衡和评测,包括但不限于:
APR工具会对tech-LEF进行解析,从而创建对应的物理设计约束。可以看到,在单位芯片面积下,tech-LEF的上述配置会决断芯片最终的可用资源数量,工艺尺寸(SITE/PITCH/MANUFACTURINGGRID
etc.)越小的tech-LEF文件在各个定义点的数值也就会小,对应的片上资源就会越多。
IP LEF的浅析
对于IP的LEF文件,通常的会有遵循下述模板
为了兼容LEF5.8,在这个标准模板的后半段,会看到PROPERTY LEF58
的字段,通常只有复杂工艺的复杂设计会用到,通常的IP交付,用非LEF5.8字段是足够的。
类似的,APR工具会对IP的LEF进行解析,从而带入IP 对布局,绕线等资源的影响,并在此影响下,完成对IP的集成和最终的GDS 合并(merge)。
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CLASS
通常是多这个MACRO进行基本分类,这里罗列出他们的释义以及对应S家,C家的工具标记
由于C家的flow是直接利用LEF,通常通过cell.subClass既可以直接得到LEF相关的信息,S家的是通过MW/NDM来基于LEF文件来创建的FRAME view提供给ICC/ICC2工具使用,这里会有一些语法正常的转移,以ICC2为例,下表罗列了LEF到NDM FRAME 之间信息映射关系
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FOREIGN
这个是一个标记LEF和GDS之间的偏移量,如果IP的GDS设计的origin 没有落在坐标原点,那么这里可能就会有一个非零数值,GDS起点是在第一象限则FOREIGN为负值,如果是在第三象限,则为正值,具体见下图示例
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ORIGIN
这个是指IP在放置的时候,相对于当前origin的偏移量,
假设有下列的IP 配置:
MACRO B1
......
ORIGIN X1 Y1
FOREIGN B1 X2 Y2
在APR的放置的坐标是:X3 Y3
那么最后B1的GDS polygon抽取的起点是 (X1+X2+X3 Y1+Y2+Y3)
对于通常的IP而言:X1=Y1=X2=Y2=0 。
对于有个GDS相对位移的IP而言:X1 + X2 =0 , Y1+Y2=0
从个人角度理解,这样做的好处是可以缝合GDS偏移和顶层集成的误差,让最后的GDS-out 保持稳定输出。(如有理解偏颇,还望指正)
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SIZE
这个字段是描述IP的宽度和高度的,语法格式是:
SIZE WIDTH BY HEIGHT
. 对于一个矩形的IP而言这个字段可以很方便的通过宽度和高度表达出这个IP的面积:SIZE=WIDTH*HEIGHT细心的同学可以看到,这里对BLOCK的描述只能是一个简单的矩形,这是LEF规则的一个限制。对于一个多边形的MACRO需要有LAYER的支持。这个后面会讲到。
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SYMMETRY
定义IP的朝向(orientation)的限制因素。IP设计者需要关注自己IP在被顶层集成的时候可能会遇到反转、镜像等操作,通过这个句柄可以限制APR工具对IP进行有控制的反转,这样可以有效地避免IP朝向错误所导致的base DRC错误。这个对于IP用户是非常重要的。可配置的选项如下:
对于常见的std-cell,通常都是可以水平和垂直反转的,那么对应的SYMMETRY的写法是:SYMMETRY X Y
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SITE
对于比较规则的IP,SITE会比较有用,譬如std-cell和IO的site,这样APR工具在创建core或者IO-ring的时候,就可以基于site对std-cell和IO进行自动布局,这也是APR placer工具做布局,合规化(legalized)基础,对于普通IP这里也可以不做定义。但是对于先进工艺,由于coloring/grid的问题,所以在IP上面(尤其是较有规律的SRAM)这个site的应用场景会变得更加丰富了。
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PIN
这里是IP描述的主要部件,给用户提供访问IP的pin的物理位置信息,所有的坐标都是相对于当前IP的左下角(N 朝向)而言的。
对于信号pin,上述示例的信号pin是一个std-cell,为了M1的pin形状需要用三个矩形来描述(rectangle),对应的VDD需要有多达六个矩形来描述
对于IP,通常的pin是abut到boundary的,而且是单rectangle的。示例如下
这个是用户使用IP LEF较常用的一种格式。这里有几个地方需要注意
- IP的pin需要和IP的boundary贴合,方便外界访问,如果做不到贴合。那么OBS的创建需要注意,至少保证pin可以通过drop via进行访问
- IP的pin的width需要满足当前层的min-width需求,长度建议1um,方便绕线和GUI观察
- pin和pin之间需要至少控制一个track,这样可以满足潜在的HV spacing 需求
从上述例子可以看出,LEF也是支持antenna的信息的,这样可以支持APR工具在只有LEF的时候也可以对antenna进行评估和修复。
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OBS
OBS是Obstruction的缩写,故名思意是对IP的遮挡,对于IP的应用,通常会牵扯到两类遮挡,这个和APR的常规的处理非常相似,
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放置遮挡(placement OBS):对APR工具的放置进行阻止
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绕线遮挡(routing OBS):对APR工具的绕线进行阻止
由于IP都要自己的SIZE(boundary),如果用户不在这里OBS的句柄里边额外定义,那么IP的SIZE描述的区域都是不能放置其他器件的。
在前文有说道,SIZE只支持矩形,但是如果有了OBS配合就可以支持多边形了。
这里使用OBS调用OVERLAP 类型的LAYER对IP的SIZE进行切割,这样就形成了一个多边形了。这里的OVERLAP是一个特殊层,需要在tech-LEF里边进行预先定义,具体实例如下
这样在APR工具里边就可以看到一个多边形IP了。
对于绕线遮挡,OBS通过调用routing /cut LAYER 来进行定义。通常如果IP的顶层是M4,那么IP的出pin 也会在M4 和 M3(M4-1)层。这样的规则和APR的partition策略比较相像。
但是通常,出pin的位置都是需要外界绕线直接访问的,所以出pin的位置是不能就想遮挡的,如果IP的顶层是M4,那么最多有一些M4的资源可以始放出来,M4一下的M3/2/1都应该进行遮挡,否则APR工具会在上边走线,这也是OBS存在的重要价值所在。
废话不说,有图有真相
从上图可见,这里的IP有一个M1贴合boundary的pin,同时这个IP被M1的OBS覆盖了,但是在LEF规则里,pin bbox拥有覆写OBS的特性,所以在M1 品德周遭,会产生一个OBS空白区,具体跟进pin widh和对应的spacing来调整,这个通过S家的MW,可以很明显的看到
结合上边的理论,一个比较简单的IP的OBS的写法如下
无论是tech-LEF还是IP LEF,都是遵循LEF语法的,可以合并到一起,但是通常由于vendor不同,IP的LEF只关注MACRO 以内的信息,剩下的基本都交由tech-LEF完成,如果用户需要全局的定义更改,请移步tech-LEF进行优化。如果是VIAGEN rule或者NDR rule的更新,也可以项目/工艺的角度进行追加,这种配置更偏向于tech-LEF。
LEF里的关键字有很多。LEF通常也是使用abstract工具从GDS里边抽取出来的,由于APR工具对LEF的强依赖,对于APR工程师,需要可以看到常规的语法就可以,在出现问题的时候可以找到对应的原因和解法,最终还是为了更为高效的推进APR工作。
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