三安光电与意法半导体拟合资建立8英寸SiC器件厂

①按照计划，合资厂将于2025年第四季度投产，预计在2028年全面建成。该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元（约合227.8亿人民币）；②三安光电还将单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，用以满足合资器件厂的衬底需求。

《科创板日报》6月7日讯（记者 郭辉）今日，全球知名的半导体公司意法半导体和国内化合物半导体龙头企业三安光电共同宣布，双方已签署协议，将在重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。

按照计划，合资厂将于2025年第四季度投产，预计在2028年全面建成。该合资厂全部建设总额预计约达32亿美元（约合227.8亿人民币）。

项目未来5年的资本支出约为24亿美元，关于资金来源，包括来自意法半导体和三安光电的资金投入、来自重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。

与此同时，三安光电首席执行官Simon Lin表示，将利用自研SiC衬底工艺，单独新建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足上述合资厂的衬底需求。

2021年6月，总投资160亿元的湖南三安半导体产业园项目一期正式点亮投产；2022年7月，项目二期开建，总投资为80亿元，将于今年贯通，达产后配套年产能将达到36万片。《科创板日报》记者了解到，目前项目二期会在8英寸工艺方面进行研发投入，并在上述第二座工厂规模使用。

在碳化硅产业发展初期，意法半导体与三安光电将通过合作，加强垂直整合来提升器件产品在车用等特殊场景的可靠性问题。

意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示，三安光电未来的8英寸衬底制造厂与前端的合资公司以及意法半导体在中国深圳的现有后端工厂相结合，将使意法半导体能够为中国客户提供一个完全垂直整合的SiC价值链。

三安光电是中国第一家、全球第三家实现全产业链垂直整合的企业，产业链布局包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装，碳化硅产能已达1.2万片/月。“碳化硅产业发展初期实现垂直整合，能够很好应对不同场景的可靠性问题。”一名产业人士如是称。

三安光电碳化硅器件在国内上车进展加速。三安光电碳化硅MOSFET代工业务已与龙头新能源汽车及配套企业展开合作，与某知名车企签署芯片战略采购意向协议总金额达38亿元，另一重要客户订单金额19亿元。该公司2022年年报显示，已签署的碳化硅MOSFET长期采购协议总金额超70亿元，另有几家新能源汽车客户的合作意向在跟进。产品方面，三安光电车规级1200V 16mΩ MOSFET芯片已在战略客户处进行模块验证，预计于2024年正式上车量产。

意法半导体方面，汽车业务被视为意法半导体在2027年实现200亿美元收入目标的关键支撑。意法半导体CEO在去年年底的访华行程中，拜访了多位国内汽车和工业战略客户，包括长安汽车、赛力斯汽车、宁德时代、固德威、威迈斯新能源、埃泰克汽车电子等。另外，与意法半导体形成合作的中国厂商包括：比亚迪、吉利、长城、现代、小鹏等OEM，以及台达、华为、汇川、广达、欣锐科技、阳光电源、威迈斯新能源等。

意法半导体表示，工业和汽车是业务组合中增长势头最为强劲的两个市场，着力推进并重点关注这两个高增长市场是公司近几年的战略方向。

“国内碳化硅仍有较大降本空间。”产业人士告诉《科创板日报》记者，碳化硅衬底目前占碳化硅芯片成本的约60%，因此降低衬底成本是重点。目前碳化硅衬底生产工艺仍面临三大瓶颈：一是晶体质量，二是长晶效率，三是切磨抛的损耗。价格下降除了生产技术良率要提升，此外整个设备原材料的国产化和技术创新也会带来成本降低。“随着产业化推进和产学研合作，未来有很大降本空间。”