0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

破解SiC MOS难题,新技术减少50%碳残留

行家说三代半 来源:行家说三代半 2023-06-13 16:46 次阅读

目前,许多企业在SiC MOSFET的批量化制造生产方面遇到了难题,其中如何降低SiC/SiO₂界面缺陷是最令人头疼的问题。

通常,为了形成SiO₂氧化膜,制造SiC MOSFET时通常会用到热氧化工艺,而过高的温度会导致“残留碳”,从而会引发SiC/SiO₂界面缺陷(比Si/SiO₂多100倍),继而导致沟道迁移率降低,甚至影响器件长期可靠性。

239c3d7a-090d-11ee-962d-dac502259ad0.png

因此,业界正在探索各种技术来形成高质量SiO₂氧化膜,目的是不产生或减少残留碳。

近日,韩国企业EQ TechPlus宣布,他们开发了一种下一代氧化膜沉积设备,用于大规模生产SiC功率半导体,与采用传统高温热氧化设备相比,该设备可以将SiC界面碳含量降低约50%。

据EQ TechPlus介绍,他们的设备的优点是可以在较低低温下沉积氧化膜(500-750℃),而现有的其他设备通常需要1200-1300℃的高温。

为此,该设备一方面可以减少用电量,另一方面还可以将残留碳以一氧化碳和二氧化碳等气体的形式排出,最大限度地减少由碳引起的界面缺陷。

据“行家说三代半”了解,EQ TechPlus采取了一种独特的方法来解决碳化硅SiO₂氧化膜沉积难题。

23ecba8e-090d-11ee-962d-dac502259ad0.png

EQ TechPlus设备示意图

EQ TechPlus采用的是一种混合模块技术,结合了现有等离子体和热处理设备的优点。他们的非等离子体热处理不产生离子,因此不会出现离子降解或对氧化膜的损害,可以更好地形成均匀而稳定的氧化膜,还可以很容易地加装到现有的单室设备上进行氧化处理。

除了碳化硅外,该公司的自由基氧化和原子层沉积(ALD)技术可以应用于硅基D-RAM、NAND闪存和系统半导体,以及氮化镓基功率半导体等化合物半导体工艺。

2427d77c-090d-11ee-962d-dac502259ad0.png

EQ TechPlus自由基氧化工艺的核心装置概念

该公司首席执行官Kim Yong-won说,"我们最近在与韩国功率半导体公司进行了MOSCAP(金属氧化物半导体结构电容器检测测量和效果评估,结果显示,我们的设备减少了界面缺陷,并改善薄膜性能。

除了MOSCAP测试外,他们还与其他功率半导体公司进行了MOSFET的性能验证,这项评估预计将在明年上半年结束。

据介绍,该公司将于今年9月份获得SEMI(半导体设备和材料协会)质量认证,并开始批量生产该设备。该公司计划将其位于京畿道的安城工厂的规模扩大一倍以上,以全面生产下一代氧化物薄膜沉积设备。

Kim Yong-won透露,"去年,我们的300毫米晶圆和硅半导体的氧化膜沉积业务业务获得了56.4亿韩元(约3100万人民币)的销售额,随着新设备的供应,我们今年目标将实现100亿韩元(约5600万人民币),预计2028年年销售额达到3000亿韩元(16.66亿人民币)。"

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    143

    文章

    7029

    浏览量

    212413
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    29

    文章

    2722

    浏览量

    62337
  • 功率半导体
    +关注

    关注

    22

    文章

    1115

    浏览量

    42820
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    SiC MOSFET采用S-MOS单元技术提高效率

    初创公司 mqSemi 推出了适用于基于功率 MOS 的器件的单点源 MOS (S-MOS) 单元设计。使用 Silvaco Victory 工艺和设备软件,在 1200V SiC M
    发表于 07-26 09:10 982次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET采用S-<b class='flag-5'>MOS</b>单元<b class='flag-5'>技术</b>提高效率

    智慧照明打响低生活

    地球休息了8小时。同时根据《纽约时报》的报道,如果LED照明技术全部取代传统的照明灯泡,仅就节约电力消耗而言,就能够在短短的20年内为将全世界的二氧化碳排放减少50%。显然,相比于“地球一小时”每年仅一小时的熄灯行动,常年使用l
    发表于 06-24 17:30

    SiC功率模块使逆变器重量减少6kg、尺寸减少43%

    3赛季)与文图瑞车队签署官方技术合作协议,并在上个赛季为其提供了SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)。通过将FRD更换为SiC-SBD,第2赛季由IGBT和快速恢复二极管(FRD)
    发表于 12-04 10:24

    SiC功率器件SiC-MOSFET的特点

    另一方面,按照现在的技术水平,SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低,所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的门极电压,可以得到越低的导通电阻(VCS=20V以上则逐渐饱和)。如果
    发表于 05-07 06:21

    浅析SiC-MOSFET

    SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入,但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
    发表于 09-17 09:05

    50N06 50A/60V TO-252 MOS管 HN50N06DA

    `深圳市三佛科技有限公司 供应 50N06 50A/60V TO-252 MOS管 HN50N06DA,原装,库存现货热销HN50N06DA
    发表于 03-30 14:13

    国产碳化硅MOS基于车载OBC与充电桩新技术

    国产碳化硅MOS基于车载OBC与充电桩新技术:1 车载电源OBC与最新发展2 双向OBC关键技术3 11kW全SiC双向OBC电路4 OBC与车载DC/DC集成二合一5 车载DC/DC
    发表于 06-20 16:31

    SiC MOSFET的器件演变与技术优势

    的上限。SiC晶体管的出现几乎消除了IGBT的开关损耗,以实现类似的导通损耗(实际上,在轻载时更低)和电压阻断能力,除了降低系统的总重量和尺寸外,还能实现前所未有的效率。  然而,与大多数颠覆性技术
    发表于 02-27 13:48

    ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

    标准的产品,并与具有高技术标准和高品质要求的供应商合作。在这过程中,ROHM作为ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供应商脱颖而出。ROHM的服务和技术支持都非常出色,使得我们能够
    发表于 03-29 15:06

    OTN技术破解城域网难题

    OTN技术破解城域网难题  近年来,宽带、IPTV和视频业务等数据业务的迅速发展,对运营商的传送网络提出了新的要求,一方面传送网络要能够提供适应业务发展的带宽
    发表于 12-31 10:22 1112次阅读

    经济催生环境监测新技术简介

    经济催生环境监测新技术简介 日前,国家环保部以环办2010年1号文件的形式向各地市环保厅印发了《2010年全国环境监测工作要点
    发表于 03-15 15:26 670次阅读

    LED新技术:利用超薄铝膜破解深紫外线LED难题

    厦门大学的一个研究小组通过在高铝组分氮化物深紫外线发光二极管表面覆盖一层超薄的铝膜,破解了制约这一发光器件得以更广泛应用的“光抽取效率”关键难题,为未来此类器件在
    发表于 01-16 09:55 1510次阅读

    浅析SiC MOS新技术:沟道电阻可降85%

    我们知道,SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题,最近,日本东北大学提出了一项新的外延生长技术,据说可以将栅氧界面的缺陷降低99.5%,沟道电阻可以降低85.71%,整体SiC M
    的头像 发表于 10-11 12:26 1879次阅读
    浅析<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>新技术</b>:沟道电阻可降85%

    如何减少MOS管的损耗

    MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)在电子设备中扮演着重要角色,然而其在实际应用中的损耗问题也是不容忽视的。为了减少MOS
    的头像 发表于 05-30 16:41 1124次阅读

    SiC MOS卓越性能的材料本源

    来源:凌锐半导体 SiC MOS凭借其性能优势为越来越多的行业,如储能,充电桩,光伏逆变器所采用。特别是在采用800V电池系统的新能源车中1200V SiC MOS是主驱逆变器和车载充
    的头像 发表于 09-23 15:14 314次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOS</b>卓越性能的材料本源