0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存

半导体产业纵横 来源:半导体产业纵横 2023-06-11 14:32 次阅读

238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片,生产效率比上一代的176层提升了34%,成本竞争力得到了大幅改善。

SK海力士今日宣布,已开始量产238层4D NAND闪存,并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证。此前,公司于去年8月成功开发出世界最高238层NAND闪存。

SK海力士强调:“公司以238层NAND闪存为基础,成功开发适用于智能手机和PC的客户端SSD(Client SSD)解决方案产品,并在5月已开始量产。公司在176层甚至在238层产品,都确保了成本、性能和品质方面的世界顶级竞争力,期待这些产品在下半年能够起到改善公司业绩的牵引作用。”

238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片,生产效率比上一代的176层提升了34%,成本竞争力得到了大幅改善。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特),比上一代的速度快50%。并且也改善了约20%的读写性能,由此公司自信,可将为采用该产品的智能手机和PC客户提供更高的性能。

SK海力士计划在完成智能手机客户公司的验证后,首先向移动端产品供应238层NAND闪存,随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0的PC固态硬盘(SSD)和数据中心级高容量固态硬盘产品等。

SK海力士238层NAND担当副社长金占寿表示:“公司今后将继续突破NAND闪存技术局限,并加强竞争力,在即将到来的市场反弹周期迎来大转机。”

中国NAND闪存晶圆市场某些细分市场料在库存高企的情况下小幅涨价

TrendForce研究显示,随着美国和韩国制造商从 5 月开始大幅减产,一些供应商提高了晶圆价格。与3月和4月相比,这一发展导致中国市场价格略有上涨。

鉴于这些变化,TrendForce预测6月市场将发生转变。主流512Gb NAND Flash晶圆价格或将止跌回升,因模组厂商加紧备货。这将扭转自2022 年 5 月以来该行业大幅下跌的趋势。

TrendForce进一步预测 3Q23 开始价格上涨,预计涨幅在 0-5% 左右。预计2023年第四季度价格增长率将进一步扩大至8-13%。不过,对于SSD、eMMC、UFS等产品,库存仍需促销力度清空,目前暂无涨价迹象。

下半年将迎来备货旺季。尽管需求低迷导致今年终端产品出货量持续下调,但市场仍预计下半年出货量将高于上半年,采购量可能会出现环比增长。

不过TrendForce提醒,第二季下游模组厂库存高企,将决定是否进行策略性备货,而这将取决于两个关键因素:旺季需求恢复情况如何,以及供应商是否会坚挺定价并在持续下行压力下坚持。

TrendForce 指出,中国模块制造商特别热衷于维持低成本库存,对适度的晶圆价格上涨表现出更高的容忍度。这可能会导致中国市场部分容量晶圆的价格先于其他市场企稳并开始反弹。如果其他市场效仿并接受适度的价格上涨,它可以验证和支持供应商提高晶圆价格的趋势,从而在买家中引发积极的采购策略。这一战略转变有望进一步支持随后的晶圆价格飙升。

TrendForce分析显示,中国组件厂商的积极库存策略是受短期出货驱动,导致价格从最低点反弹时的购买动机更强。从长远来看,除了实现中国国内半导体生产的目标外,模块制造商还积极在低价位增加库存以增强成本竞争力。他们不断扩大晶圆采购量,生产客户端SSD、UFS和eMMC产品,力争获得一线终端厂商的订单。

3732a442-05f6-11ee-962d-dac502259ad0.png

消息称三星将提升NAND晶圆价格

据业内消息人士透露,三星已在5月底通知组件客户,将提高NAND晶圆的官方报价。

据台媒电子时报报道,消息人士称,尽管三星计划提高NAND晶圆价格,但并不打算提高固态硬盘的价格,这将挤压模组制造商的利润。

“模组制造商的产品通常比NAND芯片供应商的固态硬盘便宜,如果三星提高NAND晶圆价格,其固态硬盘与模组制造商产品之间的价格差距将缩小,模组制造商将看到生产成本上升。”消息人士解释说道。

如果消费电子市场需求在下半年改善,NAND晶圆的合约报价可能会企稳。

目前,部分供应商开始调高NAND Flash wafer晶圆的报价,对中国大陆市场报价均已略高于3~4月成交价。除了NAND晶圆价格提升外,上个月市场消息传出,NAND flash价格暴跌给供应商造成了巨大损失,存储制造商正在努力止血。三星和SK海力士在寻求将其NAND闪存价格提高3%-5%。并表示NAND闪存的价格已经降至可变成本以下,一些品牌SSD的价格已经接近HDD的价格。






审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • SSD
    SSD
    +关注

    关注

    20

    文章

    2851

    浏览量

    117193
  • NAND闪存
    +关注

    关注

    2

    文章

    219

    浏览量

    22729
  • 固态硬盘
    +关注

    关注

    12

    文章

    1450

    浏览量

    57257
  • PCIe接口
    +关注

    关注

    0

    文章

    120

    浏览量

    9674

原文标题:SK海力士宣布量产世界最高238层4D NAND闪存

文章出处:【微信号:ICViews,微信公众号:半导体产业纵横】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    SK海力士9月底将量产12HBM3E高性能内存

    自豪地宣布SK 海力士当前市场上的旗舰产品——8HBM3E,已稳坐行业领导地位,而更进一步的是,公司即将在本月底迈入一个新的里程碑,正式启动12
    的头像 发表于 09-05 16:31 657次阅读

    SK海力士率先展示UFS 4.1通用闪存

    在最近的FMS 2024峰会上,SK 海力士凭借其创新实力,率先向业界展示了尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存新品,再次引领存储技术的前沿。此次展示不仅彰显了SK
    的头像 发表于 08-10 16:52 1782次阅读

    SK海力士加速NAND研发,400+闪存量产在即

    韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新,据韩媒最新报道,该公司计划于2025年末全面完成400+堆叠
    的头像 发表于 08-02 16:56 1055次阅读

    SK海力士将在2025年底量产400+堆叠NAND

    近日,韩国权威媒体ETNews爆出猛料,SK海力士正在积极筹备加速下一代NAND闪存的研发进程,并且已经设定了明确的发展时间表——计划在2025年底之前,全面完成高达400多层堆叠
    的头像 发表于 08-01 15:26 404次阅读

    SK海力士5堆叠3D DRAM制造良率已达56.1%

    在全球半导体技术的激烈竞争中,SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日,在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上,SK海力士宣布
    的头像 发表于 06-27 10:50 578次阅读

    SK海力士HBM4芯片前景看好

    瑞银集团最新报告指出,SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士
    的头像 发表于 05-30 10:27 709次阅读

    SK海力士HBM4E存储器提前一年量产

    SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士
    的头像 发表于 05-15 11:32 773次阅读

    SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案

    在智能手机技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,成功推出新一代移动端NAND闪存解决方案——ZUFS 4.0。这款专为端侧AI手机优化的
    的头像 发表于 05-11 10:14 420次阅读

    SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0

    今日,SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破,他们成功研发出了面向端侧(On-Device)AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“
    的头像 发表于 05-09 11:00 554次阅读

    SK海力士发布NAND闪存解决方案,助力端侧AI手机发展

    SK海力士指出,“ZUFS 4.0是新一代移动端NAND闪存解决方案,具备行业内最高性能且专门针对端侧AI手机进行优化。”此外,公司还强调,
    的头像 发表于 05-09 09:30 354次阅读

    消息称SK海力士测试东京电子低温蚀刻设备

    SK 海力士正在与东京电子(TEL)展开紧密合作,通过发送测试晶圆来评估后者的低温蚀刻设备。这一举措旨在为未来的NAND闪存生产导入新技术。在当前,增加堆叠层数已经成为提高3
    的头像 发表于 05-08 11:47 549次阅读

    SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年

    SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12DRAM堆叠的HBM4产品,而16堆叠
    的头像 发表于 05-06 15:10 420次阅读

    刚刚!SK海力士出局!

    来源:集成电路前沿,谢谢 编辑:感知芯视界 Link 3月25日消息,据报道,由于SK海力士部分工程出现问题,英伟达所需的12HBM3E内存,将由三星独家供货,SK
    的头像 发表于 03-27 09:12 566次阅读

    SK海力士首发Gen5 NVMe固态硬盘

    该产品与 Gold P31、Platinum P41 共同使用了海力士自主研发的 SSD 主控,然而独特之处在于其搭载了 PCIe Gen5 技术及 238 的 TLC NAND
    的头像 发表于 03-20 14:13 858次阅读

    铠侠向SK海力士提议在日产非易失性存储器,推动合作达成

    去年,铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置,其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持,铠侠提出借助其实施的日本产 3
    的头像 发表于 02-18 16:06 472次阅读