pFET线性稳压器具有低压差

P沟道MOSFET（pFET）虽然比pnp晶体管贵，但不存在与pnp电路中基极驱动相关的耗散损耗。pFET 在轻负载时也具有较低的饱和电压（图 1）。事实上，低R的DS（ON）、逻辑电平、p沟道功率MOSFET目前可以从5.5V电池调节1V！

图1.一个 p 沟道 MOSFET （Q1） 允许该线性稳压器在 V 电压下工作在到 V外差分低于100mV。

此功能允许图2电路从四个电池单元获得5V±10%，即使它们放电低至4.6V。低压差使电路在电池电压下降时“下降”，最终在大约4.6V时脱离稳压。当时的低输入至输出差分（0.1V）可实现接近100%的效率。请注意，IC1的输出精度（在整个温度范围内为±0.6%）使其适合用作2.5V系统基准。

图2.在低输出电流下，这些p沟道MOSFET表现出低源极至漏极电压（即图1电路中的压差）。

IC2的引脚可编程偏置电流使低功耗模式成为可能，在该模式下，整个电路的电流消耗小于50μA。 此模式下可用于备份 RAM 和实时时钟等电路的 5 毫安电流。在高功率模式下，稳压器可提供 1A 电流。

选择100μF输出电容（C1）以适应1A的最大负载电流;对于较轻的负载，您可以将电容器缩放到较小的值。但要注意，电路的环路稳定性取决于滞后补偿，其中1/2πRESRC1>14kHz，其中RESR是C1的等效串联电阻。（图1推荐了C1可接受的电容类型。

该电路配置为5V输出（R1 = 100kΩ），可从5节电池提供500mA电流，产生7.5V，或从4节电池提供1A电流，产生6V电压。该器件配置为 3V （R1 = 20kΩ），可从四节产生 6V 的电池提供 500mA 电流，或从三节产生 4.5V 的电池提供 1A 电流。输入电压范围为 3V 至 15V，但有限制;由于 Q1 上没有散热器，MOSFET 的封装耗散额定值对输入电压和输出电流的限制如下：IOUT × （VIN - VOUT） < 1.25W。

审核编辑：郭婷