东京电子成功开发400层堆叠3D NAND闪存技术

东京电子9日宣布，成功开发出了可以用于制造400段以上堆砌而成的3d nand闪存的“存储器洞蚀刻技术”。研究组开发的新技术首次使电蚀在低温下也能应用，发明了具有很高蚀觉速度的系统。

这一创新技术可在短短33分钟内完成10微米深度的刻蚀，比以往的技术大大缩短了时间。东京电子方面表示：“如果应用该技术，不仅有助于制造高容量3d nand，还可以减少84%的地球变暖危险。”

东京电子表示，开发该技术的小组将于6月11日至16日在日本京都举行的“2023年招待所集成电路技术及工程研讨会”上发表最新成果和报告书。